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烧结工艺对B2O3掺杂Ba1-xSrxTiO3梯度陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了烧结温度及升温速率对氧化硼(B2O3)掺杂钛酸锶钡梯度陶瓷(Ba1-xSrxTiO3,x=0~0.4,步长0.02)的致密化、晶粒尺寸及介电性能的影响.结果表明,随着烧结温度的升高,在氧化硼挥发的同时致密化程度提高,从而居里峰提高且变得尖锐;随着氧化硼含量的增加,晶粒尺寸均匀长大、介电常数和介电损耗都增加;升温速率适中时,掺杂物的挥发、致密化进程及晶粒长大同步完成,梯度陶瓷介电性能才有效提高.此外,钛酸锶钡梯度陶瓷掺杂适量氧化硼明显降低烧结温度,比未掺杂相同成分的陶瓷烧结温度至少降低150℃,且介电损耗明显减小;梯度陶瓷的居里峰温度区间显著展宽,大大降低了该温区的介温系数,可望提高该系列陶瓷元器件精度及稳定性. 相似文献
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采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD,SEM和EDS分别对样品的相结构,形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高,而Pb含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响,铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一,同时探讨Y^3 离子掺杂(Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。 相似文献
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Na1/2Bi1/2TiO3-BaTiO3系陶瓷压电性及弛豫相变研究 总被引:29,自引:1,他引:29
系统研究了(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBaTiO3(x=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能、驰豫特性及相变。这个系统的陶瓷材料具有Kt/Kp较大,频率常数比较高等特点,X-ray衍射结构分析发现此系统的相界在0.04〈x〈0.06之间;材料的一些主要性能在相界附近达到极值。利用介电系数-温度曲线,并结合热激电流曲线对此系统的驰豫性进 相似文献
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为了探索利用EPR谱线对PTCR陶瓷相变及PTC效应的机制研究的可能性,本文对掺Mn的BaTiO3基正温度系数热敏电阻(简称PTCR)陶瓷在120-450K温度范围内的电子顺磁共振谱进行了研究。得于了Mn^2 离子EPR信号强度、g因子值和超精细耦合常数|A|值的温度分布,发现EPR参数与PTCR陶瓷相变有明显的对应关系,并给出微观结构上的初步解释。研究表明EPR谱线以及精细结构的分析可以为PTCR陶瓷的相变机制以及上的初步解释。研究表明EPR谱线以及精细结构的分析可以为PTCR陶瓷的相变机制以及PTC效应的机制研究提供新的途径。 相似文献
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以硝酸钡、硝酸锶、钛酸四丁脂、硝酸铜、硝酸镧以及氨水为原料,利用柠檬酸一硝酸盐燃烧法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、1mol%Cu^2 掺杂BST、1mol%La^3 掺杂BST,以及0.5mol%Cu^2 和0.5mol%La^3 共掺杂BST粉末.利用脉冲电流(简称PECS)烧结设备烧结所制备的粉体,结果发现掺杂可以大大改善BST陶瓷晶粒大小的均匀性.介电性能测试结果表明1mol%Cu^2 掺杂不仅降低了BST的介电损耗,同时也降低了介电常数,而1mol%La^3 掺杂,以及0.5mol%Cu^2 和0.5mol%La^3 共掺杂降低了BST的介电损耗,但在25℃附近介电常数升高. 相似文献
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化学法制备的(Sr,Pb)TiO3基PTCR陶瓷 总被引:6,自引:1,他引:5
通过化学工艺制备(Sr,Pb)TiO3半导体陶瓷,首次获得了与BaTiO3陶瓷相类似的典型PTC特性,样品耐压强度大,室温电阻率低于10^2Ω.cm,升阻比高达10^6.33,烧结温度可以降低至1100℃以下。 相似文献
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钛酸钡陶瓷晶界结构、偏析与性能 总被引:6,自引:0,他引:6
本文根据国内外近年来BaTiO3陶瓷界结构及晶界偏析的研究成果,总结了BaTiO3陶瓷中存在的晶界偏析现象,分析了产生晶界偏析的主要因素,以及晶界偏析对BaTiO3陶瓷电性能的影响,指出了BaTiO3陶瓷晶界结构与晶界偏析研究中还存在的问题及今后的发展趋势。 相似文献
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氧化钇部分稳定的氧化锆(YSZ)涂层是应用广泛的热障涂层材料。为了更好地研究各种因素对热障涂层热导率的影响, 使用压制烧结的方法制备基本致密的氧化锆陶瓷, 研究相组成和晶粒大小对热导率的定量影响。在不同的烧成制度下制备出不同晶粒大小的氧化锆陶瓷。用电子背散射衍射(EBSD)图像研究氧化锆陶瓷材料的相组成以及晶界的分布情况。综合有限元模拟的方法以及傅立叶传导方程, 计算出四方相和晶界的热导率分别为2.65 W/(m·K)和1.54 W/(m·K)。研究表明, 四方相的热导率比氧化锆陶瓷的热导率高, 而晶界的热导率比氧化锆陶瓷的低。 相似文献
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本文通过扫描电镜(SEM)观察断口形貌和高分辨电镜(HREM)观察晶界形貌,研究了锆英石陶瓷的晶界特性对其高温力学性能的影响.结果表明:锆英石陶瓷中两晶粒间的晶界上未观察到玻璃相存在,而在三晶界交汇处则发现少量玻璃相,引起锆英石陶瓷在高温下力学性能下降.与此同时,断裂方式也从常温下的穿晶断裂转变成为高温条件下的沿晶断裂. 相似文献
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晶界相对氮化硅陶瓷性能有重要作用,研究晶界相的性能对断裂韧性、高温强度的提高有重要意义。介绍了氮化硅陶瓷的显微结构、性能和应用,重点评述了氮化硅陶瓷晶界相的形成、特点、影响因素以及晶界相对力学性能和摩擦磨损性能的影响。提出了当前研究中存在的问题,并展望了未来氮化硅的研究方向。 相似文献
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