在1毫勒克斯时可工作的CCD电视摄象机

在扩大电荷耦合器件(CCD)在微光成象系统应用的过程中,法国电子技术与应用物理实验室的一组工程师在 CCD 阵列和象增强管的基础上,将两者合为一体,制成了     

红外焦平面阵列

红外焦平面使用电荷耦合器件(CCD)作传感和信息处理,可提高探测器的密度,并改进其性能。由电荷耦合概念制成的器件使用电荷耦合概念制成的器件有可能在红外成象中应用的有下列几种:InSb电荷注入器件(CID),累积型电荷耦合器件,非     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

国外红外电荷耦合器件研制近况

电荷耦合器件是一种较新的器件,国外在一九七○年开始公开报导。这类器件的出现,主要影响了电子学的以下领域:探测与成象、模拟延迟、信号处理、滤波及存储。在探测与成象领域内,电荷耦合器件可用在可见、微光和红外三方面。本文首先简单介绍探测与成象用一般硅电荷耦合器件的基本情况,在此基础上叙述探测和成象用红外电荷耦合器件的一些国外研制近况。文中指出,红外探测器阵列与硅电荷耦合器件的混合集成,是近期目标;用红外材料研制单片红外电荷耦合器件,则是其较远期目标。     

大动态高灵敏1024×1024 EMCCD研制

随着硅材料质量的提升和半导体工艺技术的发展，低温制冷下电荷耦合器件(CCD)的暗电流已经可以忽略，此时放大器成了主要的噪声源，限制了对微弱信号的检测。采用电子倍增技术，通过对电荷包在进入输出节点前进行放大，可有效抑制放大器的噪声。然而，电荷包放大后容易饱和，会限制器件的动态范围。本研究采用浮置栅放大器对电荷包进行无损检测。根据检测结果，大的电荷包直接输出，小的电荷包通过电子倍增放大后再输出，获得高灵敏度的同时兼顾了大的动态范围。根据实际测试结构，在10^-4 Lx光照下得到了良好的微光成像效果，同时动态范围可达15万倍。     

镶嵌红外传感器

本专利叙述一种镶嵌红外传感器,这种器件适用于与时间有关的,具有实时视频接收的二维红外成象的直接传输,红外辐射体非扫描跟踪及热成象(无损测试)。像光导摄像管、电荷耦合器件(CCD)、电荷注入器件(CID)及分立引线的普通阵列这样一些器件已经使用在上述场合。然而,这些器件对有些应用特别是红外应用存在一     

固体成象

在廿一届照相光学仪表工程师年会上,美国圣巴巴拉研究中心的科技人员在固体成象小组会上估计,用硅电荷耦合器件作信号处理的两维混合式红外电荷耦合成象器件可     

天文用CCD摄象机

美航宇局发展的400×400(160000)硅电荷耦合器件固态电视摄象机已装在亚利桑那大学莱蒙斯山天文台,由于CCD具有微光特性,使摄象机的灵敏度增加200倍,这样     

电荷耦合器件的调制传递函数

提出了一种计算电荷耦合器件(CCD)的调制传递函数的方法。分析中既考虑了 CCD 器件的时间和空间变化特性,也考虑了在扫描期间输入图象以恒定速度运动的情况。用导出的模型说明了 CCD 成象系统的静态 MTF 和动态 MTF。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第一部分)

本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。     

CCD电荷转换因子通用测试方法研究

通过分析电荷耦合器件(CCD)图像传感器光电转换、电荷转移、电荷输出的工作原理,提出了一种通用高效的电荷转换因子(CVF)测试方法。该方法采用在CCD感光区域施加直流偏压,水平区施加连续转移的驱动时序的方式,使CCD光敏区以电荷溢出方式往水平区转移电荷,水平区以固定频率不间断转移输出电荷包,从而让CCD输出强度恒定的响应信号;然后通过复位漏电流与输出信号强度的对应关系计算出CCD器件的CVF值。根据该方法的原理设计了一种适应各种CCD器件的通用测试装置,并对多款CCD进行测试验证。结果表明,该方法有效提高了CCD电荷转换因子的测试效率、测试精度和稳定性。     

微光视频器件及其技术的进展

微光夜视技术作为当今拓展人眼夜间视觉感知的主要技术之一,在军事和民用领域都有广泛的应用。随着数字图像处理技术的发展,微光视频器件为通过图像处理进一步提升夜视图像质量,为与红外热成像的图像信息融合,为提高夜间对目标探测/识别和场景理解能力等方面提供了广泛空间,成为当前国内外夜视技术发展的重要方向之一。论文综述了微光视频器件发展,分析了电真空+固体微光视频成像器件(如像增强CCD/CMOS(ICCD/ICMOS)器件、电子轰击EBCCD/EBCMOS器件等)、全固体微光视频成像器件(如电子倍增CCD器件、超低照度CMOS器件等)的特点和发展趋势,并结合法国PHOTONIS公司的LYNX计划,对微光夜视技术的发展进行了分析和讨论。     

线阵电荷耦合摄象器件

线阵电荷耦合摄象器件是一维固体摄象器件。用户可根据自己的需要,选用本系列产品中,不同分辨单元数的GZ型线阵CCD。本系列产品在军事和民用领域都有广泛的用途。在遥感技术和微光夜视技术方面,作为图象传感器,线阵CCD已获得广泛的应用。另外,线阵CCD也适用于低速扫描电视传真、     

具有雪崩二极管输出结构的CCD

电荷耦合器件(CCD)基本性质的许多应用是探测最小电荷量。特殊电荷注入法和埋沟的采用、最佳时钟频率的选择、相关双取样的应用(DCS)等等能降低CCD寄存器中的噪声。这样,寄存器输出放大器中的噪声就成了决定因素,它主要是由与CCD同片的FET沟道热噪声引起的电动势决定的。使用这种晶体管的放大器可提供探测50—100个电子。通过使用分布浮置栅放大器(FGDA)能减少这种噪声的影响,这里由于使用n个平行级,能增加信/噪比n~(1/2)。使用FGDA可检测出非常小的电荷(10—20     

液相外延碲镉汞红外探测器发展概况

一、引言七十年代初,硅电荷耦合器件(Si—CCD)研制成功,引起了人们的极大兴趣,Si—CCD已成功地被用于可见光成象。为了满足高级红外系统的需要,红外探测器的研制者自然会想到把CCD的概念用于红外探测器的研究上。为此,进行了广泛的研究。目前已有两种类型的红外电荷耦合器件取得了进展。这两种红外CCD是单片式和混合式。混合式红外CCD已接近解决系统应用中所提出的问题,单片式除研究掺杂型红外CCD外,人们正对工作温度比较高的     

热释电探测器与CCD混和焦平面:直接电荷注入的分析和设计

近来注意力已集中到大热释电阵列的固体读出问题,特别是集中到两维热释电阵列与硅电荷耦合器件(CCD)的接口问题。本文给出了电热接口的理论分析,确定一种适宜于设计的临界设计参量并推导这一设计的信号和噪声性能。预料噪声等效温度差(NETD)在0.5℃范围内。对常规CCD作了实验测量来证实本文的分析,     

新型传感器讲座 第六讲 线列电荷耦合图像传感器(上)

电荷耦合图像传感器是一种能将光学图像转换成模拟电信号的固体光电转换器件。电荷耦合图像传感器是在1970年电荷耦合器件(CCD)发明之后发展起来的新器件。十余年来,它的发展十分迅速,不仅像元数不断增加,例如线列已有5000像元,而且性能也逐步提高,如转移效率已达99.999％以上,噪声可小于10个电子/像元,灵敏度已超过光导摄像管。近年来用于电视摄像的单片彩色电荷耦合图像传感器已得到广泛的重视,并取得了很大的发展,目前已开始进入民用市场。用于红外波段、X射线波段和电子束探测的电荷耦合图像传感器也都试制成功,并开始在实验中应用。     

新型CCD设计对成象技术的挑战

新型ＣＣＤ设计对成象技术的挑战由于更多资金投入光电子器件的设计和制造，这些器件的复杂性和功能正迅速增长。科研用电荷耦合器件（ＣＣＤ）更是如此。随着器件灵敏度的提高和输出噪声的降低，它们正打入成象应用市场，直至最近，ＣＣＤ器件还难以适应这种应用。传统情...     

基于EMCCD和CMOS的天基微光成像

电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)利用电荷雪崩机制可以实现低于1e-的读出噪声,适用于微光成像。随着背照式CMOS成像探测器技术的发展,具有高量子效率和低于1.5e-读出噪声的CMOS成像探测器已中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研制成功。针对天基微光成像的需求,分别构建了基于EMCCD CCD201的天基微光相机和基于CMOS的天基微光相机,并建立了系统的噪声模型。对基于EMCCD的天基微光相机和基于CMOS的天基微光相机的微光探测性能和工作机理进行了对比分析。分析结果表明:当采用凝视成像模式,积分时间为2 s,相机入瞳辐亮度为10-9 Wcm-2sr-1m-1时,基于EMCCD的天基微光相机在焦面温度为20℃的条件下的信噪比为23.78,相同条件下基于CMOS的天基微光相机的信噪比为27.42。当采用制冷系统将焦面温度降低至-20℃时,基于EMCCD的天基微光相机的信噪比提高到27.533,而基于CMOS的天基微光相机的信噪比提高到27.79。     

CCD摄象器件[12]——图象传感器的特性

电荷耦合器件(CCD),作为固体图象传感器,已开拓了从强日光照直到低光强下应用的广阔应用领域。本文主要介绍CCD图象传感器的有关特性。一、分辨率图象传感器的重要特性是分辨率。如前所述,分辨率可用器件的调制转移函数(MTF)