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1.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
2.
我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOS VLSI制造中嵌入E^2PROM的制造技术。在此新工艺中,制造的是单层多晶硅的E^2PROM。与传统的双层多晶硅E^2PROM的工艺相比,减少了25%的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层,可以缩小在CMOSVLSI中嵌入的E^2PROM的器件尺寸。器件工作电压范围宽为1.5-6V,静态电流低于100nA。 相似文献
3.
论述了E^2PROM的设计技术,包括单元设计,升压电路设计,存储阵列设计等,然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺,最后给出了E^2PROM单元和电路的性能。 相似文献
4.
本文首先介绍EEPROM和IC卡的芯片,然后概述了2K位IC专用的EEPROM集成电路的特点和基本功能,并对电路的各功能块,命令了时序作了详细的描述,最后介绍了该电路的电性能参数。 相似文献
5.
超薄SiO2膜经快速热处理后,电特性得到了改善,本研究用超薄RTPSiO2膜制作MOS电容,h-NMOSFET中介栅介质层及FLOTOX-E^2PROM中作隧道氧化层,取得了一些实验结果,从结果中可以看出具有实有价值。 相似文献
6.
分析了FLOTOX EEPROM的简单电路模型和擦写特性。实验研究了不同的器件结构参数和擦写脉冲对存储管特性的影响,表明隧道氧化层和多晶之间介质层的厚度对EEPROM阈会晤窗口有很大的影响、采用指数上升波形或三角波形进行了编程可以改善EEPROM的耐久性。 相似文献
7.
本文讨论了理想情况下FLOTOX结构E^2PROM在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化,并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处FLOTOX结构E^2PROM的寿命。 相似文献
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介绍了一种新型的EEPROM译码和读写电路,包括EEPROM存储单元、译码电路、读写电路和电太转换开关电路。阐述了普通EEPROM译码及读写电路的工作原理,以及将其应用于实际IC卡系统中所存在的操作上的不足之处;提出了一种新型的EEPROM译码和读写电路的工作过程与优点。电路模拟表明,该设计可以获得理想的结果。 相似文献
11.
陶瓷釉用TiO_2光催化剂的制备研究 总被引:1,自引:0,他引:1
制备了SiO2-TiO2和SiO2-ZrO2-TiO2复合光催化剂,并将其加入到陶瓷釉料中,结果表明,SiO2-TiO2,SiO2-ZrO2-TiO2复合粉体经1323 K煅烧后仍具有较好的光催化活性;但用SiO2改性的TiO2粉体添加到陶瓷釉料中,经1323K煅烧后,由于釉料中碱金属及碱土金属等离子的侵蚀,TiO2全部转变为金红石相,所制得的陶瓷釉料不具有光催化活性;而采用ZrO2-SiO2共同改性TiO2粉体添加到陶瓷釉料中,经1323 K煅烧后,TiO2基本上仍以锐钛矿相存在,所制得的陶瓷釉料具有良好的光催化活性;最后对改性TiO2粉体和光催化釉料的光催化机理进行了讨论. 相似文献
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Li_2O-B_2O_3-SiO_2掺杂低温烧结CLST陶瓷的介电性能 总被引:3,自引:1,他引:2
通过Li2O-B2O3-SiO(2LBS)玻璃的有效掺杂,低温液相烧结制备了16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO(2CLST)陶瓷。研究了LBS掺杂量对其烧结性能、相组成及介电性能的影响。结果表明:通过掺杂LBS,使CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降至1000℃,且无第二相生成。随LBS掺杂量的增加,tanδ显著降低,τf趋近于零。当w(LBS)为10%时,CLST陶瓷在1000℃烧结3h获得最佳介电性能:tanδ为0.0045,τf为4×10–6/℃,虽然εr由105.0降至71.0,但仍属于高εr范围。 相似文献
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以SnCl_4·5H_2O与柠檬酸为原料,采用sol-gel法制备了掺杂质量分数w(Yb_2O_3)为0~1.0%的Yb_2O_3-SnO_2纳米粉体。利用XRD、TEM等测试手段分析了粉体的微观结构,采用静态配气法测试了由所制粉体制成的气敏元件对NO_2、Cl_2、H_2、H_2S、乙醇、甲醛等气体的气敏性能。结果表明:用该法得到的粉体颗粒粒径小,且均匀;工作温度为100℃时,由掺杂w(Yb_2O_3)为0.4%的SnO_2粉体,在烧结温度600℃制得的气敏元件,对体积分数为30×10–6的NO_2的灵敏度最高可达18224,且该元件具有较好的响应–恢复特性,响应时间和恢复时间分别是20s和15s。 相似文献
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16.
掺钛和锆改性的钙硼硅系微晶玻璃之性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以TiO2、ZrO2为改性剂,制备CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。对其烧结和介电性能进行了研究,并采用XRD,SEM对微观结构进行了探讨。结果表明:添加适量的TiO2或是混合添加TiO2、ZrO2均能改善CaBSi系微晶玻璃的性能。混合添加比单一添加TiO2更有效。结合材料的烧结性能、介电性能和微观结构,以840℃烧成的添加w(TiO2)为2%、w(ZrO2)为2%的试样性能最佳,其εr为7.1、tanδ为3×10–3,在20~400℃之间的热膨胀系数为7.8×10–6℃–1。 相似文献
17.
掺CeO2纳米MnO2非对称超级电容器的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学共沉淀法制备出超级电容器用掺CeO2的MnO2电极材料,通过XRD、SEM对样品进行了表征,研究了掺杂量对MnO2电极稳定性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50~100nm;在6mol/L的KOH电解液中,该掺杂MnO2电极材料具有优良的电容行为和循环稳定性能。当掺CeO2量为10%(与MnO2的质量比)时,在电流密度为250mA/g时,比电容量达257.68F/g;循环500次,容量仅衰减1.18%。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了CaO-BaO-Li_2O-Sm_2O_3-TiO_2(CBLST)陶瓷。研究了复合添加BaCu(B_2O_5)(BCB)和Li_2O-B_2O_3-SiO_2(LBS)对CBLST陶瓷的烧结特性、微观组织、相组成及介电性能的影响。结果表明:添加质量分数w(BCB)=60%和w(LBS)=0.5%~5.0%的CBLST陶瓷的相组成未改变,仍为正交钙钛矿相和BaSm_2Ti_4o_(12)(BST)相。通过添加w(BCB)=6.0%和w(LBS)=0.5%,可以使CBLST陶瓷的烧结温度从1325℃降到1050℃,并且在1050℃烧结2h的CBLST陶瓷介电性能优良:ε_r=81.9,tanδ=0.0062,τ_f=–3.75×10~(–6)/℃,其tanδ比纯CBLST陶瓷的tanδ(0.016)明显降低。 相似文献
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硼含量对钙硼硅系微晶玻璃性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温熔融法,制备了不同硼含量(w(B2O3)为30%~40%)的CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。考察硼含量对该体系微晶玻璃熔制过程中B2O3挥发率及其性能的影响。结果表明:随w(B2O3)增加B2O3挥发率增大,从4.27%增至6.91%。w(B2O3)为35%时,试样的烧结温度范围较宽,在最佳烧结温度850℃下,体积密度为2.54g/cm3;10MHz下,εr为6.42,tanδ为9×10–4;试样的εr随w(B2O3)变化不大,处于6.2~6.5,w(B2O3)为30%或40%时,tanδ显著增大至10–2量级。 相似文献