英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。     

英飞凌发布面向低电压应用的最新防静电二极管

2012年7月16日,英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管。静电放电(ESD)可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3 V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

英飞凌推出第五代1200VthinQ!TM碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ！ TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、三相SMPS（开关电源）和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。     

TVS和一般的稳压二极管有什么区别？

电压及电流的瞬态干扰是造成电子电路及设备损坏的主要原因，常给人们带来无法估量的损失。这些干扰通常来自于电力设备的起停操作、交流电网的不稳定、雷击干扰及静电放电等，瞬态干扰几乎无处不在、无时不有，使人感到防不胜防。幸好，一种高效能的电路保护器件TVS的出现使瞬态干扰得到了有效抑制TVS（TRANSIENT VOLTAGE SUVPRESSOR）或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同，外形也与普通二极管无异，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时。     

恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

TVS二极管性能优化指南

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。     

电子百科

TVS二极管 瞬念抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS,是一种：极管形式的高效能保护器件。     

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10~(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:     

瞬变电压抑制器的发展与应用

瞬变电压抑制器（TVS）由于其优越的性能和近年来的快速发展，已成为国际上主流的电子电路保护器件之一。文中在对基于国内外主要TVS生产厂商产品手册和大量，TVS产品设计制造技术及应用资料进行分析和研究的基础上，对近年来TVS封装的发展和大功率、低结电容、低工作电压、ESD防护／EMI抑制等，TVS产品的开发及应用状况进行了展望。     

工艺参数对低电容TVS器件耐压的影响

分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响,最终优化选择了工艺参数并制作了低压TVS器件。低压低电容TVS器件采用集成工艺将低电容二极管与TVS管集成在同一芯片上,解决了实际应用中低电容的需求。通过传输线脉冲测试器件展现了优良的抗ESD能力,有利于对主器件实施更可靠的保护。     

TVS及其在电路设计中的应用

介绍了瞬态电压抑制器（Transient Voltage Suppressor,TVS）的特性及主要参数;给出了选用TVS器件时应注意的事项。同时给出了TVS在电路设计中的典型应用实例。     

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor,瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物,符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。     

基于ESD的TVS冲击电压特性机理研究

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,TVS)是一种较为普遍的静电放电(ESD)防护元器件,其本身特性会对ESD的抑制作用产生影响,这是由于其寄生参数导致的冲击电压而造成的。对此,该文对TVS的冲击电压问题进行建模讨论。该文建立了TVS的冲击电压模型,采用最小二乘法对模型的冲击电压波形进行优化,使冲击电压模型的电压波形更接近于实际波形,并且通过高阶矩进行比对校验其相似性。该文对冲击电压的抑制措施进行了研究,可以有效解决TVS本身特性对ESD抑制作用的影响,即降低冲击电压。通过文中的仿真和实验,均可验证该文的冲击电压模型和抑制方法具有一定的有效性。     

650V CoolMOS CFD2：MOSFET

英飞凌推出了650V CoolMOS CFD2，它是漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。器件延续了600VCFD产品的特点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI）。     

天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

H×8（CD0402）-TxxC—TVS阵列半导体产业在向越来越小的电了元件发展,这住便携式通信,计算机和视频没备的市场是具有很好的前景。瞬态电压抑制器阵列系列提供了在一个双向的配置从3V至36V的电压类型不等选择。芯片二极管符合JEDEC标准,它们易于在标准的设备上放置和卸载。     

新型开关二极管

新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压（Breakdown Voltage）外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006—3及DFN20206封装，以供顾客选择。这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能，包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流直流转换，适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。     

英飞凌推出改进型第三代碳化硅肖特基二极管新产品

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!^TM SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容．可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。