NO+OCIO反应机理的直接动力学研究

采用直接动力学方法,对化学反应NO+OClO的反应微观机理进行了理论研究.在MP2/6-311 +G(d,p)水平下优化得到了稳定点的几何构型,并进行了简谐振动频率分析.通过应用内禀反应坐标理论获得了反应的最小能量路径,能量信息的较高水平的矫正在MC -QCISD//MP2/6 -311 +G(d,p)水平下完成.通过...     

NO+OCIO反应机理的直接动力学研究

采用直接动力学方法,对化学反应NO+OClO的反应微观机理进行了理论研究.在MP2/6-311 +G(d,p)水平下优化得到了稳定点的几何构型,并进行了简谐振动频率分析.通过应用内禀反应坐标理论获得了反应的最小能量路径,能量信息的较高水平的矫正在MC -QCISD//MP2/6 -311 +G(d,p)水平下完成.通过采用改进正则变分过渡态理论,同时结合小曲率隧道效应等校正方法,计算了得到了NO+ OClO反应的速率常数值(298～2000 K温度范围),理论计算得到的NO+ OClO反应的速率常数值与实验数据符合得非常好.     

CH3CH2F与O（3P）反应机理的量子化学研究

用量子化学从头算MP2(full)/6-311G(d,p)方法研究了CH3CH2F与O(3P)反应的反应机理.在QCISD(T)/6-311++G(d,p)水平上精确计算了各反应物种的能量.结果表明:CH3CH2F与O(3P)反应共存在4类反应9个反应通道,分别为抽提氢反应,消氢反应,碳碳键断裂反应和消氟化氢反应,抽提氢反应为主反应通道.     

SiCl4锌还原异相反应机理的研究

通过MP2/6-311G（d,p）方法,计算并得到了SiCl4锌还原各反应通道上各驻点的几何构型、振动频率和能量.根据密度泛函理论,采用广义密度梯度近似和总体能量平面波赝势方法结合周期性平板模型,研究了反应驻点在Si（100）面上的吸附、解离及锌还原过程.结果表明,衬底硅参与SiCl4锌还原反应,SiCl4易在顶位吸附解离成SiCl3和Cl;当硅基表面有Cl自由基吸附时,Zn或ZnCl更倾向于与Cl结合,而不是还原SiCln（1～3）.     

气相中Zn~+与NO_2、CO和N_2O的催化反应及其机理

采用密度泛函UB3LYP/6-311+G(2d)方法计算研究了Zn~+离子与NO_2的反应机理以及Zn~+离子与CO、N_2O的循环催化反应机理.全参数优化了反应势能面上各驻点的几何构型.用UB3LYP/6-311++G(3df,3pd)方法对各驻点作了单点能量计算.计算结果表明:在Zn~+与NO_2的反应以及Zn~+与CO、N_2O的反应中,激发态的四重态Zn~+(4s~13d~94p~1,~4F)的能量比二重态Zn~+(4s~13d~(10),~2S)的能量高1 377.87 kJ/mol,基态~2Z     

NH3(H2O)3氢键团簇的理论计算研究

用经验势与ab initio理论相结合的方法寻找了团簇NH3(H2O)3的稳定结构。对由经验势计算所得的100个初始结构,进一步用HF和MP2的理论方法,在6-31 G(d,p)和6-311 G(d,p)基组水平上对其进行几何优化、能量计算和频率计算。分析了氢键的特征以及团簇的结合能,并得到团簇的5种能量较低的稳定结构。计算结果表明:不同情况的氢键分布能够产生多个能量相近、空间结构不同的异构体;团簇中最稳定的异构体呈平面环状结构,分子间氢键键长在1.772~2.030之间。     

分子/离子相互作用对硝基三唑感度影响的理论研究

为了降低炸药感度,借助B3LYP和MP2(full)理论方法在6-311++G**和6-311++G(2df,2p)以及aug-cc-pVTZ基组水平上研究了Na+离子与14种硝基三唑化合物之间分子-离子作用对C-NO2引发键强度及硝基电荷的影响.结果表明:复合物形成后,分子-离子作用可使引发键键长减小,离解能增大,引发键增强,感度降低.借助原子-分子理论(AIM)对该结论进行了验证,同时发现ΔBDE与分子-离子相互作用能成良好的线性关系.     

基于质子传导机理的四氮唑分子间氢键研究

为了探明四氮唑体系质子传导速率与分子间氢键强度的关系,采用密度泛函理论,在B3LYP/6-311++G(2d,2p)水平下对四氮唑二聚体N_4CH_2-N_4CH_3进行了几何结构优化和频率分析,重点分析了能量相对较低的8种二聚体的结构、能量、自然键轨道(NBO)和电荷转移量,并采用QST_2方法在B3LYP/6-31+G(d)水平下研究了8种二聚体间质子传递的动态过程,发现了6种过滤态,计算了其传递能垒.结果表明,四氮唑与质子化的四氮唑阳离子通过N…H—N氢键形成分子间相互作用较强的二聚体N_4CH_2-N_4CH_3,N…H—N氢键表现出明显的红移特征;N…H—N氢键相互作用稳定化能主要是N原子孤对电子轨道与N—H键反键轨道之间的相互作用;N…H—N氢键强度是影响质子传递能垒大小的主要因素,即直接影响着四氮唑体系中质子的传导速率.     

COS与O2反应机理的理论研究

用量子化学密度泛函理论 (DFT)方法 ,对 COS与 O2的反应进行了理论研究 ,在 UB3LYP/6-31G* , UB3LYP/6-311 G**计算水平上 , 优化了反应势能面上各驻点(反应物、产物、中间体和过渡态)的几何构型 , 在 UB3LYP/6-31G*水平上通过内禀反应坐标( IRC)计算和振动分析 , 对过渡态进行了确认 , 并确定了反应机理. 研究结果表明 , 反应主要产物为 CO2和 SO.     

胸腺嘧啶与Ca~+复合物的稳定结构及电荷分布

使用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法并在6-311+G(2df,2p)基组的水平上,对Ca+和胸腺嘧啶(Thymine)形成的复合物TCa+的结构、稳定性、离子亲和能和电荷分布进行了细致的分析,发现T3与Ca+形成较稳定的结构,且与其它两种同分异构体相比,电荷转移最明显.     

激光引发气相化学合成Si3N4超细粉末

利用CO_2激光引发在NH_3/Si_3H_4体系中化学合成超细、高纯Si_3N_4粉末。实验研究了反应参数和反应条件,在较好的实验条件下制备出近似球形、粒径约20mm、纯度98％的无定形Si_3N_4粉末。     

密度泛函理论研究CH_3Cl与Cl~(4/)的亲核取代反应

用DFT理论的B3LYP/6 31 1 + +G 水平上对反应Cl- +CH3Cl→ClCH3+Cl-的电子转移的振动光谱进行研究。此反应包括旧键断裂 ,新键生成以及分子间的电子转移。分析了反应物 ,前驱配合物 ,过渡态 ,后继配合物和产物的振动频率及振动模式。它们之间的关系和变化验证了键的断裂、键的生成及电子转移过程     

Impacts of hydrogen dilution on growth and optical properties of a-SiC:H films

Hydrogenatedamorphoussiliconcarbon(a-SiC:H)filmshavefoundagreatdealofusesinsolarcells[1],thinfilmtransistors[2],lightemittingdiodes[3],ultravioletimagesensors[4],microfluidiccoatings[5]andprotectivebarrierforcorrosionorthermaloxidation[6,7],becauseofitsuniquepropertiessuchaswideopticalbandgap,highmechanicalhardnessandchemicalstability.However,astheCcontentincreases,theelectronicandstructuralpropertiesofthefilmstendtobeinferior[8].Althoughinrecentyearsmuchworkhasbeendevotedtoexploringthedeposi…     

A Novel Topological Index F and Its Correlation With Standard Formaton Enthalpies of AB_n(g) Molecules

The topological index F* is defined and obtained by the method of a non-dimensional unit calculation in which three matrices multiply with each other. These matrices represent the connective cases of atoms in a molecule, the structural features of atoms on top and the bonded cases of the adjacent atoms respectively. The standard formation enthalpies of ABn(g) molecules were correlated with F'* (A = C, Al, Si, Ti, Zr, B = F, Cl, Br, I, H, n=1 -4) and these correlation coefficients are all more than 0.96. Some molecules (e.g CH4, SiH4,etc. )can be preferably handled by F* but can not be dealt with by other topological indices. By contrast to traditional hydrogen suppressed graph, the contribution of hydrogen atoms to structures and properties of molecules is considered.     

非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征

在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500 nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学禁带宽度在1.60—1.78 eV之间变化。     

弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真

基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。     

HFCVD法制备SiC材料及结构分析

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为SiC晶体.     

Si~(4+)掺杂对BaZr(BO_3)_2:Eu荧光粉能量传递的影响

采用高温固相法合成了Si4+掺杂的BaZr(BO3)2:Eu红色发光荧光粉。激发光谱表明,不同Si4+掺杂浓度明显使电荷迁移态(CTS)向高能量的位置移动,且改善了样品的发光强度。分析认为,这是由于Si4+的电负性大于所取代的Zr4+,且Si4+的进入影响了Eu3+的配位数,提高了CTS向发光中心的能量传递几率。依据Judd-Ofelt理论计算的强度参数表明,随着Si4+掺杂浓度的增加,Eu3+所处格位的对称性明显降低,增大了Eu3+的跃迁几率,从而改善了发光强度。计算Eu3+间的能量传递几率发现,在掺杂浓度为5%时,Eu3+间的能量传递几率很小,其对荧光粉的发光影响不大。     

氯胺在管网中水相衰减影响因素研究

以纯水和管网水为研究对象,分别考察了氯氨比、氯胺质量浓度、总有机碳(total organic carbon,TOC)浓度、NO2--N质量浓度、温度θ和pH等水质参数对氯胺衰减的影响.研究结果表明,氯胺在纯水中存在自衰减现象,氯氨比和初始氯胺质量浓度对其自衰减都有一定影响.管网水中氯胺的衰减速率则明显大于同条件下纯水中氯胺的衰减速率,w(Cl)∶w(N)=4∶1的氯氨比w(Cl)∶w(N)=3∶1的氯胺具有更好的稳定性.氯胺初始质量浓度是氯胺衰减的重要因素,初始质量浓度越大,氯胺衰减的速率越快;水中有机物和NO2--N质量浓度的增加会提高氯胺衰减速率;温度对氯胺的衰减有明显影响,随温度升高,氯胺在水相中消耗变快;氯胺的衰减属于酸催化反应,pH的降低会增加氯胺的衰减速率.     

聚噻吩掺杂性质的量子化学研究

采用密度泛函理论B3LYP方法,在6—31G基组水平下,对聚噻吩未掺杂体系及其掺杂体系进行了计算,根据几何、前线轨道和原子电荷的计算结果,分析了掺杂剂与聚噻吩链上极子异构区的作用．修正了以前研究工作中不考虑掺杂剂,而认为聚噻吩链上的电子得失是完全的这一缺欠．