未经退火的离子注入层的电解水氧化显微观测

本文重点报导用电解水氧化显微法观测未退火的离子注入硅片的注入层深度,将其与经电子束退火、热退火后离子注入硅片的结深进行了比较。     

阳极氧化法显示InSb P-N结的结剖面

利用InSb晶片阳极氧化时的氧化速率依赖于晶片的载流子浓度这一特性,成功地显示出InSb扩散结剖面及其形貌,并由此测出了在不同条件下Zn,Cd在InSb中扩散的P-N结深度。     

阳极氧化法显示InSbPN结剖面

PN结深度是制备半导体器件的所需重要参数之一。要测量结深,通常须把结剖面显露出来;一般采用的化学染色法,对于很多半导体都是适用的,并已成功地用于PN结研究,但是很难显示InSb的结剖面。IuSb晶片在KOH、NaOH等电解液中阳极氧化时,其氧化速率与样品掺杂浓度密切     

用“阳极氧化法”测量InSb器件的p—n结深度

本文就如何利用“阳极氧化法”显示InSb半导体p-n结剖面形貌并测算出结深作一阐述。     

浅结及低浓度掺杂区显示法研究

一、引言半导体的轮廓显示常采用染色、腐蚀及镀膜技术。迄今为止，这项工作只有凭经验，人们对试样的研究越多，就变得越精通。随着半导体工艺及VI石1技术的发展，结做得越来越浅，而浅结及低浓度掺杂区的显示难度较大，分辨率较差。正因为难度较大，所以我们对此进行了一些实     

电解水产生氢气泡尺度分布的测量

为了便捷地测量出电解水产生的氢气泡场的尺度分布,提出了一种利用显微照相、微气泡图像处理和统计分析技术的方法。首先通过显微照相系统拍摄同一区域不同时刻电解水产生的氢气泡图像;然后采用图像增强、分割、形态学处理、颗粒测量等手段获取每张图像中微气泡的数量和尺度;最后利用测量区域内微气泡数量变化的平稳随机特性,用测量区域内微气泡在时间轴上的统计尺度分布特性代替空间特性,获得氢气泡在整个气泡生成空间的尺度分布。结果表明,3种电解电流密度条件下,电解水产生氢气泡的尺度分布基本符合高斯分布,平方相关系数大于0.95;且电解电流越大,气泡尺度分布越分散;但电解电流的大小对氢气泡的平均尺度的影响不明显。该方法可有效地测量电解水产生氢气泡的尺度分布。     

测量激光器结温的脉冲注入法研究

提出了一种精确测量半导体激光器结温的方法。由于激光器的热容很小，因此采用脉冲注入的方法可以显著减小激光器的温升。研究了脉冲电流注入下激光器的激射波长随环境温度的变化规律，通过实验研究得到电流脉冲宽度和周期与激射波长的关系，理论分析得到的定量关系式与实验结果十分吻合。在此基础上得到了精确测量激光器结温的最佳脉冲参数。即脉宽为10ns，脉冲周期为10μs。并且确定了激光器结温与激射波长的定量关系式，波长随温度的漂移系数为0．0728nm／K。这种方法避免了电学测量法中的结电压波形过冲。测量精度明显优于后者，同时也可以方便地测量封装好的激光器组件的温度特性。     

全息干涉显微法测量自聚焦棒透镜的折射率分布

给出一种用全息干涉显微法测量自聚焦棒透镜折射率分布的测量原理、测量结果和误差分析.这种方法具有测量精度高、视场大、数据处理简单和放大倍数连续可调等优点.     

用显微干涉法测量光纤预制棒的折射率分布

一、引言截面折射率分布是优质光纤材料制备工艺中必须控制的一个最重要的参数,它对于所拉制成光纤的光传输性能有决定性的影响。因此,国内外的许多科技工作者在截面折射率测量方面做了大量的工作。根据所使用方法的原理,大体可分为:反射法、近场图象法、散射法和干涉法等四类。我们使用的方法属于显微干涉法的一种。干涉法无论在原理上或在方法上都比较成熟,所使用的设备较少,准确度和精确度也比较高。但是,它要求样品的两面具有高度     

关于功率晶体管峰值结温的电测量技术

本文描述了用简单的电测量方法测定功率晶体管峰值结温的技术。为了确定峰值结温,考虑到器件有源区内校准的和测量的电流分布之间的差异,改变了标准的电测量技术。当温度分布比较均匀时,电测量测定的峰值结温比红外测量值仅低6％或不到6％,但标准电测量技术测定的峰值结温比红外测量值低10％到25％左右。当温度分布不均匀时,器件的有源区只有20％左右处于稳态功耗,这种情况下电测量技术确定的峰值结温比红外测量低11％以下,而标准电测量的结温却比红外测量值低40％以上。在器件的工作条件相同的情况下,分别用标准电测量方法、红外技术和电峰值结温技术确定峰值结温,并与器件制造者给的最大安全工作温度和安全工作极限作互相比较。建议采用电峰值结温技术来获得更为实用的安全工作区极限,并用它来确定功率晶体管标称安全工作极限的可信度。在这项研究中,采用T0-66和T0-3包封器件,这两种器件是采用多种技术(外延基区单扩散和多重扩散)制作的具有外引线和内引线的台面和平面结构的器件。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

基于积分宽度法测量发光二极管结温方法的研究

本文提出了一种基于光谱积分宽度法来测量发光二极管(light emitting diode, LED)结温的新方法,并进行了理论分析和实验研究。本方法主要分为光谱数据采集、定标函数的测定和结温测量三个过程。首先,为了测量成本的降低和精度的提高而采用在正常工作电流下采集LED光谱数据,并通过采用不同温度下的光谱积分宽度与选定的某一基准状态下的值逐差可得到线性度达0.99以上的定标函数,并通过此定标函数可实时测定任意状态下的结温。其次,为了比较本方法测量结温的精确性,分别对单色和白光LED采用本方法和业界主流的正向电压法,通过自行设计的基于积分宽度法结温测量系统和美国Mentor Graphics公司的T3Ster型仪器的测量结果进行比较,两种方法测出的结温最大偏差为2.1℃,在可接受的误差范围内。实验结果表明积分宽度法测结温具有高效便捷且低成本的的特点,具有一定的应用前景。     

荧光寿命成像显微的频域零差法测量及数据处理

介绍了一种实现荧光寿命成像显微技术（FLIM）的频域零差法，并改进了测量数据的逐点分析法，设计了相应的数据处理软件．通过对模拟数据的处理表明，完全满足FLIM数据处理的要求。     

激光光栅显微投影法表面微观形貌测量系统的研制

本文研制了基于激光光栅显微投影法的表面微观形貌测量系统。该系统由激光器 ,CCD ,两个显微物镜 ,图象采集卡 ,计算机和数据处理软件组成。两个显微物镜一个用来将光栅进行缩小投影到被测物体的表面上 ,形成被被测物体表面高度所调制的条纹 ;另一只显微物镜则将被调制的条纹图像成像到CCD的靶面上 ,CCD采集的图像输入到计算机中进行相关计算而得出被测表面的微观形貌。本文介绍了该系统的测量范围和分辨率计算方法 ,并对实验数据进行了可靠性分析。结果分析表明 ,该系统能可靠地测量物体的表面微观形貌。     

正向压降法测量GaAs双异质结激光器热阻

本文简述用正向压降法测量GaAs DH激光器热阻的原理和方法。我们的实验证明,GaAs DH激光器的正向压降对温度的变化系数β=△V_正/△T在一定的温度范围内,在固定电流下,是与温度无关的常数,其值较大,在1～3毫伏/℃范围内。这种方法,精度较高,设备简单,测量方法简单,在一般的生产单位和实验室里容易实现。     

p-n结的阳极氧化显示

本文主要说明p-n结的阳极氧化显示的原理、实验结果以及在长期研制工作中的应用情况。该法与“电解水氧化显微技术”作比较,具有容易染色、时间短、使用方便的优点。     

硅浅结紫外光探测器的研究

采用低能离子注入法在Ｓｉ材料上制作了浅结结构紫外光（ＵＶ）探测器,介绍了 的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明,这种探讨器能够有效地探测波长为２００ｎｍ和４００ｎｍ的紫外光。     

关于改进单结管电路教材内容的探讨

在进行晶闸管电路的教学时，每每感到现行的一些教材中关于单结管的特性及张弛振荡工作原理的解释有许多令人困扰之处。由此引发了笔者的思考并进行了一些实验研究，取得了一些新的认识。本文就此提出来与同行探讨，以期在这个虽小但不失理论和实践重要性的问题上取得共识。     

基于变焦显微测量技术的键合金丝参数测量

欧美国家在半导体行业一直以来对我国实行技术封锁政策,我国许多关键技术和设备只能依靠进口,其中就包括键合金丝参数测量设备。键合金丝参数测量设备主要用于自动检测键合金丝的拱高和跨度等参数。由于键合金丝的回波损耗、驻波等微波传输特性与键合金丝的拱高、跨度等参数呈对应关系,因此可以通过测量相关参数的方法来检测键合金丝的微波传输特性是否合格。通过这一方法可以解决人工测量导致的速率低下的问题,提高键合质量检测效率,降低检测成本。本文基于变焦显微测量技术实现了键合金丝参数的测量。该方法通过自主设计的图像采集平台,获取到键合金丝的一组图像,然后进行聚焦区域提取,从而实现键合金丝的三维重建及参数测量。该方法对键合金丝拱高的测量精度<0.01 mm,相对误差<1.5%,对键合金丝跨度的测量精度<0.005 mm,相对误差<0.7%,可以满足自动检测键合金丝参数的设计需求。