CVI法快速制备C/SiC复合材料

为缩短CVI法制备C／SiC复合材料的工艺周期并降低成本，研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS（CH3SiC3)摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响，实验结果表明：提高沉积温度，常压下1100℃时增大MTS摩尔分数（11％→19％），都有利于提高SiC沉积速率；提高沉积温度和降低反应物气体流量，能提高MTS有效利用率，在优化的工艺条件下，预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体，沉积速率达到142μm/h左右，并有效消除了基体中裂纹的形成，MTS的有效利用率为11％－27％。     

低分子聚碳硅烷制备Si-C-N复合超细微粉

以高碳低分子聚碳硅烷（ＬＰＳ）为原料,利用其原料的特点,采用气相反应热裂解方法制备出Ｓｉ－Ｃ－Ｎ复合微粉,系统地讨论了合成工艺条件对采用富碳有机硅原料制备含Ｎ的Ｓｉ－Ｃ－Ｎ复合微粉产物的性质以及形貌、组成,尤其是微粉中Ｎ含量等的影响,并较详细地探讨了ＮＨ３与ＬＰＳ分解反应的过程及与ＬＰＳ制备ＳｉＣ微粉的反应过程的差别。所合成的无定形Ｓｉ－Ｃ－Ｎ复合微粉;粒径３０－５０ｎｍ,球碳（质量分数,下同）１     

溶胶—凝胶法制备SiC—AlN复合超细粉末的研究

用溶胶－凝胶碳热氮化法在１５５０－１６５０℃，５０ｍｉｎ下制得平均粒径为０．２μｍ左右的ＳｉＣ－ＡｌＮ复合超细粉末，粉末烧结性能良好，在较低合成温度下（１５５０－１６００℃），粉末中出现晶须。本研究还探讨了粉末氮化合成条件对粉末颗粒及物相的影响。     

Si2ON2—SiC复合材料制备研究

通过Si粉,SiO2微粉及SiC,经氮化反应制备了Si2ON2－SiC复合材料,研究了烧结助剂,硅加入量,氮化制度对复合材料性能的影响,并对其进行强度,SRD和SEM分析后认为材料性能随烧结助剂,硅加入量变化而变化,氮化制度对材料的物相和显微材料有重要影响。     

化学气相沉积法制备碳化硅纤维

一、前言 现代宇航、航空等尖端科学技术的迅速发展,对高比强、高比模、耐高温、抗氧化及易加工的新型材料要求越来越迫切。碳纤维增强金属基复合材料固然有很优异的性能,但需在接近或高于金属熔点的高温下制造,金属与碳纤维之间会发生界面反应,从而产生浸润性差、粘结强度不高及高温抗氧化性能差等问题,导致复合材料性能下降,难以满足高温氧化等苛刻条件的使用要求。     

化学气相沉积制备SiC涂层——I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究,考察了Ｈ２－ＭＴＳ,Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ,Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ,Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系,着重研究了温度、压力、载气量和初始反应气体浓度对沉积单相ＳｉＣ的影响,以ＣＶＤ相图的形式给出了计算结果,这些相图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用．     

CVD法氮化硅薄膜制备及性能

氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料,具有优秀的光电性能,钝化性能和机械性能,将在微电子,光电和材料表面改性领域获得广泛应用,本文着重评述了制备氮化硅薄膜的几种化学相沉积方法和一些性能。     

交流阻抗谱法研究β‘—sialon结合SiC陶瓷材料的性能

采用交流阻抗谱法研究了β′－ｓｉａｌｏｎ结合ＳｉＣ陶瓷 显微组织,根据测得的阻抗谱ＸＲＤ数据及试样组成,提出了等效电路,用ＬＥＶＭ电化学软件对阻抗数据进行了拟合,获得该材料晶粒电导率σ０、晶界电导率σ１及颗粒边界电导率σ２与温度的关系。     

木材陶瓷和Si粉原位反应烧结制备多孔SiC的研究

以椴木木粉、硅粉和酚醛树脂为原料 ,先低温碳化制成木材陶瓷 ,然后利用高温原位反应烧结工艺制成了具有椴木微观结构的多孔SiC陶瓷。借助TGA研究了木粉和酚醛树脂的热分解行为。用XRD和SEM研究了木材陶瓷和多孔SiC陶瓷的物相组成和微观结构 ,用压汞法对木材陶瓷和多孔SiC的孔径分布进行了表征。研究了碳化温度、碳化速率、酚醛树脂用量、SiC含量和成型压力等因素对多孔SiC弯曲强度和孔隙率的影响。结果显示 :木材陶瓷为部分石墨化的无定形碳 ,多孔SiC由主晶相 β SiC和 10 %± 0 .5 % (体积分数 )的游离Si组成。木材陶瓷和多孔SiC具有类似于初始木材的多孔微观结构 ,孔径主要集中于 10～ 60 μm。在优化的工艺条件下 ,获得了孔隙率大于 5 0 % ,弯曲强度约为 13MPa的多孔SiC陶瓷     

硅质煤矸石合成β—SiC微粉的工艺研究

本文研究了硅质煤矸石碳热还原合成β—SiC微粉的可能性,通过对合成工艺制度的探索,在高频感应加热炉中1450℃下反应4小时合成出β—SiC含量为88.07％(SiO_2的转化率为97.44％)、比重为2.94、平均粒径为14.4μm的微粉。     

CVD金刚石薄膜的制备方法及应用

对现在的化学气相沉积金刚石薄膜的方法和金刚石薄膜在器件中的应用进行介绍和评论。     

溶胶—凝胶法莫来石被覆SiC复合微粒子的制备

本文采用溶胶－凝胶法以组成为３Ａｌ２Ｏ３．２ＳｉＯ２的混合溶胶分别于和压力条件下，对ＳｉＣ微细粉进行包覆处理，该涂覆层在低于１０００℃下经１ｈ热处理可结晶成莫来石层，研究了涂覆溶胶浓度、涂覆压力对涂层厚度、结晶化温度等的影响，涂覆后的ＳｉＣ微粉在中高温的表面抗氧化性明显提高。     

CVI法制备先进陶瓷基复合材料

化学气相渗透(CVI)是最具潜力的先进陶瓷基复合材料(CMC)制备工艺。本文概要阐述了CVI技术的基本原理和工艺特点，对不同类型的CVI工艺进行了简单论述和评价，并提出了解决制件中大量残余气孔率的新思路、新方法，最后还对CVI技术的今后发展方向进行了展望。     

高聚物超细微粉的制备及应用

介绍聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯等高聚物超细微粉体的研究、制备技术，并概述了其粉碎技术进展和应用情况。     

碳热还原法制备重结晶SiC粉末的研究

研究了碳热还原制备重结晶α-SiC粉末的工艺过程，重点讨论了重结晶α-SiC的生长机理，同时，还探讨了SiC各相的稳定范围及工艺参数对产物形貌及产率的影响。     

生物形态多孔SiC陶瓷的制备技术

多孔SiC陶瓷可被用于过滤器件、触媒催化载体、分离膜、微反应器等工业领域.自然界的植物具有完美独特的结构形态,将其转化为碳模板,然后进行硅化处理制备生物形态的多孔SiC陶瓷,受到研究者的广泛关注.本文介绍了国内目前以高粱、木材和竹子为模板制备多孔SiO陶瓷的研究情况,并列出了多孔SiC陶瓷的应用.     

SiC/β-Sialon装甲陶瓷的制备及性能

采用无压烧结工艺制备高比强度SiC/β-sialon复相陶瓷。研究了原料组成和第一阶段反应温度对合成β-sialon相的影响,分析了氧化物添加剂和第二阶段烧结温度对材料烧结性能和力学性能的影响。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及万能试验机表征样品的物相组成、微观结构和力学性能。结果表明：用10%（质量分数,下同）的苏州土部分替代Al2O3和SiO2能有效促进β-sialon相的生成,在1500℃保温2h合成出无杂相的β-sialon相;复合添加5%ZrO2和5%Y2O3可促进样品的烧结致密化。当温度为1650℃时,样品的体积密度为2.90g/cm3,抗弯强度和断裂韧性分别达到375MPa和3.24（MPa·m1/2）,弯曲比强度为1.29×105（N·m）/kg,比Al2O3提高了40%以上。     

CVD SiC先驱体热分解过程的研究

介绍了各种化学气相沉积（CVD）碳化硅（SiC）先驱体的性质，比较了其沉积过程和沉积产物的差异，并利用HyperChem软件对2，4，6-三甲基-2，4，6-三硅杂庚烷（TMTSH）和甲基三氯硅烷（MTS）2种代表性先驱体的热分解过程进行了计算。结果表明：TMTSH结构中的Si-C键和Si-H键易断裂，分解为小分子自由基或者原子，能够在较低的温度下沉积得到SiC，且沉积速率和沉积效率较高，副产物随时间的变化而有所不同；MTS分子中的G-H键和Si-Cl键的键能都较大，反应所需的活化能较高，只有在较高的温度下才能沉积得到SiC，且沉积的速率和效率并不高。利用HyperChem进行理论计算的结果与实验结果一致。