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随着工业技术的快速发展,对工业材料高功能、高性能化的要求也更高。作为高功能的工艺技术有气相沉积法。气相沉积大体分为两类即化学气相沉积法(CVD法)与物理气相沉积法(PVD法)。特别是CVD法,由于是通过在气相中或在基板表面的化学反应形成所要求的材料的薄膜,因此通过控制流入反应室内的化合物气体,可以高纯度地合成多种材料。 相似文献
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CVD Al2O3-SiO2系氧化物及其机理分析 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了AlCl3-SiCl4-H2-CO2气相系统不同温度化学气相沉积Al2O3-SiO2系氧化物相组成及显微结构,分析了化学气相沉积过程机理。结果表明,CVD过程不能实现Al-Si化合物的均匀混合,不同温度沉积产物为不同变体Al2O3结合非晶SiO2或其固溶体复合氧化物,1050℃以下,随沉积温度提高,沉积物颗粒尺寸减小,1050℃可沉积出晶化较为完全的莫来石结合α—Al2O3,t—Al2O3和非晶SiO2致密涂层。 相似文献
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硬质合金PECVD设备的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)是一种利用高压电场 ,使含有涂层元素的化合物或单质气体激发成等离子体 ,加速化学反应 ,降低沉积温度、提高沉积速率的一种涂层技术 ,使硬质合金表面性能强化 ,并保持基体原有抗弯强度。本文主要介绍了一种硬质合金PECVD设备 ,该设备结构简单 ,能实现低温条件下的化学气相沉积 ,等离子体起到增强沉积反应的作用 ,实验表明该设备能较好地完成TiN -TiCN复合涂层 ,也为进一步研究提供了参考。 相似文献
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最近,化学气相沉积技术作为表面硬化法既引人注目,且已迅速得到应用。目前,日本为提高各种工具和机械零件的耐磨和耐热,同时为增强耐蚀和改善装潢,广泛应用了化学气相沉积技术,在延长处理件的寿命和提高质量方面取得了成效。本文对超硬化合物涂膜的单层或多层涂 相似文献
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介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能. 相似文献
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本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能. 相似文献
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本讲座介绍了激光化学气相沉积的基本原理,较详细地讲述了制备金属薄膜、金刚石薄膜、类金刚石薄膜、氢化非晶硅薄膜、化合物半导体薄膜及绝缘体薄膜等所用的激光器、工艺参数以及薄膜的性能. 相似文献
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CVD金刚石薄膜衬底表面预处理技术进展 总被引:4,自引:1,他引:3
评述了化学气相沉积金刚石薄膜衬底表面预处理技术的进展情况。分析了表面研磨法、等离子刻蚀法、浸蚀除钴法、沉积中间层法在衬底表面形成稳定化合物等预处理对CVD金刚石薄沉积的影响。结果表明,金刚石粉末研磨基底、化学浸蚀除钴、在基底表面添加中间层以及在基底表面渗入第三元素并且使这种元素和基底表面的钴形成稳定中间化合物的方法都可提高金刚石的形核率,但大部分研究表明等离子体刻蚀预处理对金刚石的形核则起阻碍作用。 相似文献
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CVD技术的应用与进展 总被引:5,自引:0,他引:5
简要论述了化学气相沉积(CVD)技术的工作原理,与其他表面硬化技术相比的特点,应用领域,以及近年来发展的金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)、激光化学气相沉积(LCVD)、超高真空化学气相沉积(UHVCVD)和热丝化学气相沉积(HWCVD)等新CVD技术,展望了该技术的发展趋势和应用前景。 相似文献
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纳米涂层应用及主要制备方法 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了纳米涂层的主要应用方面,概括介绍了目前常用的纳米涂层的制备方法,包括刷涂、热喷涂法、化学气相沉积、物理气相沉积、等离子化学气相沉积、溶胶—凝胶法等。 相似文献
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化学气相沉积钨涂层具有工艺简单、技术成熟度高、涂层综合质量优异等特点,广泛应用于国防、航天、核工业等领域。首先介绍了化学气相沉积钨涂层的原理和特点,重点讨论了化学气相沉积钨涂层的工艺及应用研究现状,包括化学气相沉积钨涂层微观组织控制工艺及在耐辐射、耐磨耐蚀和高温防护领域的应用,同时对新型化学气相沉积钨涂层技术的发展进行了展望。一是改善现有工艺存在的反应气源与反应产物毒性大等问题,满足绿色环保的发展要求;二是改善现有工艺存在的沉积温度高、沉积速率偏低等问题,实现在不同衬底表面的高效、高质量沉积;三是改善现有化学气相沉积钨涂层结构与功能单一等问题,满足构件对钨涂层高性能和多功能的需求。 相似文献
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Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性,因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传感器、太阳能光伏电池面板介电层等方面得到应用。对以Ta(OC2H5)5为原料,通过常规金属有机化合物气相沉积、光致化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积和脉冲化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜进行了评述,并对这些方法存在的问题进行了分析。 相似文献