固体界面热整流现象的解析

两种不同固体材料相互接触所形成的接触面的热传导与热流的方向有关，这种现象称为热整流现象。本文从线性应答理论推导了的固体接触面的热传导系数计算公式表明，热传导系数一温度成正比。分析表明，当两种材料热传导系数不同时，接触面产生热整流现象，并且能量传导系数越大，热整流现象越明显。     

固体界面热整流现象的解析

两种不同固体材料相互接触所形成的接触面的热传导与热流的方向有关 ,这种现象称为热整流现象。本文从线性应答理论推导出的固体接触界面的热传导系数计算公式表明 ,热传导系数与温度成正比。分析表明 ,当两种材料热传导系数不同时 ,接触面产生热整流现象 ,并且能量传导系数越大 ,热整流现象越明显     

GaAs/Si界面的化学态的研究

利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。提出了一种新的俄歇信号强度标定法——频域法。该方法利用低能俄歇电子较低的逸出深度,在复频域内标定来自最表层原子的俄歇信号强度,避免了二次电子本底和电子逸出平均自由程的影响,从而可以准确判定在界面这种突变结构中元素成分的深度分布信息。利用谱峰修正技术,研究了Ga、As、Si价带跃迁几率在界面不同深度内的变化情况,发现在界面处As-Si有明显的成键作用,Si原子的一部分p电子转移到了As原子空的p轨道中,由此产生了一个新的界面态,该界面态位于GaAs价带顶上方2eV的地方。在对Ga原子价带俄歇跃迁几率进行的研究中,并未发现其价电荷分布有明显的变化,表明Ga原子与其他原子在界面处并未发生明显的成键作用。     

C/C复合材料的界面演化规律

研究了单丝界面和纤维束界面结构在细编穿刺C/C复合材料制备过程中的演化规律以及两种界面剪切强度随着生产周期增加的不同变化趋势.在C/C的制备过程中单丝界面和纤维束界面的形成速度不同,单丝界面优先得到完善,经过四个周期界面剪切强度既可达到最高水平;而束界面剪切强度在六个周期后才达到较高水平.     

细编穿刺C/C 复合材料不同层次界面特性研究

针对细编穿刺C/C 复合材料中单丝/碳基体和纤维束/碳基体不同层次界面结构特性, 分别设计、建立了表征这两个层次界面结合性能的原位顶出仪, 并将界面结合性能与C/C 复合材料层间剪切强度测试进行了比较。利用该原位技术, 研究了不同工艺参数条件下C/C 复合材料这两个层次界面结合性能的关系, 并讨论了它们对C/C 复合材料拉伸强度的影响。表明: 本文中所建立的单纤维和整束纤维顶出技术可用于定量表征C/C 复合材料的不同层次界面粘合性能。不同层次界面结合状态在一定程度上对材料宏观力学性能的影响是不同的。     

固体界面间接触导热的机理和应用研究

固体界面间的接触导热在许多高技术应用场合具有重要的应用背景。从接触热阻的形成机理出发,概述了接触导热机理研究的发展过程,论述了应用研究的内容和现状,提出了几种增加和减小接触热阻的方法,并指出了进一步研究的方向。     

Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷

为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.     

界面状态对C/PLA复合材料降解特性的影响

研究了具有不同界面结合特性的两种复合材料在体外降解过程中吸水率，质量损失，宏观力学性能与降解时间的关系。结果表明，提高复合材料的界面结合强度可减小C／PLA复合材料的吸水率和质量损失，降低复合材料力学性能（弯曲强度，弯曲模量和剪切强度）和界面结合强度下降的速度，界面结合强度的提高对C／PLA复合材料的降解有明显的抑制作用。     

热处理对含CSiCTaCC界面C/C复合材料力学性能的影响

以准三维针刺炭纤维毡为预制体, 采用化学气相渗透工艺在预制体中炭纤维/基体炭之间制备C-SiC-TaC-C复合界面, 利用树脂浸渍-炭化工艺对材料进一步增密, 获得含C-SiC-TaC-C界面的C/C复合材料。研究了1400～2500℃不同温度热处理前后复合材料的微观结构和力学性能。结果表明: 热处理前, SiC-TaC界面为管状结构, 复合材料的抗弯强度为241.6 MPa, 以脆性断裂为主; 经1400～1800℃热处理后, TaC界面破坏呈颗粒状, 复合材料的平均抗弯强度下降到238.9～226.1 MPa, 其断裂方式不变, 但断裂位移由0.7 mm增至1.0 mm; 经2000～2500℃热处理后, SiC、 TaC界面均受到破坏, 复合材料平均抗弯强度急剧下降至158.7～131.8 MPa, 断裂方式由脆性断裂转变为假塑性断裂。      

稀土金属Tb在GaAs(100)表面的吸附及其界面形成的研究

利用同步辐射光电子能谱技术研究了Tb/GaAs(10 0 )界面的吸附过程和界面形成。通过对价带谱及高分辨率的Ga,As芯能级谱的研究表明 ,在较低的覆盖度下 (<0 2nm) ,Tb与GaAs衬底的反应很弱 ,形成较突变的金属 /半导体界面。当Tb的覆盖度增加时 ,As 3d和Ga 3d的表面发射峰很快消失 ,Tb与衬底发生反应 ,置换出Ga而与As形成化学键。同时Ga原子会向Tb薄膜内扩散并偏析到表面 ,而Tb As化合物只停留在界面附近区域。当Tb淀积到 0 6nm时 ,Tb膜金属化。     

聚苯乙烯/富勒烯复合材料抗紫外老化性能

运用紫外加速老化熔融共混法制得C60和C70含量（质量分数）分别为1%、3%、5%的聚苯乙烯（PS）/C60和PS/C70复合膜,考察了复合膜的抗紫外线老化性能。利用红外光谱（FTIR）分析了聚苯乙烯的老化前后结构变化,用示差扫描量热法（DSC）和差热法（DTA）测试了各试样老化前后的玻璃化转变温度、分解温度,结果表明,加入C60和C70后,PS/C60和PS/C70复合材料的耐紫外老化性能大大提高,添加量为5%时复合材料的抗老化性能较好。     

Ozonides and Oxides of C60 and C70: A Review

This paper presents a literature review of studies of ozonides and oxides of C₆₀ and C₇₀.     

Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为1.5×10~(-4)Ω·cm~2,快速合金化后呈现欧姆特性可能与接触界面处生成的TiAs相有关。     

Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构

利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47～ 0 9nm范围内 ,界面反应变得强烈 ;大于 0 9nm时 ,界面反应停止。在吸附过程中Gd 4 f首先是一单峰结构 ,随着Gd的增加 ,Gd 4 f演变为双峰结构。根据对实验数据的分析 ,认为Gd在反应层上以团簇的形式吸附     

Absolute determination of the Fermi level pinning at the dielectric/semiconductor interface in GaAs based heterostructures

This paper deals with semiconductor/dielectric interface characterization, and in particular with GaAs/dielectric interface. A new electrical method of investigation, constant Fermi level transient spectroscopy (CFTS), is explained. It is based on MIS-H devices, an acronym that we propose to design gated Hall effect devices incorporating a 2DEG channel in an otherwise depleted heterostructure. The main characteristic of CFTS is that transients are obtained under constant potential conditions in the semiconductor and constant surface potential. This allows a rigorous theoretical analysis of capture/emission process by the interface states. This method is comparable in its spirit to feedback methods such as constant-capacitance DLTS (CC-DLTS). The results obtained prove, firstly, the validity of the CFTS and, secondly, that MIS-H samples can be used both for the determination of D_it and of its energetic position within the bandgap, and thus with a good accuracy and a high level of confidence despite difficulties usually met with GaAs/dielectric interfaces.     

On the Action of Ultraviolet Light on C70 Fullerene

C₇₀ was photopolymerized in solution of CCl₄ under nitrogen flow by an high pressure mercury lamp. The resulting photoproduct was still soluble in common solvents and has been studied by electronic and FT-IR spectroscopy. FT-IR spectroscopy reveals a very peculiar band pattern never reported to date for C₇₀ photoproduct. Since this band pattern is very similar to that of C₆₀ photopolymer, it suggests that C₇₀ photoproduct should have a chemical structure very close to that assigned to C₆₀ photopolymer and piezopolymer.

The role played by CCl₄ in C₇₀ photopolymerization seems to be comparable to that already reported for C₆₀, i.e. it acts as a polymerization promoter.     

Fe/GaAs(100)界面构成和电子态的同步辐射研究

利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(100)的界面反应和电子结构。在界面处,Fe与As形成稳定的化学键,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金,但反应只能在界面处发生,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构,重新钉扎了费米能级位置,引起费米能级向价带顶移动0.27eV。另外,Fe的生长模式在沉积过程中发生改变,而且存在As和Ga的扩散现象,同步辐射价带谱也证实了这一点。     

Ozone Reaction with C70 and C60 Fullerenes: The Effect of Temperature on the Reaction Kinetics

It has been confirmed that the effect of temperature on the rate constants (k) of ozone reaction with C₇₀ and C₆₀ fullerenes follows the Arrhenius law. The experimental values of activation energy (E_a) and pre-exponential factor (A), like as those of other simple alkenes, are in the order of 2.4-2.6 kcal mol^-1 and (1.2-1.8) × 10⁷ L mol^-1 sec^-1, respectively. They are practically equal for the both fullerenes. It has also been found that the value of the rate constant k of C₇₀ fullerene ozonolysis is higher in comparison to the respective k-value of C₆₀.     

高性能针刺碳/碳复合材料的制备与性能

为获得高性能针刺碳/碳复合材料,拓展其应用领域,通过优化针刺工艺参数,设计并研制了不同结构参数的针刺预制体。采用沥青高压致密化工艺将针刺预制体制备成一系列针刺碳/碳复合材料,研究了针刺碳/碳复合材料的微观结构、力学性能和热物理性能。结果表明,针刺预制体的针刺深度、针刺密度以及短/长纤维配比等对碳/碳复合材料的力学性能和热物理性能影响显著。当针刺深度为12mm、针刺密度为22针/cm2、短/长纤维比例为1.0:4.8时,针刺碳/碳复合材料表现出优良的综合性能,拉伸、压缩、弯曲、面内剪切和层间剪切强度分别达到207、228、285、54和28 MPa。