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刘良军 《核电子学与探测技术》2007,27(3):425-427
叙述了使用orCAD软件仿真电荷灵敏前置放大器的方法,半导体辐射探测器的电荷仿真信号源的设计,讲述了一个仿真设计实例。结果说明软件仿真精度能够满足设计要求,可以代替大部分实验。 相似文献
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李振元 《核电子学与探测技术》1987,(6)
本文介绍一种低噪声电荷灵敏前置放大器,零外接电容噪声1.49keV,电容噪声斜率为15eV/pF,外接电容1000pF时上升时间12ns,输出动态范围±10V。 相似文献
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介绍了采用结型场效应管3DJ7I和集成运算放大器INA155组成的一种单电源电荷灵敏放大器电路的设计,电路具有单电源、低电压、低功耗的特点,适合在半导体个人剂量仪等便携式低功耗的仪器中应用. 相似文献
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为了缩小核辐射悬移质输沙率计的探头尺寸和探测球体范围,使之能测到临近河底的参量,必须采用小型探测器和与之相配合的前置放大器。我们利用高阻抗运算放大器SF357和FC61等制成了小型电荷灵敏放大器,通过长电缆(≤100m)把信号送到二次仪表。此电荷灵敏放大器适于在高计数率下工作,噪声低,稳定性好,体积小,结构简单。 相似文献
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一种低噪声快电荷灵敏前置放大器的研制 总被引:11,自引:6,他引:5
简要介绍了新型低噪声快电荷灵敏前置放大器。这种电荷灵敏前置放大器采用新的设计方法案,该前放主要采用低噪声场效应晶体管和集成运算放大器构成,其等效输入噪声≤2.2keV。该前放具有电路结构简单、体积小、输出信号上升时间快、噪声低、稳定性好等特点。 相似文献
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提出了一种由DMOS场效应管构成的电荷灵敏前置放大器,可用于硅,Si(Li),CdZnTe及CsI探测器。该前置放大器采用不同于传统的阻容反馈式的电路结构,完全使用MOS管搭建,该前放的设计完成为设计实现ASIC电路准备了技术基础。由Multisi m仿真结果看出该电荷灵敏前置放大器输出信号上升时间小于15ns,并且具有很好的稳定性。 相似文献
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用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计 总被引:3,自引:2,他引:1
介绍了一种用于GaAs半导体探测器,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计.设计性能指标达到:电荷灵敏度2×1012 V/C,等效噪声电荷<100(电子-空穴),上升时间<10 ns. 相似文献
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低噪声电荷灵敏前置放大器的噪声分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从基本的噪声模型出发,对自制前置放大器进行定量的噪声分析,并与Pspice仿真和实际测量的结果进行比较.给出等效输出噪声谱、等效噪声电荷、噪声斜率计算的实用公式,供电荷灵敏前置放大器的设计和改进使用. 相似文献
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介绍了一套用于硅多条阵列探测器中的高密度多通道电荷灵敏放大器的研制和阵列探测器电子学的发展现状和工作原理,提出了设计原则和设计思路,特别介绍了一个新开发的用于硅多条探测器中的48路电荷灵敏前置放大器的设计和实际测量结果.它具有低成本、高密度的特点,好于1%的能量分辨和良好的长期稳定性. 相似文献
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本文介绍用于同轴Ge(Li)探测器的QF-1105型低噪声电荷灵敏放大器,零电容噪声≤700eV(Ge)(典型值为603 eV),噪声斜率≤15 eV/pF。 相似文献
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为满足Topmetal-S芯片研制需求,设计了一种低噪声电荷灵敏前置放大器。该电荷灵敏前置放大器在0.35 μm商业标准工艺上完成设计,采用单端折叠共源共栅结构,其等效输入电荷噪声约为56.47 e,电荷转换增益为223.40 mV/fC,上升时间为633.30 ns;开环增益为75.07 dB,线性度在3.70%以内的输入电荷范围为0~6.50 fC。 相似文献
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介绍了两种用于氡气测量装置的电荷灵敏前置放大器的实例,给出了设计思想、调试过程和技术指标,说明了它们不同的应用场合。 相似文献
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利用电子电路仿真设计软件Multisim对核电子学中的典型电路电荷灵敏前置放大器进行了仿真测试。在结合理论分析的基础上,仿真分析了前放的一些基本特性如输出增益、输出脉冲上升时间、噪声、输入输出阻抗和带宽等,得出了与理论分析相符合的结果,对理论分析有较大的帮助和参考价值。 相似文献