超低EMI DC/DC稳压器系统

本文介绍了目前Dc/Dc开关稳压器设计需满足的EMI标准,进而列出了凌力尔特公司满足超低EMI标准的几款产品,并对其EMI性能测试结果进行了详细说明.     

一种实用的压控振荡器

介绍一种电压控制振荡器的电路特点及工作原理。实验结果表明：该振荡器性能稳定，频率可控范围宽，连续均匀压控线性区为１１００ｋＨｚ，压控灵敏度为２．５ＭＨｚ／Ｖ。文章最后对研制中的有关问题进行了讨论。     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.     

一种1GHz多频带压控振荡器的设计

基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V～2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz～1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.     

一种多功能压控振荡电路

跨导运算放大器(operational transconductance amplifier,简称OTA),常用图1的符号表示。OTA除具有常规运算放大器的同相、反相输入端外,还多了一个电信号控制端,即偏置电流输入端。将经过编程的数字或模拟信号加到这个控制端,就可以实现增益g_m的编程,因此,OTA也称为可编程运算放大器。它的特性可由如下     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿，进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构，改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温，讨论了对温度漂移有影响的关键因素，通过合理设计，达到了要求的技术指标，实现了小型化。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。     

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。     

一种用于低压降稳压器频率补偿的压控电流源

利用小信号压控电流源(VCCS)电路产生所需零点,是一种先进的低压降稳压器(LDO)频率补偿方法。文章分析了VCCS频率补偿方法的原理和VCCS电路对LDO的瞬态响应及电源抑制(PSR)特性的改善作用,并提出了一种新的VCCS电路结构。该电路结构功耗低、占用面积小,在直到5 MHz的频率范围内,都有近乎理想的性能。采用这种结构的VCCS电路,基于0.5μm CMOS工艺,设计的一款300 mV压降,2.5 V输出电压,最大100 mA输出电流的LDO电路,具有很好的频率响应、瞬态响应和电源抑制特性。该LDO电路所用全部片上电容的总值不到1pF。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

应用于DC/DC稳压器的误差放大与逻辑控制电路

设计了一种应用于DC/DC集成稳压器的误差放大与逻辑控制电路。误差放大器的核心部分采用电流镜、折叠式共源共栅等结构,显著提高了增益、电源抑制比和共模抑制比;逻辑控制部分实现了对芯片工作模式的选择控制,并具有钳位功能。采用Sanyo Hspice模型进行仿真后表明,在很宽的频带范围内,误差放大器的差模增益大于80dB;逻辑控制电路工作时序正确可靠;各项性能指标满足设计要求。     

一种采用电压补偿技术的DC/DC开关电源软启动电路

提出了一种采用BiCMOS工艺和电压补偿技术实现的软启动控制电路。该电路消除了浪涌电流现象，避免了开关电源重启动。HSPICE模拟表明，对于一个输入电压为10V、输出电压为3.3V的降压型开关电源系统，负载电流为3.3A的条件下，利用该软启动电路，电感电流和输出电压近似分别以3.3mA/μs和2.5mV/μs速度平稳上升，表明该软启动电路的控制能力很强。此控制思想和结构适合各种DC/DC开关电源的软启动电路设计。     

集成的B iCMO S DCöD C 开关电源控制器 输出驱动电器的低功耗设计

为使DC／DC开关电源的功率开关管及时地导通或截止,需要设计专用的输出驱动电路,基于整个开关电源系统低功耗的考虑,开关电源可以采用同步整流的拓扑结构。该拓扑结构需要一个电压自举的输出驱动电路,本文首先提出了一种有自举功能的BiCMOS工艺的输出驱动电路,在此基础上,采用电流源和电流沉串联的方式改进了前面提出的输出驱动电路,通过消除CMOS电路的瞬态短路导通现象,不仅降低了该电路模块的功耗,而且起到了保护的作用,经HSPICE模拟表现,开关电源的输入电压Vin为10V控制器内部电压（VL）为5V,开关频率为200kHz时,改进驱动电路的功耗降低了约11．5％,同时避免了瞬态短路导通现象。     

一种新型CMOS误差放大电路的设计

设计了一种应用于集成稳压器的新型误差放大电路,其核心部分采用对称性的差分运算跨导(OTA)结构;通过嵌套密勒补偿和动态零点频率补偿技术,显著改善了其性能指标;采用Hy-nix 0.5μm CMOS Hspice模型进行仿真,结果表明,此带隙基准电路在较宽的频带范围内,噪声只有0.5μV rms,共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)为70 dB左右。     

一种新颖的VCO电路

本文介绍了一种采用以四象限模拟乘法器作基本元件,并使用AGC环的新颖VCO电路.     

切换式调谐CMOS 压控振荡器

在现有的CMOS RF工艺条件下。利用“切换式调谐”设计思想完成了宽带调谐的压控振荡器(vco)的电路设计和版图设计。用Candence SpectreRF软件进行了模拟。结果表明。该VCO在保证其它性能指标的同时，实现了宽的频率覆盖。     

一种新型高电压ZVZCS三电平DC/DC变换器的研究

介绍一种适用于高电压场合的新型ZVZCS三电平DC／DC变换器，详细分析了电路的工作原理。设计实例和仿真结果验证了理论分析的正确性。     

用于数字电视调谐器的宽带CMOS VCO设计

采用片外谐振网络和多VCO的结构设计了一个宽带CMOS VCO,并采用一种新型的电荷泵式自动幅度控制电路,确保了VCO在整个带宽内的可靠性。基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,该VCO的频率能够覆盖75~900 MHz,单边带相位噪声最佳值达到了-92 dBc/Hz@10 kHz。     

小型化直流电源发展动态

随着电子整机向小型化、轻量化方向的发展，对整机所用的直流稳压电源也提出了小型化的要求。本文叙述了国外ＤＣ／ＤＣ变换器的研究与开发情况，介绍了国内发展集成化直流稳压电源的现状，分析了国内市场对ＤＣ／ＤＣ变换器的需求。对国内外在该领域的技术水平进行了比较，提出了发展我国小型化直流电源的对策。     

CMOS ring VCO for UHF RFID readers

A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) voltage controlled ring oscillator for ultra high frequency (UHF) radio frequency identification (RFID) readers has been realized and characterized. Fabricated in charter 0.35 μm CMOS process, the total chip size is 0.47×0.67 mm2. While excluding the pads, the core area is only 0.15×0.2 mm2. At a supply voltage of 3.3 V, the measured power consumption is 66 mW including the output buffer for 50 Ω testing load. This proposed voltage-controlled ring oscillator exhibits a low phase noise of - 116 dBc/Hz at 10 MHz offset from the center frequency of 922.5 MHz and a lower tuning gain through the use of coarse/fine frequency control.