8～18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度＞５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度＞５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

SPDT,SP3T大功率PIN开关

描述了２－４ＧＨｚ、８－１２ＧＨｚ的ＳＰＤＴ和８－１２ＧＨｚ的ＳＰ３Ｔ大功率ＰＩＮ开关的设计方法、实现过程和测试结果。其连续波功率最大可承受８０Ｗ，插入损耗小于１．８ｄＢ，，隔离度大于２５ｄＢ，驻波比小于１．８，开关时间小于１ｕｓ具有功率容量大，工作频带宽、可靠性高，成本低，调试简单等特点。     

100dB高隔离无反射固态开关

ＡｍｅｒｉｃａｎＭｉｃｘｒｏｗａｖｅ推出了ＳＷＭ-６０００-１ＤＴＵ-ＧＢ高隔离度无反射ＳＰＳＴ固态开关,该开关的隔离度高达１００ｄＢ,开关速度极快,为２０ｎｓ,在１０ＭＨｚ～２ＧＨｚ的频带内,插入损耗为３ｄＢ,最大驻波比为２,工作电流和电压分别为±１０ｍＡ和±５ＶＤＣ,采用ＥＣＬ逻辑控制（兼容ＴＴＬ）,大小为３８１×３８１×１０２ｍｍ,具有可移动式ＳＭＡ连接器。100dB高隔离无反射固态开关     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

12～18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２～１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器。主要技术指标：工作频率为１２～１８ＧＨｚ，增益ＧＰ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ，输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５∶１，噪声系数Ｆｎ≤６ｄＢ。     

L波段大功率宽脉冲高隔离单刀双掷PIN开关

南京电子器件研究所研制的大功率宽脉冲高隔离ＳＰＤＴ开关,采用ＰＩＮ管芯全并联结构,利用Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅ软件进行电路拓扑优化设计。具有承受功率大、插入损耗小、隔离度大、单电源（＋２４Ｖ）供电、ＴＴＬ脉冲信号控制等优点,适用于雷达及通讯系统中。制作的...     

12—18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２－１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器，主要技术指标：工作频率为１２－１８ＧＨｚ，增益Ｇｐ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５：１，噪声系数Ｆａ≤６ｄＢ。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６￣２０ＧＨｚ微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标：工作频率６￣２０ＧＨｚ,１ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ,增益≥２８ｄＢ,输入输出驻波比≤２．０：１,噪声系数≤４．０ｄＢ,增益平坦度≤±２．０ｄＢ。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法，用ＰＩＮ二极管和检波二极管，在很小的腔体内制作了小型化夫源微波限幅器。电参数为：频率ｆ＝２．５～３．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．３９ｄＢ，电压驻波比ＶＳＷＲ≤１．３，漏功率Ｐｌｉｍ≤０．５５ｍＷ（输入连续波１Ｗ）。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６～２０ＧＨｚ微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标： 工作频率６～２０ＧＨｚ, １ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ , 增益≥２８ｄＢ, 输入输出驻波比≤２．０∶１, 噪声系数≤４．０ｄＢ, 增益平坦度≤±２．０ｄＢ     

C波段单片有源环行器

报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采用ＧａＡｓ的离子注入平面工艺，芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在３．５～４．５ＧＨｚ内，电路插入损耗约７．５ｄＢ，隔离度为２１～２６ｄＢ，驻波比基本小于２。     

带GaAs TTL电平驱动器的SPDT开关的模拟和性能

介绍了一种带ＧａＡｓＴＴＬ电平驱动器及单刀双掷（ＳＰＤＴ）开关的设计、模拟和测试结果。驱动器的设计采用了开关输入稳压负载,建立了所用器件的大信号模型,对电路进行了模拟分析和优化,模拟和测试结果吻合较好,开关时间达到５ｎｓ,插入损耗小于１．０ｄＢ,隔离度大于６０ｄＢ。     

2.5Gbit／s用DFB—LD／EA单片集成器件

本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果,该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓ ＤＷＤＭ系统上进行传输试验,传输２４０ｋｍ后无误码,其通道代价≤１ｄＢ,ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

基于PIN管的多路大功率宽带高线性射频开关的研制

设计制作了一款工作于100~400MHz的大功率宽带高线性单刀多掷PIN管收发开关。该开关采用1分6再分6的串联型结构,通过对PIN管的选取和微带线布局来实现对开关插损、隔离度和驻波比的要求。由于采用串联结构而非串并结构,该开关驱动部分大为简化。测试结果表明,该开关插损小于0.3 dB,隔离度大于50 dB,驻波比小于1.2,功率容量为100 W,二次谐波抑制大于70 dBc。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜测辐射热型红外探测器研究

用高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜设计并研制了单元及２×２阵列型红外探测器。其中２×２阵列型器件的四个单元探测器的Ｔｃ值及Ｒ－Ｔ特性相差≤３％。使用５００Ｋ黑体及Ｈｅ－Ｎｅ激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）分别为３．６×１０－１２和４．１×１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，归一化探测率分别为１．６×１０１０和１．２×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ；响应率分别为８．２×１０４和７．２×１０４Ｖ／Ｗ。     

可用于VHF-TV的6路功率分配/合成器

Ｍｉｎｉ-Ｃｉｒｃｕｉｔｓ研制的ＡＤ６ＰＳ-１型６路功率分配／合成器可用于ＶＨＦ-ＴＶ频段,它的频率范围为２ＭＨｚ～２５０ＭＨｚ,输入阻抗为５０Ω,各路之间的隔离可达３０ｄＢ,带中的幅度和相位波动分别为０４ｄＢ和６Ｏ,输入驻波比为１０。该器件剖面低,采用可水洗包装。可用于VHF-TV的6路功率分配/合成器     

固态大功率宽带射频放大器

Ｏｐｈｉｒ推出了５０８０、５３０３０Ｂ和４０７６系列固态大功率宽带射频放大器,其工作频率分别为０．８～４．２ＧＨｚ、４．０～８．０ＧＨｚ、５．９～６．４ＧＨｚ,相应的输出功率分别为１００Ｗ、０６Ｗ和１２０Ｗ。该系列放大器具有极好的线性度和较宽的动态范围,失真小,噪声低,体积小,重量轻。５０８０型１ｄＢ压缩点的输出功率为８０Ｗ,三阶截断点为+６０ｄＢｍ,小信号增益为４８ｄＢ,增益平坦度为±２００ｄＢ,输入／输出驻波比小于２,交流输入功率为４５０Ｗ;５３０３０Ｂ型１ｄＢ压缩点的输出功率为０５Ｗ,三阶截断点为+３７…     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

熊猫光纤用小型自保持式光开关

通过相对光纤之间主轴的精密对准开发了一种小型低偏振串扰１×２ＰＡＮＤＡ（熊猫光纤开关。其插入损耗为０．５ｄＢ,回波损耗４２ｄＢ,偏振串扰－４２ｄＢ,驱动功率９ｍＷ,在１０＾４次切换作业中,达到了损耗变化〈０．１ｄＢ,串扰变化〈２ｄＢ的高切换重复性。