施密特电路的时序特征及门级设计

该文根据施密特电路对输入信号具有两种检测阈值的工作特点,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征。利用时序电路的设计方法,本文系统地研究了基于集成门电路的各种施密特电路,并发现了一些新的设计方案。PSPICE模拟证明所设计的电路具有理想的施密特电路特性。     

基于时序特征的三值施密特电路设计原理

本文分析了三值施密特电路工作过程中的时序特征,并利用时序电路的设计方法,提出三值施密特电路的设计方案,ＰＳＰＩＣＥ模拟证明了所设计的电路具有正确的施密特电路特性。     

三值电压型CMOS施密特电路研究

首先对二值ＣＭＯＳ施密特电路的设计思想进行了分析,指出设计施密特电路的关键为阈值控制电路。根据三值ＣＭＯＳ电路有两个信号检测阈的特点,提出了通过文字电路将两个检测阈分离后进行分别控制并由文字电路的输出去控制ＣＭＯＳ传输门的设计方法,由此设计了三值ＣＭＯＳ施密特反相器。ＰＳＰＩＣＥ模拟证明了所设计的电路具有理想的施密特电路功能     

CMOS触发器的一种传输函数分析法

触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件。利用开关级设计的CMOS传输函数理论和信号流图,讨论了CMOS主从D触发器的工作原理;提出了CMOS触发器的一种传输函数分析法,并给出了应用实例。可以看出,这种方法对于CMOS触发器电路分析和设计是有效且方便的。     

基于开关信号理论的控阈技术与三值ECL施密特电路

基于开关信号理论，本文对ＥＣＬ电路中的阈值控制进行了研究，建立了用于描述旋密特电路中阈值可控开关工作过程听数学表示式。在此基础上设计了具有二次跳阈反应的三值ＥＣＬ旋密特电路。对所设计电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟表明它具有理想的施密特电路特性。     

基于开关信号理论的电流型CMOS多值施密特电路设计

以开关信号理论为指导,建立了描述电流型CMOS多值施密特电路中阈值控制电路的电流传输开关运算.在此基础上,提出了新的电流型CMOS三值和四值施密特触发器设计.所设计的电路可提供多值电流和电压输出信号,回差电流的大小只需通过改变MOS管的尺寸比来调节.所提出的电路较之以往设计具有结构简单,回差值调整容易以及可在较低电压下工作等特点.采用TSMC 0.25 μ m CMOS工艺参数和1.5V电压的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的有效性和电路所具有的理想回差特性.     

对称三值电流型CMOS施密特电路

本文根据对称传输电流开关理论,设计了可具有多个输出的对称三值电流型CMOS施密特反相器。计算机模拟结果表明,它具有理想的施密特特性,并可根据需要调整回差。     

减小CMOS电路同步开关噪声的设计方法探讨

随着集成电路的快速发展，同步开关噪声对系统电学性能的影响越来越大。本文介绍了一种减少同步开关噪声的设计方法，即基于对同步开关噪声简化模型的分析，采取先去除直通电流再降低输出级的电压变化率方法减小同步开关噪声，并通过时序控制逻辑电路和可控电压变化率电路来实现。     

基于开关信号理论的电流控阈技术及I^2L施密特电路

本文在开关－信号理论的指导下，采用电流信号表示逻辑值，对Ｉ＾２Ｌ电路中如何实现阈值控制进行了研究，在此基础上，提出了实现阈值控制电路的接地开关运算表示式，并用于设计相应的三值Ｉ＾２Ｌ施密持反相器电路，用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟证明了所设计的电路具有理想的施密特电路特性。     

静态存储单元电路设计工艺的研究

论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。     

CMOS Schmitt触发器的设计与模拟

分析了普遍的六管CMOS Schmitt触发器管子宽长比设计公式,从触发器的工作原理出发指出了其不尽合理之处。根据I.M.Fianosky提出的触发器实际的阈值电平理论,考虑M2和M5两管对阈值电平的影响,提出了新的CMOSSchmitt触发器宽长比设计公式。举例说明了在一定的设计考虑和工艺条件下如何利用这一公式进行设计。     

开关——信号理论与数字电路的开关级设计

本文在分析数字电路的传统设计理论中存在问题的基础上，提出了使用开关变量与信号变量来分别描写数字电路内部元件的开关状态与电路信号等二者，并由此出发建立了开关——信号理论。根据具体数字电路内部的工作原理，本文分别对CMOS与ECL等二种电路进行了讨论．并发展了相应的开关级设计技术。设计实例表明，由于设计中以开关晶体管为构造单元，因此开关级设计的电路要比传统的仃级设计具有较简单的结构。     

一种基于时序逻辑电路的延时开关设计

时序逻辑电路设计是《数字电子技术》课程中一个难度大、综合性高的部分,它综合了组合逻辑电路和时序逻辑电路的内容。在进行状态机设计时,随着输入逻辑变量的增加,状态数目将呈指数倍急剧增加,这会使整个设计变得复杂且容易出错。以一个延时开关控制器的设计为例,提出了一种状态机输入变量简化的方法,降低了设计过程的复杂程度。     

基于TMD材料的CMOS反相器电路研究现状

对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体管器件的研究进展.对基于TMD的集成电路技术研究进行了介绍与分析.分别在结构设计、集成工艺、性能优化及电路集成等方面对基于TMD材...     

基于RTD与CMOS的新型数字电路设计

纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。     

高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现

提出并设计了一种基于 CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关 ,该开关用在高速两步法 A/D转换器中使电路结构大为简化 .通过对开关特性的理论分析与电路模拟 ,证明了这种模拟开关具有高速可控性 ,传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关     

1.8 GHz CMOS有源负载低噪声放大器

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。     

CMOS反相器高功率微波脉宽扰乱效应的建模和分析

本文对受脉宽影响的过剩载流子浓度分布及高功率微波(HPM)扰乱易发性进行解析建模,并利用仿真结果和实验数据对模型进行验证。利用机理分析与模型推导,得到过剩载流子主导闩锁效应中电流放大过程的结论。结果表明,P型衬底中的过剩载流子浓度分布确与HPM脉宽有关,HPM扰乱电压阈值Vp随着脉宽增宽而减小,同时这一变化存在一个拐点,这是由于P型衬底中的过剩载流子累积效应将随着时间推移而受到抑制。文中首次提出HPM脉宽扰乱效应的物理本质是过剩载流子的累积效应。实验验证认为,Vp解析模型能够对CMOS反相器的HPM扰乱易发性进行可靠和准确的预测,并同时考虑工艺、环境温度及版图参数等因素。从模型中可以得到,版图参数LB对脉宽扰乱效应有显著影响：LB较小的CMOS反相器更容易受到HPM的扰乱,这一结论将有助于提出反相器免于HPM扰乱的加固措施。