彩色PDP显示电极的制造工艺

本文叙述了一种低温制造透明电极的技术．该技术能克服高温喷二氧化锡产生变形的缺点。从而满足了彩色PDP显示器的要求。另一方面．也叙述了汇流电极的制造方法。同时．也指出了光刻技术和印刷技术在彩色PDP显示器上的重要应用。     

彩色PDP显示电极的制造工艺

叙述一种低温制造透明电极的技术,它克服高温喷SnO2产生变形的缺点,从而满足了彩色PDP显示器的要求.另一方面,也叙述了汇流电极的制造方法.同时,也指出光刻技术和印刷技术在彩色PDP显示器中的重要应用.     

用电镀法制造硅靶铜导电帽的研究

具有导电帽的硅靶视像管可以减小其惰性,并提高其抗晕光的能力。本文着重对用电镀法制造硅靶铜导电帽的有关问题如:电镀液的组成;电镀槽、电极结构;电流;硅靶表面等诸因素对铜导电帽质量的影响进行了分析。结果表明用电镀法制备硅靶导电帽是一种成本低、无毒害、无污染的简便易行的方法。     

国外显示技术专利文摘

等离子体显示面板及其驱动方法，等离子体显示面板，光敏糊状组合物．由此制备的PDP电极以及包括该PDP电极的PDP，等离子显示装置     

金属涂敷硅锥阴极的工艺研究

本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点，研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺，比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力；采用先溅射后电镀的两步工艺制作出了较为理想的包全硅尖阵列。     

提高PDP性能的改进技术

对改进PDP性能的技术作了说明，并着重介绍了高Xe浓度PDP、HEXA阵列结构PDP以及全镀金属电极一类改进技术     

Pb/Sn凸点的制备

介绍了用电镀法制备Pb / Sn凸点的工艺,包括:凸点的设计,圆片的准备,溅射UBM(凸点下金属层),厚膜光刻,电镀Cu柱, Pb / Sn凸点,回流凸点等。结果表明:采用电镀法可以得到球形Pb / Sn凸点,50μm的厚胶工艺是可行的。     

PDP制造工艺和生产技术最新进展

本文综述了PDP电极、障壁、MgO保护膜制造工艺和MgO保护膜沉积、封接、充气、排气和封口一体化系统规模生产技术的最新进展。     

μPD16337和μPD16305在PDP驱动电路中的应用

１引言等离子体显示按照电极结构分为直流型（DC－PDP）和交流型（AC－PDP）。目前大多数厂家都采用三电极表面放电AC－PDP，即采用A，X和Y三电极，在工作时电极之间施加交替脉冲信号，从而使放电单元的气体发生气体放电产生紫外线，激发荧光粉发光。PDP早在１９６４年就由美国Illinois大学的Bitzer和Slottow发明出来，但是直到２０世纪９０年代才获得迅速发展，这不仅应当归功于显示屏本身开发成功及生产技术的进步，也应当归功于驱动技术的发展，而驱动技术的发展又有赖于驱动集成电路的发展。２PDP驱动原理三电极表面放电型A…     

柔性端电极MLCC工艺研究

为了得到高可靠性、高抗弯曲性能的多层片式陶瓷电容器(MLCC),采用银、环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂以及无水乙醇等原材料制备柔性端电极浆料。研究了固化工艺和表面处理技术对柔性端电极MLCC的电性能和可靠性的影响。结果表明:柔性端电极浆料在250℃温度以上固化至少30 min,保证了树脂层良好的连接性及可镀性;电镀前采用抽真空和填充技术进行预处理,保证了柔性端电极MLCC的耐热冲击性能和抗弯曲能力。     

多层片式ZnO压敏电阻器内电极材料研究

把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电流(IL)随着钯含量的升高而减小;非线性系数(α)、峰值电流(Ip)及能量耐量(ET),随着钯含量的升高而提高。分析认为,随着内电极材料中Ag含量的升高,Ag+的扩散增加,导致晶粒电阻增加,即施主浓度(Nd)减少,势垒高度(■)升高,致使MLCV的电性能劣化。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

MLCC击穿原因浅析

从MLCC内部结构入手,分析了造成其电场畸变和电流分布不均匀的原因。运用有介质时的高斯定理,论证了在某些位置上非均匀电场强度要大于均匀电场强度。在MLCC内电极当中,处于最外边的上、下两个电极层所承受的电流相对较小,越靠近外电极,内电极层流过的电流越大。在此基础上,提出了在MLCC内部容易出现电压击穿和电流击穿的部位。     

Three-dimensional computer model of electric fields in internaldefibrillation

The automatic internal defibrillator delivers a low-energy shock directly to the heart. Optimal strategies for these shock deliveries are determined by studying a three-dimensional computer model of the electric fields produced by initial defibillation electrodes. A finite-element analysis technique is used to calculate energy and current density distributions in three commonly used electrode configurations: (1) patch-patch (PP), (2) catheter-patch (CP), and (3) catheter-catheter (CC). analysis of these simulations indicates that : (1) the PP and CP configurations are more effective at channeling energy to the myocardium than the CC configuration; (2) small electrodes and the edges of the electrodes give rise to high local current densities which might cause damage to the myocardium: (3) energy delivered to the myocardium is not significantly altered for different electrode placements tested; (4) electrode size influences current density distribution, especially near the electrodes; and (5) energy distribution is sensitive to the relative conductances of the myocardial tissue and blood     

基于锆钛酸铅的低电压驱动MEMS电场传感器研究

该文提出一种基于锆钛酸铅(PZT)的低电压驱动微机电系统(MEMS)电场传感器。该传感器基于电荷感应原理,其敏感单元由固定电极和可动电极构成。固定电极与可动电极均为感应电极,同时两者又是屏蔽电极。在PZT压电材料的驱动下,可动电极产生垂直于敏感芯片基底的振动并且与固定电极形成交互屏蔽,当存在待测电场时,分别在可动电极和固定电极上产生相位差为180°的感应电流信号。该文进行了传感器的设计和有限元仿真,提出敏感微结构的加工工艺流程,突破了基于PZT压电材料的可动电极MEMS工艺兼容制备技术,完成了敏感芯片制备,对传感器进行了性能测试。该传感器具有工作电压低的突出优点。实验测试表明,在0～50 kV/m电场强度范围内,采用1 V交流驱动电压,电场传感器的灵敏度为0.292 mV/(kV/m),线性度为2.89%。     

General analysis of electrodes in integrated-optics electroopticdevices

Integrated-optics electrooptic devices that rely on the electrooptic effect obtained by applying electric waves on the electrodes deposited on the light waveguides are considered. A general structure for the devices is presented, and a computational method for calculating the electric-field distribution in the structure is described. Comparisons between numerical and exact results are made in cases with a known solution. The effect of the thickness of the electrodes is investigated. The characteristic impedance and effective dielectric constant are presented as a function of the electrode thickness for various width-gap ratios of the electrode structure. Calculations show that the electric field in the substrate is slightly influenced by the electrode thickness, whereas the characteristic impedance and effective dielectric constant are decreased as the electrode thickness is increased     

超级电容器氧化锰电极材料的特点制备

分析超级电容器的制备以及其化学性能,制备出了无定型氧化锰电极,并将制得的氧化锰电极置入电解液中,在一定的电位范围中扫描绘制了循环伏安曲线,另外,将电极在一定电流下放电,分析其可逆性。从测试结果可以看出,这种电极的充放电性能良好,且具有理想的可逆性。     

图电板线路缺口开路改善

缺口开路属图电板第一大报废项目,对图电板整体品质影响极大,是图电板品质改善的重点方向,通过对图电板在图形工序加工过程的全程跟进与研究,发现图电板的缺口开路主要因脏物和碎膜造成,经分析,这些脏物和碎膜主要来自于四个方面,文章将对此分别进行阐述和改善。     

Manipulation of microparticles using new modes of traveling-wave-dielectrophoretic forces: numerical Simulation and experiments

This paper presents a microchip device which uses traveling-wave-dielectrophoretic (twDEP) forces for the manipulation of microparticles and yeast cells. The dielectrophoretic forces generated under different operating conditions are simulated numerically, and the electric field distributions, force distributions and microparticle traces are investigated thoroughly. The paper presents two innovative modes of microparticle manipulation using positive (only one electrode is active at any instant in time, while the other three electrodes are all switched off) and negative (one electrode is "off", and the other electrodes are "on") dielectrophoretic forces. Micromachining techniques are used to fabricate micro-twDEP chips. The capability of electrode arrays in manipulating bioparticles is demonstrated by driving yeast cells in a suspension medium. The current experimental data confirm that dielectrophoretic forces can be used successfully for the collection, alignment, step-wise movement and general manipulation of cells.     

有机电致发光器件发光层中电场与载流子浓度分布的数值研究

以陷阱电荷限制传导理论为基础 ,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布 .分析结果表明 ,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快 ,而在中间区域几乎是线性地缓慢增大 .大部分载流子分布在靠近两个电极的地方 ,只有少量分布在中间区域 .在靠近注入电极的地方扩散电流大于漂移电流 ,而在其它区域漂移电流大于扩散电流.