基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。     

基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作, 目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作, 这不仅容易造成器件的损坏, 而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同, 文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统, 该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。     

用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.     

用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.     

压电器件阻抗测试系统的研制

基于压电器件的等效电路模型,利用导纳圆理论图测量压电器件阻抗特性参数及过零检测相位差测量原理,构建了一套完整的压电器件性能参数阻抗测试系统。通过单片机控制信号产生幅值固定、频率可变的正弦信号,经功率放大后驱动压电器件产生超声高频振动,并采集压电器件两端的电压、电流及相位差信号,通过串口传给上位机。上位机采用基于Labview人机交互界面,实现压电器件阻抗特性参数计算和图形显示。实验结果表明,本测试系统能测量压电器件各主要相关参数,并动态显示阻抗特性曲线,可用于压电器件的参数测试与性能评估。     

压电器件阻抗测试系统的研制

基于压电器件的等效电路模型,利用导纳圆理论图测量压电器件阻抗特性参数及过零检测相位差测量原理,构建了一套完整的压电器件性能参数阻抗测试系统。通过单片机控制信号产生幅值固定、频率可变的正弦信号,经功率放大后驱动压电器件产生超声高频振动,并采集压电器件两端的电压、电流及相位差信号,通过串口传给上位机。上位机采用基于Labview人机交互界面,实现压电器件阻抗特性参数计算和图形显示。实验结果表明,本测试系统能测量压电器件各主要相关参数,并动态显示阻抗特性曲线,可用于压电器件的参数测试与性能评估。     

基于脉冲式U-I 特性的高功率型LED 热学特性测试

热学特性是影响功率型LED光学和电学特性的主要因素之一,设计了一套基于脉冲式U-I特性的功率型LED热学特性测试系统,可以测试在不同结温下LED工作电流与正向电压的关系,从而获得LED的热学特性参数。该系统通过产生窄脉冲电流来驱动LED,对其峰值时的电压电流进行采样,同时控制和采集LED的热沉温度,从而获得不同温度下LED的U-I特性曲线。与其他U-I测试系统相比,文中采用了窄脉冲(1 s)工作电流,LED器件PN结区处于发热与散热的交替过程,不会造成大的热积累,大大提高了测量精度。实验中,对某功率型LED进行了测试,获得了该器件的电压、电流和结温特性曲线,并利用B样条建立该器件的U-I-T模型,进而实现了对其结温的实时在线检测。     

S400型测试系统

D400系列是为监控半导体器件及集成电路生产工艺而设计的程控参数测试系统。测试通过向被测器件提供程控的电流或电压,并测量相应的电压.电流或电容来实现。 S400使用680XX系列处理器控制基于VME总线的仪器和开关,S400的核心仪器是9110型电压电流源表(VIMS),可以实现电压源、电压表、电流源、电流表、或以上源表功能的任意组合。     

基于LabVIEW与PCI-1712L的变压器测试系统

本文介绍了变压器测试系统的软硬件结构及工作原理.采用研华公司的PCI-1712L数据采集卡与NI公司的LabVIEW完成对电流、电压信号的采集,软件滤波,频谱分析,实时显示以及数据打印和保存等功能.将C语言与LabVIEW结合起来完成对采集数据大小进行判断,通过串口与CPLD通信选择相应型号的电流、电压互感器,以提高系统的测量精度.     

基于Verigy 93000的GMH 92 LV 18全参数测试技术

以GMH 92 LV 18为研究对象,研究了其功能与全参数测试方法,重点研究并形成了与该器件相关的功能测试方法、异步信号处理技术、信号的稳定生成技术、程控动态负载测试技术和时间参数测试技术,并给出了在Verigy 93000测试系统上的实测波形图。对Verigy 93000测试系统上的器件测试、LVDS器件测试及高速信号测试均具有借鉴意义。     

905nm InGaAs脉冲激光二极管驱动电流特性分析与测试

为了实现高功率905nm InGaAs脉冲激光二极管激光脉冲宽度和峰值功率可调,采用现场可编辑门阵列产生触发脉冲、集成模块EL7104C作为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）驱动、以MOSFET为核心开关器件控制高压模块和储能电容之间充放电的方法,设计了脉冲激光二极管驱动电路,对驱动电流特性进行了理论分析和实验验证,取得了不同电容和高压条件下的电流脉宽和峰值数据,分析了具体变化关系,并以此进行了光谱和功率-电流特性测试。结果表明,影响驱动电流脉宽和峰值电流的关键因素是电容大小和充电高压,脉冲激光二极管驱动电流峰值在0A~40A、脉宽20ns~100ns时可控调节,脉冲激光二极管最大峰值功率输出可达40W,实现了脉冲式半导体激光器输出功率和脉冲宽度的可控调节。该设计与分析对近红外高功率脉冲激光器的可控驱动设计具有一定的实用参考意义。     

5kV重复频率高压脉冲电源设计

针对毛细管放电X线激光的研究中气体预电离对电源的要求,设计一种重复频率的高压脉冲电源。采用可调直流高压电源和储能电容器作为能源系统,利用固体开关作为主放电开关控制脉冲宽度和频率,最后通过脉冲变压器升压在负载上得到所需的电压脉冲。整个系统利用计算机和数据采集控制卡实现程控。实验结果表明5kV重复频率高压脉;中电源的最终输出脉冲电压范围为3-5kV可调：脉冲宽度范围为2-20μs可调：脉冲频率范围为1～200Hz可调;脉冲电流最大100A。     

A stable programming pulse generator for single power supply flashmemories

A stable programming pulse generator has been developed for single power supply, high-speed programming, and low-power flash memories. The newly developed delay circuit operates by amplifying the difference between the reference voltage and the capacitor voltage raised by the charging current which is proportional to the reference voltage. Linearity between the capacitor voltage swing and the driving current enables us to make the delay circuit supply voltage-, temperature-, and process-tolerant. Thus, the proposed delay circuit stably controls a programming pulse width through all operational ranges of supply voltage and temperature. The output frequency of the newly developed oscillator is inversely proportional to the supply voltage. This oscillator stably drives charge pump circuits which generate high programming voltages on chip since dependence of charge pump characteristics on frequency and supply voltage can be cancelled. As a result, the programming pulse generator including the delay circuit and the oscillator has reduced the total programming time under the slowest condition, i.e., high temperature and low voltage condition, by 30% and the power consumption under the fastest condition, i.e., low temperature and high voltage condition, by 20%, for a 3.3 V-only flash memory     

应用网络分析法分析正比计数管输出电压

研究了将正比计数管等效为电流源后,应用时域分析中常用的卷积积分的方法,分析含正比计数管的网络的输出电压.此法不但有利于通过网络分析的概念理解这一物理过程,而且便于计算正比计数管的输出电压或电流.所得的输出电压的表达式与应用其他方法所得出的结果相同,因此可根据输出电压的波形与电路时间常数的关系,选择时间常数以确定输出脉冲宽度,使正比计数管适用于不同的计数率.     

Dynamic and steady state analysis of a three phase buck rectifier

Current source rectifiers among other alternatives, offer several advantages over line commutated rectifiers. Advantages include displacement power factor control and reduced line current harmonic distortion. This paper analyzes the current source rectifier (CSR) in transient and steady state, the models are developed in a synchronous reference frame. The load behavior is characterized for two load conditions, resistive load or, in general, increasing current for increasing voltage, and constant output power, decreasing output current for increasing voltage. Constant power operation can occur for a converter system supplying a pulse width modulation (PWM) inverter with high dynamics. Several static converter characteristics such as power factor, real and reactive power are analyzed for both types of load. Transient characteristics are analyzed for both types of load by exact small-signal model with full set of equations     

自由电子激光器的一些改进方案

自由电子激光器(FEL)能否充分发挥其优异特性而走向实用,最终将取决于器件能否小型化.作者对现有喇曼自由电子激光器的控制系统及加速器部分进行了改进,使其体积大为减小,并对小型化FEL的设想进行了总体布局.     

Characteristics of chalcogenide nonvolatile memory nano-cell-element based on Sb2Te3 material

Phase-change nonvolatile memory cell elements composed of Sb₂Te₃ chalcogenide have been fabricated by using the focused ion beam method. The contact size between the Sb₂Te₃ phase change film and electrode film in the cell element is 2826 nm² (diameter: 60 nm). The thickness of the Sb₂Te₃ chalcogenide film is 40 nm. The threshold switching current of about 0.1 mA was obtained. A RESET pulse width as short as 5 ns and the SET pulse width as short as 22 ns for Sb₂Te₃ chalcogenide can be obtained. At least 1000 cycle times with a RESET/SET resistance ratio >30 times is achieved for Sb₂Te₃ chalcogenide C-RAM cell element.     

MOS器件的超短脉冲激光辐照效应

电荷耦合器件(CCD)的高敏感性使其易受到激光脉冲的干扰甚至损伤.在理论分析了影响MOS结构光生电荷量因素的基础上,数值仿真了MOS器件的光生电荷量以及响应电压和电流随激光脉宽和平均功率变化的关系;实验研究了CCD对不同参数激光脉冲的光电响应特性.数值仿真表明,MOS器件的光生电荷量以及峰值响应电压和电流随激光脉冲的平均功率和脉宽的增大而增大,并且响应电压和电流有拖尾现象.实验结果显示,脉冲越短,CCD的响应阈值越低.研究结论对超短脉冲激光在光电成像方面的应用具有一定的意义.     

Avalanche InP/InGaAs heterojunction phototransistor

We report on the characteristics of an avalanche InP/InGaAs heterojunction phototransistor. Below the turnover voltage, the gain is bias dependent and avalanching can be used to achieve significant (sim5times) improvement in the gain-bandwidth product. The noise current in this bias region has been measured and is shown to be predominantly shot noise of the photocurrent and the leakage current. Above the turnover voltage, negative resistance is observed and extremely high gains (>10⁴) are achieved. In this mode, the pulse response is a narrow spike (rise time ≃ 20 ns) whose width is independent of the width of the incident optical pulse.     

基于TL494的微型车载逆变器设计

针对汽车内部直流电源不能用于交流用电器的问题,设计了一款基于脉宽调制芯片TL494的微型车载逆变器。该逆变器采用DC-DC变换和DC-AC逆变两级结构,前级完成直流升压,后级选择脉宽调制（PWM）控制方式,将直流电压逆变为220V/50Hz的方波交流电。其中,DC-DC变换器先通过推挽逆变电路和高频变压器将12V变换为22V交变方波,再经快恢复二极管整流得到22V直流电。另外,该逆变器提供了一个标准USB接口,可以为具有USB接口的手机等设备充电。