整流滤波电路傅立叶分析方法的讨论

本文研究了带LC低通滤波的全波整流电路输出电压与负载和滤波器参数之间的关系,讨论了用傅立叶分析法计算电感电流和负载电压的可行性,评述了叠加定理在这种电路中的应用方法。通过以上论述,解释了文献[1]对文献[2]例题6.6的质疑。本文有助于读者对此类问题的深入理解。     

球形铁氧体波导环行器的模式和频率分裂

本文推导了磁化球形铁氧体的张量磁导率[μ(r,θ,φ)]表示式。对使用球形铁氧体的新颖波导环行器进行了模式研究,结果与文献[1]所给实验值符合。并在求得对应于每一本征激励的电磁场值后,讨论了对两种圆极化本征激励的谐振频率的分裂。     

一种数字控制电感测量仪的设计与实现

设计了一个以芯片STM32F407ZGT6为控制核心的数字式电感测量仪,可以对正弦信号源、电感Q值以及电感值实现精确测量。系统硬件电路主要由电源供电电路、信号产生电路、信号调理、测量电路、数据采集与处理以及人机交互等模块组成,其中信号调理电路采用高速运放进行放大和阻抗变换,调节信号幅度的同时保证各级的输入输出阻抗,以达到最高的测量精度。测量电路采用谐振法测量回路谐振频率,然后用伏安法测量可变电容当前值,再通过谐振频率和电容值计算得到被测电感的Q值和电感值。最后经过测试,系统实现了输出范围达50～40MHz 的正弦信号源,测量误差优于0.1%,并且对电感Q值和电感值的测量误差均小于3%。     

大型有源相控阵校准的MCM法及其误差分析

文献[1，2]对相控阵天线校准采用互耦测量的方法进行了讨论。本文对此方法进行了推广、并提出了一种用互耦法进行大型有源相控阵校准的新方法──MCM法[3，4]。在整个监测校准过程中，校准测量与各有源通道收／发监测信号幅相大小无关。本文进一步对MCM法的测量误差进行了研究，同时给出了MCM法和近场实测结果，并进行了比较。理论分析和实验结果表明，该方法在工程应用中具有较大的实用价值。     

模拟电路故障诊断的新故障字典法

基于节点电压灵敏度,将文献[1]中的线性无容差电路的故障字典法推广到可以诊断容差模拟电路和非线性电路软故障的新故障字典法。讨论了该方法的原理和字典的建立方法,给出了仿真实例。     

基于回路法求解线性网络灵敏度的系统方法

本文从网络的回路分析和网络灵敏度分析的增量法出发，将矩阵的张量运算应用于电路的灵敏度分析中，导出了计算电路支路电流和支路电压灵敏度的一般公式，该方法用于电路灵敏度计算，只需要进行一次电路分析和一些矩阵变换与运算，即可得到电路中支路电流和支路电压对电路参数的灵敏度矩阵。该方法是文献[1]的对偶形式，与文献[1]所提出的方法互补形成较为完备线性网络灵敏度分析方法。     

用于T型谐振变换器的耦合电感设计与仿真

设计了一种新型绕组结构的谐振电感。用ANSYS软件对新型绕组结构电感进行有限元计算,结果表明:两个绕组电感量差别小,耦合系数高。用V-I曲线法测量了具有新型结构电感的电感量。将新型绕组结构电感应用于T型谐振电路,验证了设计的正确性。     

一种计算热阴极蒸发率的方法

正 (一)引言 用晶体振荡法测量阴极蒸发率,一般是把阴极当作点蒸发源。这可能是为了便于计算蒸发率。在其它报道,例如文献[3]中,阴极则被当作是平面元蒸发源,蒸发物接受器被当作是阴极面法向上某处的一个平面元。 本文采取有效措施克服了晶体因温度变化引起的振荡频率漂移(晶体谐振频率漂移)对测量蒸发率的影响。这不仅提高了测量蒸发物引起的振荡频率变化(晶体谐振频率变     

对"间接耦合光探测器分析"的讨论

文章针对“间接耦合光探测器分析”[1] 一文对间接耦合光探测概念的几点误解,进一步阐明了文献[2 ,3] 中A′的物理意义,并对注入分配比和间接耦合的灵敏度等概念进行了再讨论。     

集成运放高Q模拟大电感

本文提出一种用集成运算放大器作成的高Q模拟大电感(L=1H,Q=252)。较文献[1]提出的用集成运算放大器制成的模拟电感(Q=15.8)的Q值提高近16倍。此外,文中还以L=100H,Q=100的模拟电感为例,叙述了这类高Q模拟电感的设计方法。     

谐振法测量脉冲电容器分布电感的原理和方法

本文介绍了用谐振法测量脉冲电容器分布电感的基本原理和测试方法.经适当变换后,还可以测量电感线圈的分布电容.     

Capacitance-Voltage measurement method for ultrathin gate dielectrics using LC resonance circuit

The capacitance-voltage (C-V) measurement method using the LC resonance circuit (LC resonance method) for ultrathin gate dielectrics having large leakage current is demonstrated. In the LC resonance method, only an external inductance and a resistance and a simple equivalent electrical circuit of MOS devices are employed. External inductance can be optimized using the equivalent quality factor. At each gate voltage bias point,parameters of MOS equivalent circuit are determined by fitting the calculation results to the measured impedance-frequency characteristics at the resonance frequency point. Total resistance value of MOS equivalent circuit that is determined from the dc gate current-gate voltage characteristics can be a good help in the fitting sequence. The rms error of calculated and measured impedance-frequency characteristics is used for the fitting verification. The sensitivity of rms error to the variation in MOS capacitance value is discussed to determine the accuracy of the LC resonance method. C-V measurements of both thick (EOT=7.0 nm) and thin (EOT=1.2/spl bsol/ nm) gate dielectrics are demonstrated and the electrical oxide thickness (EOT) values are extracted from the C-V characteristics. Comparison between the LC resonance method and the other C-V measurement methods is also made with respect to C-V measurement results to show the good applicability of the LC resonance method.     

圆形螺旋线圈自感和分布电容的计算

提出了一种计算圆形螺旋线圈自感和分布电容的方法。在元件尺寸小于波长的准静态近似情况下用 Sommerfeld类型积分计算小段平面圆弧的自感和互感 ,然后用螺旋线方程对每一小段圆弧的自感和圆弧间的互感积分 ,算得螺旋线圈的自感。计算螺旋线圈分布电容时同样先计算出两小段同心圆弧间的电容 ,然后用螺旋线方程对其积分算得螺旋线圈的总分布电容。编制了相应的程序对多种情况下的螺旋线圈自感和分布电容进行了计算 ,计算与实验结果比较 ,有较好的一致性。与经验公式相比 ,计算自感的方法有更广的适用范围和对实验结果更好的逼近。而分布电容的计算方法比其它的方法大大减少了运算量。     

光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.     

光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系,提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法.一种方法是直接比较封装前后探测器的频响,另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得.以TO封装探测器为例,对两种方法的有效性进行了验证.分析结果表明,封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用,通过改变封装中的这些参数,改进了TO封装探测器的频响.     

非线性RLC电路的频响特性与稳定性分析

针对非线性RLC电路的频响特性和周期解稳定性等问题,建立了电感非线性RLC串联电路的动力学方程。利用谐波平衡法,导出了电感非线性RLC串联电路的频率响应方程,研究了频率响应特性曲线的跳跃和滞后现象及其不产生谐振现象的条件;分析了该电路周期解的稳定性,得出了稳定区和不稳定区的分界线方程;讨论了非线性因素的影响,得出了忽略RLC串联电路的电感非线性因素的条件。     

电容器和电感器交流参数测量方法的对比研究

为了测量电容器和电感器的性能,常用的交流参数测量方法有传统模拟式（即电桥法和谐振法）和数字智能化测量方法两大类型。通过对比分析传统模拟式和数字智能化测量方法的基本原理和优缺点得出电感（电容）-电压的转换方法优点多,应用广,并指出电容器和电感器交流参数测量方法的发展趋势。     

50 Ω输出的四形成线纳秒级高压方波发生器设计

提出了纳秒级高压方波发生器同轴电缆并联设计方案,分析了四形成线方波成形机理,实验获得了50 Ω负载上的方波波形,解决了常用测量仪表、设备的50 Ω端口匹配问题,并且电压输出效率不降低;进一步分析了开关内阻和电感对输出电压的影响,提出了减小开关内阻和电感、优化电路结构和搭接工艺等提高电路平衡性的处置措施,研制的高压脉冲源在浪涌抑制器响应测试中已获应用。     

Oscillating circuit using nonlinear inductance

An oscillating circuit with nonlinear inductance is examined. A general characteristic of an inductance is used. Using the method of Samoilo, expressions for the oscillation frequency, the current harmonics, the characteristics of the forced oscillations and the characteristics of the parametric resonance are obtained, without limitations on the oscillation amplitude.     

Simulation and modeling of the effect of substrate conductivity on coupling inductance and circuit crosstalk

The goal of this work was to simulate the effect of the finite conductivity of semiconductor substrates on the on-chip coupling inductance and then to investigate the effect of the on-chip coupling inductance on circuit crosstalk. In addition, the limitations of standard approaches for estimating coupling inductance are examined. A method for the reduction of the coupling inductance and its effect on circuit crosstalk is also discussed.