（100）n－GaAs在H_2SO_4－H_2O_2－H_2O溶液中的腐蚀速度

以Ｃ－Ｖ测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术，对ＧａＡｓ外延多层结构的剖面分布进行了测量，获得了ＧａＡｓ（１００）晶片在不同温度下的Ｈ＿２ＳＯ＿４－Ｈ＿２Ｏ溶液中的腐蚀速度数据。结果表明，当Ｈ＿２ＳＯ＿４：Ｈ＿２Ｏ＿２：Ｈ＿２Ｏ＝９：１：１时，对ｎ＝１．１０￣（１４）～１．１０￣（１８）ｃｍ￣－３的ＧａＡｓ（１００）晶片，２０℃时的腐蚀速度为ｖ＝０．３～０．９μｍ／ｍｉｎ．作者认为，这一配方对ＧａＡｓ（１００）多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。     

LPEGaAs／Ga_（1－X）A1_xAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的Ｐ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ一Ｇａ＿（１－ｘ）Ａ１＿ｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

LPE法GaAlAs／GaAs多层光阴极材料的研制与性质

应用ＬＰＥ法成功地制出了Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ／ＧａＡｓ多层结构材料，讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为，测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质，井观察了材料表面形貌。     

MOCVD法制备GaSb,GaAsSb,AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料

本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题，利用ＳＥＭ和光学显微镜、Ｘ射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得ＧａＳｂ６／ＧａＡｓ结构中非有掺杂ＧａＳｂ层的Ｘ射线双晶摆曲线半峰小于１５０孤秒，霍尔迁移率μ＿ｐ（３００ｋ）＞６２０ｃｍ￣２／Ｖ·８，载流子浓度小于１×１０￣１６ｃｍ￣（－３），接近同质外延水平．     

砷化镓材料发展和市场前景

综述世界ＧａＡｓ材料器件的产销情况、市场前景及ＧａＡｓ材料的发展趋势。预测２０００年ＧａＡｓＩＣ用于通讯将占ＧａＡｓＩＣ市场的７１％,并以年均增长率１５％的速度发展。发光器件１９９９年增长１２％,。其中激光器件增幅最大,达１６％。ＧａＡｓ材料电子哗啦和光电器件的比例约为２：＃。对大直径、低位错、低热应力、高质量的ＧａＡｓ单晶有较大的需求量。ＶＢ、ＶＧＦ和ＶＣＺ是满足这些要求的最佳ＧａＡｓ单晶生长方     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

MOCVD法生长Ⅲ－Ⅴ族化合物材料近红外光致发光的测量

本文利用近红外光致发光技术测量了ＭＯＣＶＤ生长的Ⅲ－Ⅴ族化合物Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）和ＩｎＰ中的深能级发光，研究了这些深能级发光对激发强度和温度的依赖关系；讨论了Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延层深能级发光的辐射机理和来源，得出了ＩｎＰ外延层的Ｃ带发光的热激活能。     

Synthesis of Phosphors(Ce_(0.67)Tb_(0.33))MgAl_(11)O_(19) and BaMgAl_(10)O_(17)∶Eu~(2 ) by Microwave Irradiation Technique and Their Luminescent Properties

Ｔｈｅｐｈｏｓｐｈｏｒｓ（Ｃｅ０．６７Ｔｂ０．３３）ＭｇＡｌ１１Ｏ１９（ＰＧ）ａｎｄＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７∶Ｅｕ２＋（ＰＢ）ａｒｅｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄａｓｇｒｅｅｎａｎｄｂｌｕｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｍａｔｅｒｉａｌｓｉｎｒａｒｅｅａｒｔｈｓｔｒ...     

LPE GaAs／Ga1—xAlxAs多层光阴极材料均匀性研究

用ＬＰＥ法生长了表面光亮、性质均匀的ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｐ－ＧａＡｓ／ｐ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ（衬底）多层异质材料；研究了材料的电学性质、掺杂剂分配，探讨了外延层的厚度均匀性、组份均匀性并观察了表面形貌。结果表明上述材料可用于制备第三代光阴极。     

GaAs材料抛光机理的研究

ＧａＡｓ材料抛光机理的研究陈坚邦王云春董国荃（北京有色金属研究总院北京１０００８８）关键词：原子氧ＧａＡｓ抛光机理氧化物１引言ＧａＡｓ材料硬度低、脆性大、缺陷多、易解理、加工困难，在抛光工艺中对单晶材料的缺陷及其完整性非常敏感。目前较多采用化学机械...     

γ一射线辐照对稀土复合氧化物La_（2－x）Sr_xFe_2O_（7－δ）改性

用ＸＲＤ、ＴＧ、ＩＲ和ｍｏｓｓｂａｕｅｒ技术，研究了γ－射线辐照对稀土夏合氧化物Ｌａ＿（２－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅ＿２Ｏ＿（７－δ）（０．２≤ｘ≤１）粉料性能的影响。发现粉料经辐照后，其Ｆｅ一Ｏ键相互作用增强，非他学计量氧的减少量增大，高质异能移（Ｉ．Ｓ．）发生变化。证明了γ一射线辐照是一个还侯过程，γ一射线辐照可以改变粉料的性能。     

MLEC GaSb单晶的光致发光谱

ＭＬＥＣＧａＳｂ单晶的光致发光谱郑安生，邓志杰，武希康，屠海令，钱佑华（北京有色金属研究总院１０００８８）（复旦大学）关键词：ＭＬＥＣ，ＧａＳｂ，光致发光谱（一）前言由于ＧａＳｂ单晶是制备２～４μｍ波段光电器件￣［１、２］以及ＧａＡｓ／ＧａＳ６高效迭...     

Intragranular Rare Earth－rich Phases in As－cast High－temperature Ti－5Al－4Sn－2Zr－1MO－0．25Si－1Nd Alloy

ＩｎｔｒａｇｒａｎｕｌａｒＲａｒｅＥａｒｔｈ－ｒｉｃｈＰｈａｓｅｓｉｎＡｓ－ｃａｓｔＨｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＴｉ－５Ａｌ－４Ｓｎ－２Ｚｒ－１ＭＯ－０．２５Ｓｉ－１ＮｄＡｌｌｏｙＬｉＧｅｐｉｎｇ（李阁平）；ＬｉＤｏｎｇ（李东）；ＬｉｕＹｕｙｉｎ...     

Y_（1－x）Dy_xBa_2Cu_3O_（7－δ）（X＝0．03，0．05）

叙述了用双靶直流磁控溅射仪制备Ｙ１－ｘＤｙｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－６）（ｘ＝０．０３，０．０５）超导薄膜的工艺。按其工艺制备的薄膜Ｔｅ均大于８８Ｋ，随着ｘ值增加，Ｊ＿ｃ有上升趋势。ＸＲＤ、ＳＥＭ的结果表明镝掺杂膜有很好的ｃ轴取向。讨论了高温超导体钉扎机制。     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

CaO－MgO_（sat）－FeO_n－SiO_2渣系与铁液间磷平衡分配比的极

按文献［１～４］，Ｌ＿ｐ与（ＦｅＯ＿ｎ）和Ｒ之间均有极值关系存在。本文得出从不同侧面反映的Ｌ＿ｐ极值关系式和曲线：（１）按ＣａＯ／ＳｉＯ＿２＝０～０．９，０．９１～１．９和＞１．９三个区段划分的，用１／Ｔ、ｌｇ｛（ＣａＯ）＋０．７（ｍｇＯ）｝、ｌｇ（ＴＦｅ）和ｌｇ（Ｐ＿２Ｏ＿５）表述的一次多项式；（２）按ＣａＯ／ＳｉＯ＿２＝０～０．０９，０．１～０．９，０．９１～１．４，１．４１～１．９和＞１．９五个区段划分的，用１／Ｔ，（∑ＦｅＯ）、（∑ＦｅＯ）￣２和ｌｇ（１＋ＳｉＯ＿２）表述的非齐次多项式；（３）按∑ＦｅＯ＝１３％～１５％，１６％～２０％和３０％～３５％三个区段描述的Ｌ＿ｐ－Ｒ极值曲线。并发现Ｌ＿ｐ与（∑ＦｅＯ）和Ｒ之间的极值关系存在一定规律。     

Nd_2O_3对PbTiO_3基压电陶瓷性能的影响

本文主要介绍Ｎｄ＿２Ｏ＿３改性ＰｂＴｉＯ＿３基压电陶瓷的一些实验结果。此种陶瓷系统的额定化学式为（Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｎｄ＿ｘ）（Ｔｉ＿（０．９２）Ｍｎ＿（０．０２Ｉｎ＿（０．０６）Ｏ＿３，其中ｘ是摩尔分数，并有ｘ＝０，０．０２，０．０４，０．０６，Ｏ．０８，０．１和０，１２。通过使用静水压成型和氧气氛烧结，可以获得用于高温和高频领域的ＰｂＴｉＯ＿３压电陶瓷，此种材料的性能是，气孔小，密度高，晶粒细小，ｋ＿ｐ～１０％，ｋ＿ｔ～６０％，ε＿（３３）／ε＿０～２４０，ｔａｎδ～２％和居里点～３４０℃。     

半导体缺陷工程

介绍了缺陷工程的概念，描述了几种重要半导体缺陷，如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和可靠性。重点阐述了化合物半导体中的位错行为及降低位锗的工艺技术，对与半绝缘ＧａＡｓ研究密切相关的ＥＬ２工程和ＩＴＣＧａＡｓ（倒转热转变）也作了简单介绍。     

铜转炉操作中石英熔剂平衡计算数学模型

以冰铜重量（Ｗ），冰铜铜品位（Ｃｕ％），石英熔剂中ＳｉＯ＿２含量（Ｃｓ＿（ｉｏ２％））及转炉渣ＳｉＯ＿２含量（Ｓ＿（ｓｉｏ２％））为操作控制变量，通过物料平衡计算，以及多元回归得出石英熔剂平衡计算数学模型为：Ｗ＿（ｓｉｏ２）＝（１．８２９８Ｓ＿（ｓｉｏ２）％－０．６１９０４Ｓ＿（ｓｉｏ２％）×Ｃｕ％－７．３３７６）×（０．３３２６－０、００１３４７Ｃ＿（ｓｉｏ２％））￣３Ｗ，应用该模型进行计算所得到结果与实际操作量能较好相吻合。     

一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。