电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究

采用阴极电弧离子镀技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材上制备TiAlN膜层,镀膜装置为俄罗斯科学院UVN 0.5D2I电弧离子镀膜机,该设备由一个大功率的气体离子源和两个金属蒸发源组成.气体离子源具有气体离子轰击和辅助沉积的特点.研究了电弧电流、负偏压和气体离子源功率等工艺参数对膜层的影响规律.实验结果表明:气体离子源具有明显的细化金属颗粒的作用.提出了制备TiAlN膜层的最佳工艺,得到了厚度为5 ～10μm、相结构为Ti0.5Al0.5N、显微硬度为1200HV0.01的TiAlN膜层.     

脉冲多弧离子源所镀膜层均匀性的实验研究

为了解决脉冲多弧离子源镀制膜层的均匀性问题,文中首先分析了不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸、不同引弧方法以及不同基片距阴极的距离引起所镀膜层透过率曲线的改变,进而讨论了脉冲多弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响．采用在基片下加一个圆筒形负电位电极实现了脉冲多弧离子源镀膜的均匀性．实验结果表明,在直径７０ｍｍ范围内透过率相对误差为±６．７％,小于所要求的±１０％．     

脉冲多弧离子源引弧效率的定量检测与过程控制

介绍了一种应用于脉冲多弧离子源镀膜过程控制的电子监控装置．用该装置定量检测脉冲多弧离子源的引弧效率，克服了因停弧带来的膜厚误差的缺点．本文主要叙述了该装置的工作原理及有关电路．     

《离子辅助蒸发新工艺研究》课题通过院级鉴定

《离子辅助蒸发新工艺研究》课题于1991年6月7日通过院级科研项目鉴定。这一课题是兵器工业总公司下达的,由仪器工程系严一心副教授负责完成。离子辅助蒸发新工艺以新研制出的、各项综合指标具有国际先进技术水平的第二代宽束冷阴极离子源为关键设备,采用多离子束斑合成方法,方便地实现了大束斑及复杂形状束斑的合成。它可以利用同一种离子源,在不同规格的真空镀膜机上,进行离子辅助蒸发镀膜。采用这一新工艺镀制的多种光学膜层与常规真空热蒸发镀膜比较,可提高膜层质量,提高生产     

宽束永磁冷阴极离子源研制成功

(本刊讯)由光学系严一心副教授主持研制的“宽束永磁冷阴极PIG离子源”于1988年7月23日在我院通过技术鉴定。宽束永磁冷阴极PIG离子源用于辅助真空薄膜技术。经在多种基底上进行镀膜实验,并对所镀的各种金属膜和介质膜做强度、附着性、耐腐蚀、高温、潮湿等多项实验和测定,结果表明:该技术对国标有规定要求的一些膜层,均可达到或超过规定的性能指标。对一些国     

宽束冷阴极离子源

离子束辅助镀膜是近20年来发展起来的新技术．宽束冷阴极离子源是离子束辅助蒸发技术的关键装置，具有寿命长，无灯丝可以连续工作、结构简单、操作方便，可使用多种惰性及反应气体等特点．同时，它还可以很方便地安装于真空镀膜设备中而不破坏其原有的功能和性能．宽束冷阴极离子源用于离子束辅助蒸发，可以提高膜层与基底间的附着力，提高膜层强度，膜层填充密度及析射率，膜层的环境耐受性，如耐磨、耐潮、耐盐、酸、碱等性能均得到大幅度提高．     

离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响

在离子束辅助镀膜工艺中，离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素。本文对宽速冷阴极离子源溅射特性进行了研究，给出了离子源引出电压与溅射速度的关系。同时研究了离子束对ZnS薄膜折射率的影响。     

PAA为模板纳米SiO_2空心球及减反膜制备综述

纳米SiO_2空心球及其减反膜由于其独特的结构特点和优良的性能受到越来越多的关注,应用越来越广泛,纳米SiO_2空心球减反膜具有减反效果好、耐划伤、抗粘污、耐候性能优良等优点,使其在光学和太阳能光伏和光热等领域具有巨大的应用前景。文章简述了以PAA(聚丙烯酸)为模板的纳米SiO_2空心球的制备方法,从催化剂NH_3·H_2O(氨水)、模板PAA和SiO_2前驱体TEOS(正硅酸四乙酯)等3个方面分析了纳米SiO_2空心球制备过程中的影响因素,阐明了模板核PAA的去除原理及去除方法;阐述了纳米SiO_2空心球减反膜的制备技术,总结了纳米SiO_2空心球减反膜溶胶的制备方法和减反膜的镀膜方法,分析了烧结对减反膜的作用;并对纳米SiO_2空心球减反膜制备过程中存在的问题及其改善方法进行了展望。     

黄光激光器聚光元件减反膜的研究

为满足589nm黄光激光器聚光元件双波段减反膜的使用要求，根据有效界面法设计原理设计膜系，以Ta2O5和SiO2为镀膜材料，使用TFC膜系设计软件对膜系进行优化，运用电子束蒸发方法和离子束辅助沉积方法，在零膨胀玻璃上镀制589nm反射率在2%~3%之间、1064nm反射率小于1%的双波段减反膜，通过膜系结构和工艺参数的优化解决了589nm反射率在2%~3%之间难以控制的问题，获得了符合聚光元件使用要求的减反射薄膜。     

相变对ZrO2／SiO2多层膜激光损伤阈值的影响

摘要：用电子束蒸发法制备出ZrO2／SiO2和YSZ／SiO2多层膜,分别测定了薄膜结构特性和激光损伤阈值. 实验结果表明：Y2O3稳定的ZrO2镀膜材料在电子束蒸发过程中不会发生相变,而未稳定的ZrO2则必然发生相变产生喷溅,使缺陷增加,从而使损伤阈值降低. 通过分析认为相变引起的缺陷是YSZ／SiO2和ZrO2／SiO2高反膜损伤阈值差别的主要原因.     

Antithrombogenic investigation and biological behavior of cultured human umbilical vein endothelial cells on Ti-O film

The cardiovascular disease is the number one cause of morbidity and mortality in the western world. Each year, about 17 million patients in the world die of heart valve dis-ease, arteriosclerosis, etc. About 750 thousands patients is adding in China every year. A lot of new materials are used as artificial blood contacting biomaterials, but blood com-patible biomaterials have not yet been developed. Improving the hemocompatibility of blood contacting biomaterials has become a very important t…     

脉冲电弧离子源镀膜均匀性研究

薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要因素，利用脉冲电弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜，并用轮廓仪对薄膜的厚度进行测量，研究了不同参数对薄膜均匀性的影响。结果表明：离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以及沉积频率都不同程度地影响薄均匀性，文章还就不同类型离子源对薄膜均匀性的影响进行了探讨。     

多层光学透明薄膜的反射性质讨论及应用设计

采用矩阵光学计算方法,对多层光学透明薄膜的反射性质进行了讨论,并通过具体的应用设计得到了比较好的结果及有益的结论,即高反射率膜一定是奇数层;四分之一膜系为奇数层时,层数越多,反射率越大;上述膜系的全部结果只适用于单一波长的情况。     

Nano-sized Thin Films Fabricated by Ion Beam Sputtering and Its Properties

Nanoscale thick amorphous Ni-Cr alloy thin films were fabricated by low-energy ion beam sputtering technology; then the as-deposited samples experienced rapid thermal process to realize the transformation from amorphous to crystalline state. The film thickness was measured with a-stylus surface profiler, the structure and the compositions of the films were confirmed by low angle X-ray diffraction and scanning auger electron microprobe respectively, and the surface topography was characterized by scanning electron microscope and scanning probe microscope. Electrical property of the films was measured by fourpoint probe. The experimental results illustrate that the combined processes of ion beam sputtering and rajid thermal process are effective for fabrication nanoscale Ni-Cr alloy thin film with good properties.     

高速钢表面PN＋PVD复合处理工艺和性能研究

采用多弧离子镀设备,在高速钢W18Cr4V上先进行等离子氮化,再沉积TiN薄膜,研究了不同渗氮温度和时间对PN＋TiN薄膜组织和性能的影响。结果表明,温度为500℃左右和时间为2h以上条件下对W18Cr4V进行渗氮处理后再沉积TiN薄膜,可以得到最佳的薄膜表面显微硬度（1800～2000HV0.05）和膜／基结合力（50N）,涂层耐磨性也得到明显提高。     

在高ECR 等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜

目的　研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长ＧａＮ 时的离子密度对其质量的影响．方法　用朗缪尔探针测量离子密度,用Ｘ 射线双晶衍射及霍尔测量分析ＧａＮ的质量与性能． 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好． 当生长ＧａＮ 时的离子密度为２－０ ×１０１１ ｃｍ － ３ 时,所得ＧａＮ 晶膜的氮镓量比接近于１ ,本底电子密度为３－７ ×１０１８ ｃｍ － ３ ,Ｘ 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为１６ ａｒｃｍｉｎ ． 结论　提高离子密度能明显提高ＧａＮ 的质量与性能     

直流磁过滤电弧源沉积氧化钛薄膜的光学特性

为了探索电弧源离子镀技术制备的氧化钛薄膜的透射率、消光系数和折射率,利用直流磁过滤电弧源在K9玻璃基底上制备了氧化钛薄膜,通过分光光度计和椭偏仪对薄膜的透射率、折射率和消光系数等光学特性和沉积速率进行分析研究.研究结果表明：波长在400～700nm之间,氧化钛薄膜的折射率为2.3389～2.1189;消光系数在10-3数量级上,消光系数小,薄膜吸收小,薄膜峰值透射率接近K9基底的透射率;沉积时间30min,薄膜的厚度是678.2nm,电弧源离子镀技术沉积氧化钛薄膜的平均速率为22.6nm/min.     

AIB用于改进PLD沉积在机械瓣膜上的类金刚石膜的质量

用脉冲激光沉积(PLD)法在热解C制作的人工心脏机械瓣膜上沉积类金刚石(DLC)薄膜,并用3KeV的氩离子轰击(AIB)DLC薄膜。采用拉曼(Raman)光谱和X射线光电子能谱(XPS)分别对AIB前后的DLC薄膜进行检测分析,用光学显微镜观察AIB前后的DLC薄膜表面。实验结果表明:AIB不影响薄膜的黏附性。但是可以在一定程度上导致薄膜微观结构的变化和sp3/sp2比值的提高,可以在薄膜中掺杂微量的Ar元素,可以有效消除薄膜表面吸附的O,但对薄膜中C-O、C=O和COOH的影响较小。因此,离子轰击法可以作为一种改进类金刚石薄膜质量的方法。     

钛离子注入对镀膜光白托力克玻璃光学性能的影响

将钛离子以不同的剂量、能量注入到镀膜光学白托片中进行表面改性。利用UV－240型紫外可见分光光度计、DP－A302型红外分光光度计、激光椭圆测厚仪等仪器,测定了注入前后及退入前后膜层析射率、紫外反向吸收等光学性质并加以分析,发现经离子注入及退火,玻璃的折射率得到提高,玻璃对红外、紫外的吸收增强。     

宽束冷阴极离子源及其应用

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。