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离子注入Cr、Y、Nb对γ-TiAl金属间化合物高温氧化性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用MEVVA离子源将Cr、Y、Nb离子分别注入γ -TiAl金属间化合物 ,注入能量 50—6 0keV ,注入剂量为 1× 10 17cm- 2 ,研究γ -TiAl在 10 0 0℃空气中的循环氧化行为。结果表明 ,Cr离子和Y离子注入对γ -TiAl的高温氧化性能均没有明显影响 ;Nb离子注入γ -TiAl,在氧化初期 ,抗氧化性能得到显著提高 ,但随着氧化过程的继续 (超过 10 0h) ,这种改善作用逐渐降低。实验发现 ,通过离子注入和基体合金化向γ -TiAl中加入相同元素 ,由于工艺过程的差异 ,对其高温氧化性能的影响不同。在长时间高温氧化 (10 0 0℃ )条件下 ,离子注入表面改性无法达到提高γ -TiAl抗氧化性能的目的 相似文献
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用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了GH903合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Cr+.Y+的能量均为60keV,注入的剂量分别由1x1017.cm-2(Cr+)、1x1015Cm-2(Y+)和[1x1015.cm-2(Y+)+1x1017·cm-2(Cr+)]。结束显示,注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少4.8%(注Cr+)、24.2%(注Y+)和32.3%(注Y++Cr+)。这表明合金氧化性能改善的作用机理主要是注入离子对样品浅表层内缺陷的填充与退火。同时,注入元素的化学性能和使样品表面更致密也起了重要作用。 相似文献
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钼离子注入对锆-4合金耐腐蚀性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
观察钼离子注入对锆-4合金在硫酸水溶液中耐腐蚀性的影响。使用MEVVA(Metalvaporvacuumarc)源对锆-4合金表面注入1×1016—1×1017cm-2剂量的钼离子,用X射线光电子能谱(XPS)分析其表面元素价态;用三次极化扫描评价其在1mol·L–1硫酸水溶液中的耐腐蚀性;并对三次极化后的样品进行扫描电镜(SEM)观察。实验表明,当钼离子注入剂量小于5×1016cm-2时,注入样品的耐腐蚀性显著增强。当钼离子注入剂量为1×1017cm-2时,注入样品的耐腐蚀性反而比未注入时差。讨论了钼离子注入锆-4合金后耐腐蚀性改变的原因。 相似文献
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用5.8MeV ^4He离子和3MeV质子背散射研究了强束流钇注入的H13钢的高温特性,由直接测定氧化层中氧原子面密度得知经钇离子注入后在800℃氧化45min条件下抗氧化能力提高了25倍,观察到了元素铬在注钇氧化层中的富集以及氧离子在氧化过程中的扩散与未注入时有明显的区别。 相似文献
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背散射分析钇离子注入H13钢的抗氧化特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用背散射技术测量了不同注入剂量和大束流密度的Y~+注入H_(13)钢的浓度分布,并研究了注入样品的抗氧化特性。结果表明,Y的浓度分布和峰值浓度的变化与注入剂量和束流密度密切相关。Y峰值浓度大小对抗氧化特性有直接的影响。Y~+注入钢改变了钢的氧化模式。氧的扩散受到控制。高温(800℃)氧化10min即可形成抗氧化的氧化皮。Y~+的注入可使氧化速率下降8倍。 相似文献
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用真空电子束焊接方法将Zr-4板对接焊后,焊缝的耐腐蚀性能很差,在400℃过热水蒸汽中腐蚀3—14天后,焊接熔化区的表面形成了白色的氧化膜。用电子探针研究了熔区中合金成分的变化和耐腐蚀性能间的关系,锆果表明:熔区中Sn、Fe和Cr合金元素的挥发损耗是造成耐腐蚀性能变差的主要原因,当采用合金成分高于Zr-4的锆合金板与Zr-4板对接焊后,可以补偿熔区中合金元素因挥发而造成的损耗,明显改善焊缝熔区的耐腐蚀性能;若在锆合金中添加0.4%—0.5%的Nb,使熔区中形成新的锆合金,特有益于改善焊缝的耐腐蚀性能.但焊接后的样品应在500—600℃进行退火处理,使添加Nb后形成的βZr分解为稳定的αZr βNb,以进一步改善焊缝的耐腐蚀性能。 相似文献
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研究了聚苯胺的离子注入掺杂对导电性的影响。用红外和紫外谱法探讨了聚苯胺的氧化态,本征态和还原态经离子注入后,其结构可能发生的变化。结果表明,聚苯胺的三种态的离子注入均为还原过程。讨论了离子注入掺杂的导电机制。 相似文献
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我所于1982年建立了以LC-2A型离子注入机为核心的离子注入实验室后,我们开展了离子注入在红外器件和电荷耦合器件中的应用研究及离子注入物理的研究。离子注入技术已成为我所半导体器件研制中的必不可少的工艺技术。离子注入物理的分析研究工作也获得某些结果。 相似文献
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介绍了中国科学院物理研究所离子束研究室的主要设备、分析方法、离子注入材料改性研究以及近年来在半导体材料、高Tc超导材料、环保等领域中的研究工作。 相似文献