全固态中波发射机功放模块原理分析及快速检测方法

全固态中波发射机中功放模块众多,是发射机主要易损器件,在日常维护及故障处理中检测繁琐、任务量大。本文通过原理分析并结合实际工作经验,提出了一种快速检测方法,极大地提高了功放模块的检测效率。     

MOS管模型

在集成电路设计中，MOS具有十分特殊的地位。这主要是由于MOS管，特别是增强型MOS管具有工艺简单、电路功耗低、可以使用在高频电路等优点所致。     

MOS管电路模型分析与设计方法

以仿真技术为基础的 MOS管电路分析与设计方法,其核心是建立电路模型。在建立电路模型的过程中,应当对电路的分析目的、设计要求和约束条件进行分析,在使用相应的仿真分析技术对电路进行分析和设计。     

半桥射频MOS管驱动电路设计

基于半桥拓扑结构的特点,得出了MOS管驱动电路的基本要求,重点分析了MOS管驱动电路各分电路的设计参数,实验验证了驱动电路的合理性.     

高端MOS管栅极驱动技术研究

高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。     

MOS管变容特性研究及振荡频率估计

采用软件模拟及仿真的方法,对MOS管变容的特性进行了分析,根据MOS管的变容特性得出一种VCO的频率精确估计方法。仿真实验表明,该方法具有较高的精确度。在电路的设计中可用该方法预测频率,或者提供元件的参考参数从而提高设计效率,降低设计成本。     

集成电路中MOS管导通电阻测量方法

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。     

基于BSIM3模型的毫米波MOS变容管建模

提出了应用于毫米波段的MOS变容管的建模方法。针对标准0.18μm CMOS工艺,采用2D器件仿真软件MINIMOS,设计实现了积累型MOS变容管;并提出和分析了基于标准BSIM3模型的MOS变容管的等效电路模型;通过MINIMOS仿真,直接提取电路模型各寄生参数。该模型能方便地在电路设计软件中实现,并能预测最高达40 GHz频率范围内的变容管特性。     

用V—MOS管改进行输出电路

本文给出了用V-MOS管代替双极型晶体管作行输出管的实用电路,并且从热损耗和截止损耗出发分析了这种电路的优越性。     

避免MOS管在测试时受EOS损坏的方法

由于MOS管是浅结系列产品,极有可能在测试时遭到静电击穿或过压过流而损坏。文中主要介绍MOS管在测试过程中,会造成实际测试时器件加上了允许的最大电压、电流或功率而导致器件损坏的情况。例如,在测试过程中电源连接不良,测试片与器件接触不良,管脚接错,在测试程序中未设置正确的电压和电流钳位或DUT板损坏等。然后,针对此类现象的发生,提出了在测试过程中应采取的相应措施,从而有效地保证产品质量。     

基于MOS管的新型转换开关在集成电路测试中的应用

为了克服继电器在集成电路测试板上触点烧蚀故障率较高,断开时易产生电磁干扰和开关时间过长等缺点,提出了一种基于MOS管的新型转换开关电路,能更加有效地测试芯片,显著降低芯片的成本。本文详细讨论了集成电路测试的要素和基本原则,继电器在测试板上的应用及其局限性,基于MOS管的新型转换开关电路的特点及控制原理。仿真结果表明,该电路在10v电源电压下开关的转换速度为70μs,工作频率可达100kHz以上,灵敏度高,适用于集成电路测试。     

钟控神经MOS管的改进及其在多值电路中的应用

首先对钟控神经MOS管进行研究,提出了相应的改进方法.然后采用此改进的钟控神经MOS管设计了一种新型多值触发器.与传统的触发器相比较,此多值触发器具有结构简单、速度快、功耗低等特点;而且无需改变电路结构就可实现不同基的多值触发器.PSPICE模拟证明了所设计的电路具有正确的逻辑功能.     

固态发射机固态功放管特点及更换浅析

固态发射机因工作带宽较宽,无散弹效应,信噪比高等优点,占据了90％以上的份额。为了更好地使用和维修发射机,笔者就大功率MOSFET场效应晶体管的特点及其更换方法做了相关技术探讨。     

普通运放和MOS管搭建高压源精确测量击穿电压和漏电流

在中小功率半导体器件的参数测试中,不乏一些高压的器件,如何准确稳定地测出这类器件的击穿电压和漏电流是此类仪器最关键的问题之一.解决办法之一是要有个精度高且可程控的电压源作为测试基准源,而市场上输出电压达千伏级的运放器价格昂贵,且购买困难.本文通过普通运算放大器和MOS管构成可程控0～1000V高压运算放大器,并介绍其电路在半导体综合参数测试仪中的应用.     

窄带AMR参数优化方法及对MOS的影响

在对网络质量越来越重视的今天,提高网络的MOS表现,对于提高用户感知将起到相当重要的作用。目前2G网络在AMR参数设置中广泛采用实验室默认设置,对于不同的无线环境没有相应的应对方案。针对上述现状,文章通过对AMR技术的深入研究,提出一套切实可行的AMR参数优化方法,用于提升网络MOS表现。     

常用MOS管驱动芯片的应用

<正> 很多小信号放大电路都是由晶体管放大电路构成,其功率有限,不能把电路的功率做得很大。随着现代逆变技术的逐步成熟,使信号波形能够很好地在输出端重现,并且可以做到高电压,大电流,大功率。在很多场合,我们需要对MOS管进行驱动,以达到我们的设计要求。MOS管具有低电压、大电流的特点,在电动自行车     

中波发射机功放板损坏的原因与处理

在DM10kW中波发射机故障中,功放板故障占有很大比例,只要更换功放板,问题就可以解决,由于不确定功放板损坏的原因,所以此方法是治标不治本。当遇到连续的大面积功放板损坏时,尤其是将功放板修好后重新开机,再次出现功放板损坏,会给技术人员造成很大的心理压力。功放故障不但会造成经济损失,而且可能会造成长时间的停播,影响安全播出。     

飞兆半导体提供MOS管和PFC电路设计工具套件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出基于网络的MOS管(FETBench)和功率因子校正(PFC)电路设计工具套件，显著缩短设计周期并加速产品上市。这些在线工具可提供拓扑选择、元件选择、创建仿真模型和许多其它功能。最新升级的FETBench工具具有全面的MOSFET器件选择功能、应用分析功能，以及基于通用功率转换方案的全新热模拟工具。PFC工具套件是新型的设计工具，为设计人员提供功率因子校正电路设计指导和器件选择工具。