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BF2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文本采用SIMS技术,分析了BF2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性,结果表明,80keV,2×10^15和5×10^15cm^-2BF2^+注入多晶硅栅经过900℃,min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中,F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 相似文献
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BF2^+注入硅栅PMOSFETγ辐照效应 总被引:1,自引:0,他引:1
本文系统地研究了BF2^+注入硅栅PMOSFET阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了BF2^+注入抗γ辐照加固的机理。结果表明,BF2^+注入是一种抗γ辐照加固的新方法。 相似文献
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利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响. 相似文献
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本文对TiO2陶瓷晶界层电容器进行了较为系统的研究。用液相喷雾干燥法制备含Nb5+,Ba2+微量杂质的TiO2超细原料粉末,研究了TiO2陶瓷的电性能与烧结温度和测试条件的关系,阐述了TiO2晶界层电容器的形成机制。 相似文献
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根据本文作者之一(1991)提出的SBOS相邻逻辑对称序列的性质,给出确定SBOS对称序列左右界两顶点子集的一个通项公式。这对于利用“对跳定界搜索”法快速实现SBOS对称序列,提供了一个选择定界范围和实用算法的依据。 相似文献
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Ajay K. Srivastava Ashutosh Bhardwaj Kirti Ranjan Namrata Sudeep Chatterji R. K. Shivpuri 《Materials Science in Semiconductor Processing》2003,6(5-6):555-559
The influence of crystal damage on the electrical properties and the doping profile of the implanted p+–n junction has been studied at different annealing temperatures using process simulator TMA-SUPREM4. This was done by carrying out two different implantations; one with implantation dose of 1015 BF2+ ions/cm2 at an energy of 80 keV and other with 1015 B+ ions/cm2 at 17.93 keV. Substrate orientation 1 1 1 of phosphorus-doped n-type Si wafers of resistivity 4 kΩ cm and tilt 7° was used, and isochronally annealing was performed in N2 ambient for 180 min in temperature range between 400°C and 1350°C. The diode properties were analysed in terms of junction depth, sheet resistance. It has been found that for low thermal budget annealing, boron diffusion depth is insensitive to the variation in annealing temperature for BF2+-implanted devices, whereas, boron diffusion depth increases continuously for B+-implanted devices. In BF2+-implanted devices, fluorine diffusion improves the breakdown voltage of the silicon microstrip detector for annealing temperature upto 900°C.For high thermal budget annealing, it has been shown that the electrical characteristics of BF2+-implanted devices is similar to that obtained in B+-implanted devices. 相似文献
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“与密钥模2~n加运算”的差分性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
“与密钥K模2n加”-Y=X+Kmod2n是密码算法中一个常用的基本编码环节,在SAFER++,RC6 Phelix等算法中有广泛的应用。该文对Y=X+Kmod2n进行了差分分析,首次给出了当差分转移概率取最大值1,次大值1-1/2n-2,次小值1/2n-2以及1/2时,输入差,输出差及密钥的结构特点和计数公式。 相似文献