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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反  相似文献   

2.
天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、  相似文献   

3.
天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2 mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,产品具有:1、将二极管产品的正、  相似文献   

4.
天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(Dual Silicon No—Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,  相似文献   

5.
天水天光半导体最新推出目前尺寸为0.4mm×0.2mm×D(根据用户要求加工)超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二级管,产  相似文献   

6.
《电子元器件应用》2005,7(11):139-139
IR公司最近推出四种FlipKY肖特基二极管IR0530CSP,IR05H40CSP,IR130CSP和IR1H40CSP,这些产品比典型的工业标准肖特基二极管的体积更小且效率更高。省空间的芯片规模封装(CSP)使这些新的0.5A和1.0A的器件非常适合空间受限的手提、手持设备(如手机,智能手机,MP3播放器,PDA和微型硬盘驱动设备)应用,包括电流控制,Oring,升压和飞轮(freewheeling)电路。  相似文献   

7.
恩智浦半导体日前推出首批采用全新CFPl5(SOTl289)封装的IOA、45V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。全新的Clip FlatPower Package(CFP)封装(针对15A的IF最大值设计)具有极为紧凑的外形尺寸,  相似文献   

8.
《中国集成电路》2010,19(6):88-88
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO-220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,  相似文献   

9.
《国外电子元器件》2010,(6):163-163
英飞凌科技股份公司推出采用TO一220FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的T0220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。  相似文献   

10.
《现代显示》2012,(2):42-42
科锐公司日前宣布推出全新系列封装型二极管,在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1,700V Z-Rec肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗,  相似文献   

11.
《电子元器件应用》2005,7(1):i006-i006
安森美半导体推出了业内首个250V肖特基整流器,应用于等离子体/LCD电视、电源、消费类和汽车电子,把原有的肖特基势垒电压超越200V。公司为了进一步扩展其高压肖特基产品系列,还推出了两款全新的200VSMC封装肖特基整流器。  相似文献   

12.
《电子测试》2004,(12):88-89
安森美半导体推出200V和250V肖特基整流器,应用于等离子/LCD电视、电源、消费类和汽车电子,把原有的肖特基势垒电压超越至200V以上。此外,还推出了两款新的SMC封装肖特基整流器。  相似文献   

13.
《今日电子》2014,(6):69-70
PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD是采用全新CFP15(SOT1289)封装的10A、45V肖特基势垒整流器。全新的Clip FlatPower Package(CFP)封装(针对15A和IF最大值设计)具有极为紧凑的外形尺寸,  相似文献   

14.
《电子产品世界》2003,(7B):104-104
安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W/mm^2热性能比SOD—123提高达149%,比SMA提高达90.5%,比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度(最大为1mm)比标准SOD-123封装低25%,  相似文献   

15.
《今日电子》2004,(1):64-65
SOD-523封装的二极管 肖特基二极管SDM03U40、SDM10U45、SDM20U30、SDM20U40,开关二极管1N4148WT和1N4448HWT采用超微型SOD-523封装,其最大耗电  相似文献   

16.
《中国电子商情》2006,(11):81-82
安森美半导体(0NSemiconductor)推出三款新型超小SOD-923封装的ESD二极管和三款肖特基二极管。封装的尺寸仅为1.0mm&;#215;0.6mm,高度为0.4mm,性能令人印象深刻。这些二极管是要求高电源能效的便携式、消费电子和无线产品的理想之选.而且是占据板空间最小的业内最佳的ESD保护。  相似文献   

17.
Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装,具有10A~30A的电流额定范围。  相似文献   

18.
元器件     
《中国电子商情》2005,(7):68-69
美国模拟器件公司推出AD8556;东芝推出新型小封装二极管;Zetex肖特基二极管可工作于150℃下;IMS推出新型低价高品质电阻;FCI推出可移动ExpressCard连接器模块。  相似文献   

19.
《电子测试》2005,(5):89-90
凌特公司(Linear Technology)推出1A、1.2MHz升压型微功率DC/DC转换器LT3473,该器件采用扁平DFN封装,集成了肖特基二极管和输出断接电路。小封装尺寸、高度集成以及采用微小SMT器件可使解决方案尺寸小于50mm^2。  相似文献   

20.
据日本电气公司(NEC)报导,用砷化镓肖特基势垒崩越二极管在9~10千兆赫频段内,获得了10瓦的微波振荡功率,其效率大于20%。这是现今已报导过的单个封装的半导体二极管中最高的连续功率。此二极管是M—n~ —n—n~ 里德型结构,用铂在具有高掺杂和低掺杂两层结构的砷化镓外延片上形成肖特基势垒。采用精确控制的Ga/AsCl_3/H_2气体的输运过程来制备  相似文献   

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