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采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。本文重点分析了不同溅射条件如氧分压、基片种类、基片温度下制备的薄膜光学性能,通过比较,得到制备0.6328μm和1.55μm窗口下光波导器件用玻璃薄膜所需溅射条件。 相似文献
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采用磁控射频溅射法制备了用作光波导器件的玻璃薄膜。通过选取不同的溅射材料,顺不同溅射条件下制备的玻璃薄膜的光学参数进行的测量、比较,并对其作为光波导的性能进行研究,通过理论上推导与计算,得出了在1.55μm窗口下制备光小导器件的玻璃薄膜所应具备的溅射条件。 相似文献
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采用磁控射频溅射法制备了用作光波导器件的玻璃薄膜。通过选取不同的溅射材料,在不同溅射条件下制备的玻璃薄膜的光学参数进行的测量、比较,并对其作为光波导的性能进行研究,通过理论上推导与计算,得出了在1,55um窗口下制备光波导器件的玻璃薄膜所应具备的溅射条件。 相似文献
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溅射Ta薄膜的内应力 总被引:3,自引:0,他引:3
本文应用磁控直流溅射方式制备厚度从0.1μm~0.25μm的Ta薄膜,通过改变溅射功率、基片的交流偏压和不同的基片,测定Ta薄膜的内应力。研究结果表明:在通常的溅射条件下,Ta溅射膜的内应力为压应力;随着溅射功率的提高,其内应力逐步增大;当基片偏压升高,内应力也呈上升的趋势,但其对内应力的影响大于溅射功率的改变。不同的基片对Ta膜内应力的大小也有一定的影响。 相似文献
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陶永祥 《激光与光电子学进展》1985,22(4):48
铁电溅射膜可能在集成光学领域内得到应用,尽管大多数波导作用元件以单晶结构为基础。众所周知,多晶体或陶瓷材料有明显的电-光效应。溅射薄膜很容易制备,并可淀积在便宜的玻璃或石英基板上。遗憾的是由于晶体边界的散射,溅射薄膜的多晶性质会产生损耗。现在正在寻找减少这种损耗的制备条件。 相似文献
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用高淀积速率R.F.平面磁控溅射已制备出具有极好结晶取向和表面平整度的ZnO压电薄膜.通过X-射线衍射,扫描电子显微镜,反射式电子衍射,光测量和机电测量对这些薄膜进行了详细的研究.薄膜c-轴垂直于基片.c-轴取向的标准偏离角σ小于0.5°,σ的最小值为0.35°,溅射条件为气压5×10~(-3)毛-3×10~(-2)毛(予先混合好的Ar50% O_250%),基片温度300—350℃.厚度达48微米的ZnO薄膜已重复制得,膜的质量和平整度没有下降.这些薄膜表面的平整度类似于玻璃基片.对He-Ne6328埃线TE_0模来说,4.2微米厚薄膜的光波导损耗低至2.0分贝/厘米,溅射后不需要处理.在叉指换能器(IDT)/ZnO/玻璃和ZnO/IDT/玻璃结构两种情况下,有效表面波耦合系数大于ZnO/玻璃结构理论值的95%. 相似文献
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以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VOx
薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VOx薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射
气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8∶25时,
经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VOx
薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8∶25时,单晶硅片上制得的VOx薄膜的质量和性能最好。 相似文献
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用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电性能研究 总被引:2,自引:2,他引:0
用直流磁控溅射法将ITO薄膜制备在玻璃基片上以作为太阳电池的透明电极。通过改变溅射功率、基片温度和工作气压来研究它们对所沉积的ITO薄膜的透过率和电导率的影响。实验结果表明:当溅射功率从30W增加到90W时,薄膜的透过率和电阻率都将减小;当基片温度从25℃ 增加到 150℃时,透过率稍微有点增大但电阻率减小;当工作气压从0.4Pa 增大到2.0Pa时,透过率减小,但电阻率增大。因此,在溅射功率为30W、基片温度为150℃、工作气压为0.4Pa 时,ITO薄膜有比较好的光电性能,其电阻率小于10-4 Ω•cm ,在可见光波段的透过率大于80%,适合于作为太阳电池的透明电极。 相似文献