电迁移与工艺相关的关系

针对金属化电迁移 ,进行了失效机理与工艺相关性的研究 ;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系 .金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致 .提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法 .     

电迁移与工艺相关的关系

针对金属化电迁移,进行了失效机理与工艺相关性的研究;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系.金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致.提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法.     

无铅焊料的研究（4）——电迁移效应

电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物(IMC)的生成与溶解,以及焊点下的金属化层(UBM)的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间(MTTF),从而带来可靠性问题。     

金属化电迁移失效的圆片级监控技术

介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.     

无铅焊料的电迁移效应

电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。本文阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物（IMC）的生成与溶解,以及焊点下的金属化层（UBM）的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间（MTTF）,从而带来可靠性问题。     

多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响

在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

铝硅铜合金和铝铜合金多层结构的电迁移行为

本文给出了由同一工艺线上加工的铝硅和铝硅铜金属互连线的电迁移加速寿命试验结果，后者寿命比前者要高一个数量级，我们对此作了简要的说明，并介绍了铝铜多层结构互连的的民迁移性能。     

多层金属化系统中蓄水池效应对电迁移寿命的影响

在W通孔的多层金属化系统中,金属离子的蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大,文中设计制作了12种不同的蓄水池结构,并进行了电迁移实验.着重考察蓄水池面积、通孔位置、通孔数目对互连线电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素.     

VLSI多层互连可靠性第一部分：电迁移失效（一）

一、引言电迁移是指导电材料在电流的作用下产生的物质输运现象，它是引起集成电路失效的一种重要机制。在大电流密度下，由于电迁移作用，可能出现下列导致电路失效的现象：1互连导线中形成空洞，使电阻增加。2空洞贯穿导线的横截面，使电路开路。3形成晶须造成线间或层间短路。4晶须穿破钝化层，形成腐蚀隐患。在电迁移研究中面临着许多难题，影响电迁移的因素十分复杂，其中包括金属的种类、金属股形成条件和结晶结构；金属层间介质和钝化层的种类及淀积条件；电路工作时的电流密度和环境温度；衬底表面形貌；合金效应和尺寸效应等。其次…     

VLSI多层互连可靠性第一部分 电迁移失效（二）

4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前面已经讨论过了，下面就其它几个方面进行讨论。转角会使电迁移寿命减小，图14显示了MTF与转角个数关系的实验结果。实验还发现，失效多出现在转角的上游（即电子流流来的方向））1～3pm处。早期认为，这种现象是由于在转请处出现电流聚集（crow山叩），使局部电流密度加大，进而使离子流散度加大造成的。但F．Jeuland等人通过计算机模拟发现”’‘，在转角处出现的是局部冷点而不是局部热点（如因15）。这是…     

应力诱发的电迁移失效分析

电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效.总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法.通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路.     

电迁移物理模型参数统计特性提取新方法

随着ＶＬＳＩ技术的发展，电迁移已成为集成电路最主要的失效原因之一，其可靠性评估技术也显得愈加重要。要改进该技术，不仅需要确定可靠性物理模型参数，而且要求掌握参数的统计分布特性。基于电迁移物理模型，提出一种提取参数统计分布特性的新方法。与传统方法相比，此方法不仅所需实验样品少、实验次数少，能真正得到反映样品离散性的物理模型参数的统计分布特性，而且也可用于其它失效机理（如栅氧击穿）物理模型中。     

GexSi1—x／Si反型基区晶体管：工作原理与实验验证（Ⅰ）

本文介绍Ge_xSi_(1-x)/Si反型基区晶体管(BICFET)的工作原理和器件特性方面的理论研究和实验验证。该晶体管通过Ge_xSi_(1-x)与硅之间的价带非连续性把空穴限制在异质结界面,形成一个非常窄(～10nm)的基区;并通过外部基区的电势来调制空穴电荷,从而控制晶体管发射极与集电极之间的电子电流势垒高度。BICFET是首批利用Ge_xSi_(1-x)加工技术突破的一种双极器件,性能明显优于BJT。文章叙述了p沟Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET的制作及其电特性测量结果。最后,对Ge_xSi_(1-x)/Si BICFET和Ge_xSi_(1-x)/Si HBT进行了比较,并指出了这种器件的前景。     

电真空器件用陶瓷金属化和釉化工艺的改进

随着电力设施的迅速增长和发展 ,城乡电网的全面改造 ,真空开关管 ,特别是陶瓷外壳的真空开关管 ,以其特有的优势在电力行业的应用得到空前的发展。同时 ,推动我国陶瓷金属化、施釉及陶瓷 金属封接技术的进步。新一代的电力、电子器件的高速发展将对陶瓷管壳金属化封接技术以及陶瓷管外观提出更高的要求 ,陶瓷管壳施釉提高了电真空器件的质量 ,使其外观更美观、光亮 ,且不易吸湿和被污染 ,电性能明显改善。但电真空器件用陶瓷管壳需要经过金属化、釉化及陶瓷 金属封接、装配等多道工序 ,它们都是在高温和强还原气氛下进行 ,加上人和环境因素…