微电子技术的发展现状与展望

本文分析了微电子技术的发展状况,尤其对集成电路的加工和设计作了较为深入的考察。对本世纪末微电子技术各个领域的发展前景进行了展望。同时,对如何发展我国的微电子技术提出了一些意见和建议。     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

1996年展望硅微电子技术发展趋势

从硅微电子技术构图出发，在器件及其结构、工艺技术、集成电路各方面阐述了硅微电子技术在未来１５年内的发展趋势，并分析了它的发展极限及未来。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展，在介绍场发射阵列ＦＥＡ，场发射显示器ＦＥＤ，真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中，重点叙述了有关器件对ＦＥＡ的特殊要求，可能的解决办法和存在的问题，并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义；最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题。     

微电子封装技术的进展

微电子器件首先应封装和组装成子系统。封装与组装技术已成为制约高性能电子系统的关键之一，并不断寻找新工艺、新技术。本文介绍了其总体发展概况、并对芯片封装，电路板丝装与多芯片组件封装等三种基本类型进行阐述。     

真空微电子技术的新进展

本文详实介绍了真空微电子技术最近几年的发展动向并对其在若干领域的应用前景作了分析与讨论.     

微电子技术进步与微电子技术课程的教学改革

本文根据微电子技术发展的现状和方向,对微电子技术的教学改革课题进行了讨论,提出了分阶段和分层次微电子技术教学系统的设想,其中贯穿着与相关学科理论和技术整体配套的思想,希望能对微电子技术学科的教学改革工作有所帮助。     

混合微电子技术

本报告从市场前景及技术趋势出发，预测本世纪末国外混合微电子技术可望达到的水平，从半导体ＩＣ技术、混合集成技术、垂直集成技术的相互影响了发明混合微电子技术的某些走向及关键技术；从国内混合微电子技术的现状、与国际水平的差距以及工业食物链原则出发，预测我国混合微电子技术应当达到的水平，建议拟应采取的几项对策。     

微电子技术新领域

微电子技术新领域陈克金,邵凯（南京电子器件研究所,南京,２１００１６）（一）微电子机械系统１引言微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的技术目标是把微机械和集成电路融为一体,将电子系统与外部世界联系起来。它不仅可以感受运动、光、声、热、磁等自然界的外部信号,将这...     

真空微电子技术

本文简要介绍真空微电子管的优越性及近两年来的水平,建议我们今后应做的几项工作。     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。     

真空微电子器件

最近两年里,微电子器件家族增添了一个新成员,它是半导体技术与真空技术相结合的产物,这就是真空微电子器件或真空半导体器件.由于它具有明显的优点和潜在的应用领域,特别是它采用类似于集成电路工艺就可以制造出来,引起了美国、法国和苏联等国家的注意,并且积极地进行着这种新型器件的研究.1986年12月美国宣布制成了第一支真空FET.     

光学光刻在军事微电子器件制造中的作用和地位

<正> 光学微细加工技术或称光学技术,是促成集成电路微电子器件的诞生与不断进步的主要微细加工手段。无论是过去还是现在,国外始终都对光学光刻技术设备的发展寄予极大希望与重视,而且在当前通用和军用微电子器件研制、生产中,光学光刻也一直起     

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．