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针对光电倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)批量测试实际需求和单光电子谱精确测试光源的要求,通过对光电倍增管性能测试系统进行分析,设计制造了一种多通道输出可调的脉冲信号发生器的控制板,可用于光电倍增管单光电子谱的性能测试。该脉冲信号发生器在上升时间、下降时间等参数性能方面优于目前测试系统采用的商用信号源RIGOO-DG5352 350 MHz。用此脉冲信号发生器对光电倍增管进行单光电子测试,其输出信号能满足单光子测试的基本要求,利用其多路信号输出的特点,通过性能扩展即可用于光电倍增管的批量测试。 相似文献
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光电倍增管(PMT)单光电子谱测试中触发方式的对比研究对PMT性能刻度具有很强的指导意义。通过搭建自触发、同步触发、异步触发三套测试系统,对比研究不同触发方式对PMT性能刻度的影响。实验结果表明:自触发只可用于初步性能刻度;而异步触发在信号触发频率小于触发门采样频率时,得到多光电子谱,刻度结果远偏离实际值;同步触发方式能更可靠地刻度出更多更精确的PMT参数,是PMT性能刻度的最佳触发方式。 相似文献
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光电倍增管的光电子幅度谱测试研究 总被引:2,自引:1,他引:1
主要介绍光电倍增管的光电子幅度谱(单光电子及多光电子幅度谱)的几种常用的测试方法及用LED光源、EMI的光电倍增管精密测得的单光电子及多光电子谱。同时也介绍了用LED光源测得的单光电子幅度谱及用热发射法测得的暗电流谱的差异,并分析了两种方法测得的幅度谱的差异的主要根源。 相似文献
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在常规光电器件性能研究中,测试光电倍增管(Photomultiplier Tube,PMT)的单光电子谱(Single Photoelectron Spectra,SPE)系统一般是采用基于VME和NIM机箱的电荷数字转换器(Charge-to-DigitalConverter,QDC)和时间数字转换器(Time-to-Digital-Converter,TDC)电子学插件等,而测试硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPMT)的系统则倾向于使用基于快速模数转换器(Flash-Analog-to-Digital-Converter,FADC)的便携式桌面机电子学。本文基于相同型号的20吋PMT和SiPMT对比测试,通过比较PMT的性能参数(增益、峰谷比、相对探测效率和能量分辨率等)测试结果,从硬件配置和软件分析等方面深入比较两套数据获取系统的异同,明确使用FADC的一些必要操作过程和数据分析方法。实验结果表明:便携式的FADC系统,可以和基于VME机箱的QDC系统一样,可实现对PMT工作于脉冲模式的阳极信号精确测试,但性能各有优劣。 相似文献
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环形正负电子对撞机(CEPC)电磁量能器(ECAL)原型机的探测单元采用硅光电倍增管(SiPM)作为光电转换器件。由于SiPM具有温度依赖性强和响应速度快的特点,需监测电路产生与SiPM响应速度相匹配的脉冲光激发SiPM,对其增益和动态范围进行监测。本文根据模拟仿真结果,设计了基于双NMOS的驱动电路和相应的控制电路,该电路驱动发光二极管(LED)发射纳秒级窄脉冲光,且强度可调。利用光电倍增管(PMT)测得单路LED发光时域特性,脉冲时间宽度约为10 ns。在CEPC ECAL电子学联测中,SiPM监测电路正常工作,批量测得ECAL原型机中SiPM的增益指标,满足原型机的自检需求。 相似文献
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《原子能科学技术》2020,(6)
环形正负电子对撞机(CEPC)电磁量能器(ECAL)原型机的探测单元采用硅光电倍增管(SiPM)作为光电转换器件。由于SiPM具有温度依赖性强和响应速度快的特点,需监测电路产生与SiPM响应速度相匹配的脉冲光激发SiPM,对其增益和动态范围进行监测。本文根据模拟仿真结果,设计了基于双NMOS的驱动电路和相应的控制电路,该电路驱动发光二极管(LED)发射纳秒级窄脉冲光,且强度可调。利用光电倍增管(PMT)测得单路LED发光时域特性,脉冲时间宽度约为10 ns。在CEPC ECAL电子学联测中,SiPM监测电路正常工作,批量测得ECAL原型机中SiPM的增益指标,满足原型机的自检需求。 相似文献
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封世琴 《核电子学与探测技术》1992,12(3):183-187
光电倍增管(以下简称PMT)在γ相机中的作用是将闪烁点的光脉冲转换成电脉冲, 并提供闪烁点的位置坐标和能量信号。 γ相机的主要性能指标有:均匀性、线性、分辨率和灵敏度,其中均匀性极易发生变化,在日常使用维护中要定期检查调整。 光电倍增管的参数变化对固有均匀性影响很大,因此,了解γ相机中PMT参数特点及其对固有均匀性的影响很有必要。 相似文献
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采用与单光电子相比较的方法测量了国产GSO晶体样品的光电子产额,结果表明,GSO样品的光电子产额及能量分辨率与闪烁体在光电倍增管光阴极面上的放置方式有关,在较好条件下,被测GSO晶体的光电子产额可到2013phe/MeV,对137Cs 661.6keV光峰的能量分辩为FWHM=10.1%. 相似文献
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光电器件门控技术是辐射脉冲选择测量的关键技术之一.本文主要讨论电流型光电倍增管的控制方法,研究了光电子通路门控电路,设计了模拟实验装置,给出了电流型门控倍增管性能的实验测量结果;开关延迟时间300ns,上升时间1200ns,总开关时间1500ns,消光比1000:1. 相似文献
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用单光电子法测试快光电倍增管的时间分辨特性 总被引:1,自引:0,他引:1
楼滨乔 《核电子学与探测技术》1987,(5)
本文叙述用单光电子法测试快光电倍增管时间分辨的装置和结果。本装置的电子学系统时间分辨小于25ps/道,系统标定值为13.645ps/道。RCA8575的T_(FWHM)为37—56ps,GDB50的T_(FWHM)为35—70ps。 相似文献
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文章针对在核聚变实验中,激光散射诊断技术的多道脉冲光电接收系统的标准,介绍了光电倍增管的几个有关重要性能的检测方法。这些实验包括光电信号的线性、响应速度、光谱响应,增益随电源电压的变化以及绝对灵敏度的校准。对于使用各种光电倍增管来进行定量测量的工作,本实验方法具有一定的普遍性。 相似文献
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微秒级宽脉冲信号下能输出大于1.5 A线性电流的光电倍增管 总被引:8,自引:0,他引:8
测量了CHφT3型光电倍增管配上ST401塑料闪烁体,在波形半宽度约2400ns脉冲光源照射下的电流输出情况,还提供了该光电倍增管与对中子相对不灵敏的晶体CeF3组成探测器应用于宽脉冲γ辐射源测量得到的电流输出情况。结果表明,CHφT3型光电倍增管其饱和电流输出大于3.5A,最大线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种在微秒级宽脉冲信号下都可以输出大于1.5A线性电流的大电流光电倍增管,是在大动态范围脉冲测量中,使用多探测器量程衔接时降低不确定度的一种可选方法。 相似文献
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光电倍增管的噪声模型 总被引:5,自引:0,他引:5
光电倍增管作为一个高灵敏的检测器.能够在来自阴极的单个光电子脉冲这样低的检测水平下工作。也就是说.在一个给定的时间间隔里输出脉冲的计数提供了光子撞击光阴极速率的测量。在这种情况下.光电倍增管本身的噪声变得更加重要了。着重讨论了光电倍增管的噪声来源,噪声特征及噪声模型。 相似文献
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提出了一种采用微处理器控制的高压电源实现方法.该方案不但实现了电源输出电压的数字化控制,而且还通过MCU的智能化控制对电源的参数进行了有效的改善和补偿,提高了电源的性能.该电源可用于基于光电倍增管的放射性探测仪和其他相关光子探测等仪器中光电倍增管的供电. 相似文献
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分析了典型光电倍增管的电子束聚焦过程和射频电磁场对其干扰的机理,在此基础上利用脉冲光源和TEM小室设计了一套实验装置,开展了光电倍增管电磁辐射敏感性研究。在实验中通过观察光电倍增管计数率的变化,确定了其存在一个最敏感的干扰角度,找出了在此敏感角度下的干扰阈值和最易受干扰的频率点。最后对光电倍增管的两种电磁屏蔽措施进行了对比,给出了一种较为满意的设计方案,并应用于某型β射线探测器。 相似文献