基于ESD的芯片失效分析

提出了一种基于静电放电（ESD）的芯片可靠性测试及失效分析流程,并且以芯片静电放电测试为例详细阐述了芯片失效分析的过程与实现方法,包括电性失效分析和物理失效分析。通过专用仪器对芯片进行了静电放电测试,并利用红外微光显微镜（EMMI）及砷化镓铟微光显微镜（InGaAs）等实现芯片故障定位,从而确定芯片的失效模式与失效机理,实验证明该方法切实有效,这种失效分析的结果对优化集成电路的抗静电设计以及外部工作环境的完善都具有重要的参考意义。     

薄膜混合集成电路的防静电设计研究

本文主要从静电放电以及防静电原理出发，对薄膜混合集成电路防静电设计进行了研究，并且在静电放电仿真等方面进行了探索。     

静电放电对GaAs基光通信LED的影响

GaAs基LED具有体积小、寿命长、价格低廉、工艺成熟和发光效率高等优点,因此在中短距离光纤通信系统中具有广阔的应用前景,其可靠性也日益受到关注。由于LED是静电敏感型器件,静电放电损伤是LED常见的失效现象之一。为了研究LED的静电放电失效现象和特征,对GaAs基光通信LED进行10个负向脉冲、充电电压为1 kV的人体模型静电放电实验,并研究了静电损伤对其电学特性的影响、失效区域的光发射和TEM微观形貌3个方面的内容,为判别静电失效提供了物理及工程上的判据。     

基于分段线性模型针对传输线脉冲瞬态干扰信号的芯片协同防护设计方法

随着电子设备向小型化、高密度和高速的趋势发展,集成电路作为电子设备的基本核心单元也朝着这一方向发展,由此带来了越来越严重的电磁兼容问题。其中静电放电问题越来越引起设计者、制作者和使用者的重视。该文利用传输线脉冲(TLP)方法对芯片进行测试,获取了器件在应对静电放电干扰时的伏安特性数据。基于TLP测试数据应用分段线性建模方法构建了芯片应对静电放电干扰的模型。该文还根据二极管的等效电路及其数据手册的伏安特性数据构建了瞬态电压抑制(TVS)二极管模型,并通过TLP测试进行验证。同时,结合上述两个模型,开展了芯片静电放电干扰的协同防护设计方法研究,并应用实例验证了芯片的协同防护设计方法的可行性。该方法实现了用仿真模拟的方式进行芯片的协同防护设计,能够节约设计成本和时间。     

沉积静电效应及防护研究

简述沉积静电的形成机理，介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电；讨论了沉积静电的放电效应；通过对无沉积、轻度沉积、严重沉积3种静电条件下电磁场天线接收信号的分析，研究了沉积静电对导航系统的影响；针对沉积静电的危害，从沉积静电防护的目标和防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

电子产品中的静电防护

引言随着科学技术的发展,电子类设备生产企业中大量采用大规模集成电路.电子产品集成化迅速提高,超大规模集成电路大量生产和广泛应用,集成电路的内绝缘层越来越薄,其互连线与间距越来越小,相互击穿电压越来越低,器件尺寸的变小和芯片内部的氧化膜变薄,使元器件承受静电放电的能力下降而成为静电敏感器件.静电放电(ESD)对电子器件有...     

LED对MM和HBM静电放电敏感性的研究

为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对LED特性的影响,参考国际标准对半导体元件的静电放电测试要求,对LED样品分别进行MM及HBM静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行光电参数测试,观察样品光电参数的变化,并以此作为判别LED失效的依据。通过实验,研究对比MM静电放电和HBM静电放电试验对LED特性的影响,并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是MM静电放电还是HBM静电放电,均会造成LED反向漏电流增大,正向I-V特性"收缩",光通量一定程度的衰减。但是在静电敏感电压上有差别较大,MM静电失效电压远低于HBM静电失效电压。     

器件充电放电模式的静电防护

由于其他的失效ESD模式的解决,近几年集成电路的生产中,CDM失效的问题愈加突出.介绍了CDM原理及分类,主要探讨了器件静电放电(ESD)防护设计和CDM防护(环境、包装、操作等)的方法.     

多电源域集成电路静电放电试验方法研究

随着集成电路技术的发展,电路从原来的单一电源域向多电源域进行转移,而其中的静电放电(ESD)试验是考核集成电路性能的一项重要指标,如何有效选择合适的试验方法变得越来越重要。结合国内外相关静电放电试验标准,研究标准之间存在的相同和不同的地方。结合实际情况,探究多电源域集成电路静电放电试验方法的选择。     

MOS器件的ESD失效

静电放电(ESD)对半导体器件,尤其是金属氧化物半导体(MOS)器件的影响日趋凸显,而相关的研究也是备受关注.综述了静电放电机理和3种常用的放电模型,遭受ESD应力后的MOS器件失效机理,MOS器件的两种失效模式;总结了ESD潜在性失效灵敏表征参量及检测方法;并提出了相应的静电防护措施.     

二次静电放电仿真与实验研究

二次静电放电（secondary electrostatic discharge，SESD）是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象，可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路级仿真模型，初步探索SESD的波形，并与初始模型进行对比分析，验证已知的理论.其次基于实验研究与数据分析的方法，总结二次放电波形特点、峰值特性和时延特性.研究表明:二次放电电流峰值大于一次放电电流峰值，且受放电电压、放电时延等参数影响；二次放电的时延呈正态分布.这一研究结果符合并验证了目前对二次放电微观过程研究所得出的相关理论.     

基于场路协同的手机静电放电仿真研究

随着电子产品集成度的提高,静电放电对手机等电子设备的危害愈来愈严重。本文建立了包含静电放电枪、手机外壳,内部PCB板及芯片模型的场路协同仿真模型,研究静电放电时手机内部的电磁干扰和信号传输情况。研究结果表明放电位置在同种介质上变化时,放电点与监测点距离因素占主导,同时手机外壳上的开孔及缝隙也会影响。不同介质上放电时,对金属铝壳放电时辐射干扰更大,而对玻璃介质放电时传导干扰更大。     

MOS集成电路电过应力损伤模式和机理分析

电过应力是造成ＭＯＳ集成电路损伤的主要原因，本文结合静电放电的三种模型，详细分析了ＭＯＳ集成电路电过应力的损伤模式和机理。     

CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨

随着超大规模集成电路工艺的高速发展，特征尺寸越来越小，而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此．静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了ESD的4种等效模型：人体、机器、器件充电和场感应模型，以及各模型的特点和等效测试电路。同时较详细的介绍了ESD的测试方式和方法。     

电子计量产品接触式静电放电的接地改良研究

在电子工业中,由于静电会损坏电子元器件、严重影响产品质量的问题尚未得到解决,该文对某电子产品（简称被试系统）进行了静电放电（ESD）抗扰度试验,研究了接触式静电放电模式下系统受ESD干扰的情况。当放电电压低于4.5KV时,ESD对于被试系统基本没有影响;当放电电压大于5KV时,受试设备出现蜂鸣器报警、死机现象。通过改进接地,使其抗压能力提高,并对比分析不同接地措施,对进一步改进静电接地提供参考和依据。     

ESD EMP对单片机的辐照效应实验及加固方法研究

为研究静电放电电磁脉冲对电子系统的影响，进行了静电放电电磁脉冲对单片机系统的辐照效应实验。实验表明，单片机系统在ESD EMP作用下，会出现“死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象。在实验基础上，研究了对ESD EMP的加固方法。     

IC静电放电的测试

本文主要论述了静电放电(ESD)人体放电模式的测试过程,包括测试标准、IC管脚的测试组合、IC失效判别以及静电放电敏感度等级分类等。     

解析IEC 62228-7:2022中CXPI收发器静电放电试验方法

本文对集成电路CXPI收发器的静电放电试验方法进行了分析,对静电放电的试验配置和方法要求进行了总结,详细阐述了在接触放电试验过程中的测试流程,为相关测试人员提供借鉴。     

电子元器件静电放电模型及适用范围浅析

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分.这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型.     

基于失效特征的静电损伤分析研究

静电放电损伤失效分析是电子制造企业分析产品质量问题和提高产品质量可靠性的难点和关键技术之一。总结梳理生产制造过程中常见的静电源和释放通路,研究元器件静电放电损伤的敏感结构,研究静电放电损伤的失效机理及其典型形貌特征,探讨静电损伤(ESD)、过电损伤(EOS)和缺陷诱发失效的鉴别方法。最后将这些方法应用在具体的失效案例中,为企业开展静电放电失效分析工作提供一种有效的鉴别分析方法。