全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型

提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性。因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义。     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态

通过实验研究了部分耗尽SOIN MOSFET总剂量辐射效应-9辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG（Transition Gate）是最恶劣的偏置状态。随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度-9空穴俘获率。模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因。     

部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.     

硅锗应变沟道MOSFET器件中阈值电压的解析模型

在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型,并用典型参数对模型进行了模拟,得到的模拟结果与实验结果能够很好的吻合.     

基于SCR的SOI ESD保护器件研究

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高...     

不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.     

一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器

设计并制造了一种基于SOI材料的直波导可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率。该VOA可实现20dB的光功率衰减量,所需要的最大功率为650mW,器件的片内插入损耗约为3．6dB。     

2007国际半导体工艺指南：MOSFET等比缩小所面临的问题

国际半导体工艺指南（ITRS）规划了今后15年（到2022年）的愿景：对晶体管的要求是：一些关键参数（如栅长、栅介电层厚度,漏电流和漏极饱和电流）要等比缩小,而工作速度要不断提高等。ITRS也评估了MOSFET等比缩小所面临的主要问题以及解决这些问题所需关键性工艺创新。     

基于神经网络模型的结构参数提取新方法

参数识别是结构健康监测、性能评估的关键问题之一。作为一种代表性的动力系统时域参数化模型方法,自回归滑动平均(Auto-regressive and moving average,ARMA)模型在机械和土木工程结构的参数识别中得到了广泛应用;另一方面,尽管一般而言神经网络模型的权重和阈值并不需要具备明确的物理意义,但由于神经网络具有描述复杂函数关系的能力,作为一种非参数化模型方法在结构动力系统的建模和控制领域发挥重要作用。该文首先通过结构运动平衡方程的离散时间解,证明了非参数化神经网络模型与ARMA模型在描述线性结构动力系统的响应时间序列上的等效性,在此基础上,提出了一种从结构的非参数化神经网络模型中抽取结构物理参数的新方法。通过一个多自由度系统的数值模拟结果和一个四层钢框架模型的动力试验实测数据验证了所提出的结构参数抽取方法的有效性。     

基于遗传算法的磁流变阻尼器模型参数识别

优化技术是一种以数学为基础,可用来求解各种工程问题最优解的应用技术.本文利用磁流变阻尼器动态特性数据,采用遗传算法进行阻尼器模型参数识别优化过程,最终将得到的磁流变阻尼器模型参数用于土木工程结构振动控制研究.已建立的磁流变阻尼器的动力特性将在不同的电场强度和变化的位移幅度下进行测试,可以得到在不同位移和速度下恢复力的滞回曲线,建立Bouc-Wen模型.把根据试验得到的滞回曲线和使用遗传算法对模型参数进行优化的结果进行比较可知,这种模型的参数可以以十分小的误差得到优化.     

纳米 MOSFET/SOI器件新结构

重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。     

Significant aspects of minority-carrier injection in dynamic-threshold SOI MOSFET at low-temperature

This paper demonstrates significant aspects of low-temperature minority-carrier injection in n-channel dynamic-threshold (DT) MOSFET having various silicon-on-insulator (SOI) layer thicknesses. Drain current vs. gate voltage and gate current vs. gate voltage characteristics are evaluated at temperatures ranging from 300 K to 30 K, and minority-carrier injection is characterized. Impacts of temperature, channel length, and silicon-on-insulator layer thickness on opposite drain current behavior are discussed by examining transconductance behavior.     

总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷分布

通过对载流子扩散机理的研究，由数学公式的推导，得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系。将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS管埋氧层中的电场分布的数据代入方程式，得到总剂量辐射下的SOI晶体管中的陷阱电荷的分布。得到的数据较好地解释了实验结果。     

SOI器件中浮体效应的研究进展

SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响，并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构。     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析

通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型.对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m.SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大.通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题.     

等离子体基离子注入法制备SOI材料

注氧隔离法（SIMOX）和体硅智能剥离法（Smart-cut）是目前制备绝缘体上的硅（SOI）材料的最重要的两种方法。而离子注入是其中最主要工艺过程。本文简述了等离子体基离子注入（PBII）在制备SOI的两种方法中应用的国内外研究现状。讨论了两种方法中需要考虑的共性问题，包括注入剂量的均匀性、等离子体中离子的选择、单一能量的获得以及避免C、N、O及金属粒子的污染等。并且针对SIMOX和smart-cut各自的工艺特点，分别讨论了不同工艺参数的选择、工艺中出现的主要问题和一些已经得到的解决办法。