元器件与组件

面向各种无线通信应用的超小封装场效应晶体管；超小型SOT-963封装双小信号MOSFET；30V TrenchFET功率MOSFET；高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块。     

内含HEXFRED二极管的增强型高频IGBT

国际整流器公司(IR)宣布推出IRGP50860PD，这是一款600V NPT型IGBT，其中联合封装有一个工作频率高达150kHz、电流达25A的HEXFRED二级管。这一新产品的推出成功扩展了高频IGBT／HEXFRED二极管联合封装器件群的WARP2产品系列。     

产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.     

高达150KHz的600V IGBT IRGP50860PD

IR公司推出Co—Pack封装的600V不穿通（NPT）绝缘栅双极晶体管（IGBT）IRGP50860PD，具有增强的25A HEXFRED二极管，其开关速度高达150kHz。     

IGBT器件新结构及制造技术的新进展

IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。     

工业牵引应用的采用软穿通IGBT技术的大功率模块

随着采用1700V-SPT（软穿通）IGBT LoPak密集型封装结构模块类型，和为了进一步开发利用新的1700V—SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2400A，封装形式为“E1”和“E2”工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上，设计了新的封装类型，其特性适用于牵引市场。在本文中，讨论了1700V—SPT IGBT（E1／E2）模块范围的特性，尤其论述了改进的静态和动态特性。     

第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是“低噪声辐射”、“高性能”和“紧凑性”。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V—IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装豹PIM（功率集成模块）功率额定值已被提高到12（X）V-150A，对于17mm厚的新型二合一模块，功率额定值则达到1200V-600A。     

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列产品

正2014年8月国际整流器公司(IR)推出高性能600 V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)IR66xx系列产品。坚固可靠的新系列器件可提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在优化焊接应用产品。器件采用新技术将导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。600 V     

SEMITOP替代分立功率器件的良好选择

1引言 SEMITOP家族包含有SEMITOP 1,SEMITOP 2,SEMITOP3和最新的SEMITOP4。每类产品均有2个耐压等级：600V和1200V,使用的是NPT或Trench IGBT芯片。新推出的SEMITOP 4驱动电机时功率可达22kW,将最新的IGBT芯片封装在一个紧凑的包装里。它是目前的SEMITOP1、2、3模块的延续产品。     

Vishay推出新系列半桥600V及1200 V IGBT模块

2008年3月14日,Vishay Intertechnology,Inc宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥IGBT。该系列由8个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。     

600V太阳能逆变器解决方案

功能 ·优化了的600V沟道IGBT、600V标准速度IGBT,以及适用于逆变器侧的HVIC ·结合使用沟道和标准速度平面式IGBT,能够比只采用超高速平面式IGBT减少30％的功率耗损     

元件

含阻尼二极管的低功宰IGBT STMicroelectronics公司的STGD3NB60SD是3A、600V的低功率N型沟道IGBT集成有,在导通时的电压降V_(CEsat)很低,在3A时,它的典型数值是1.1V,栅极总电荷是18nC,效率极高,采用DPAK封装。汽车大灯是用高效率、高亮度的气体     

Littelfuse发布新款IGBT和整流器二极管模块

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交     

混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A—IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路

本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路（IC）。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能，然后介绍电平下移功能。之后，还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路，它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A／600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器，而且适用于混合动力电动汽车。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

应用于工业牵引的软穿通IGBT技术的大功率模块

随着1700V-SPT（软穿通）GBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入，为了进一步开发利用新的1700V-SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2400A，封装形式的E1和E2工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上，设计了新的封闭类型，其特性适用于牵引市场。在本文中，讨论了1700V-SPT国IGBT（E1/E2）模块范围的特性，尤其论述了改进的表态和动态特性。     

600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。     

VS-12EWH06FNx-M3等：整流器

VishayIntertechnology推出18款采用TO-252AA（D—PAK）功率塑料SMD封装、正向电流为4A-15A的200V和600V的FREDPtHyperfast和Ultrafast整流器。这些器件兼具极快的恢复时间、低正向压降和反向电荷，其中包括采用此种封装且正向电流大于10A的600V整流器。     

IGBT在客车DC600V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管（IGBT）的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用。重点讨论IGBT模块在铁路客车DC600V供电系统逆变器中的应用与保护。IGBT模块具有损耗小。便于组装,开关转换均匀等优点。应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过载、过热等保护功能,保证DC600V供电系统安全、可靠地运行。     

IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管(IGBT)的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用.重点讨论IGBT模块在铁路客车DC 600V供电系统逆变器中的应用与保护.IGBT模块具有损耗小,便于组装,开关转换均匀等优点.应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过栽、过热等保护功能,保证DC 600 V供电系统安全、可靠地运行.