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采用H2、NH3和H2 NH3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅薄膜,然后印刷烧结.利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)和紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS)等手段研究了等离子体预处理对多晶硅少子寿命的影响以及等离子体预处理对氮化硅薄膜FTIR光谱的影响和多晶电池性能的影响.结果表明:经等离子体预处理后多晶硅的少子寿命有所提高,使用H2 NH3混合等离子体预处理后,制备的多晶电池的性能有明显提高,短路电流能提高约7%. 相似文献
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本文综述了硅基薄膜太阳电池技术的发展历程。在分析光伏产品现状基础上指出硅基薄膜太阳电池当前面临的挑战主要是稳定效率较低,面临大幅降价的晶硅电池,其发电成本不具备优势,导致其市场份额不高。详细分析了影响硅基薄膜太阳电池效率的原因,阐述了提高硅基薄膜太阳电池稳定效率的主要技术途径是:发展新型高吸收系数宽带隙和窄带隙光伏材料、采用多结叠层电池结构和光管理设计。 相似文献
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X. H. Geng J. M. Xue H. C. Ge H. B. Li Z. P. Wang Q. Z. Wang H. Z. Ren 《Solar Energy Materials & Solar Cells》2003,75(3-4):489-495
A computer model for the poly-Si thin film-related solar cells is established, with which the solar cells with the structure of single junction poly-Si cell, a-Si/poly-Si tandem cell and a-Si/poly-Si/poly-Si triple cell are simulated. The results indicate that the practical structure for poly-Si-related solar cell is a-Si/poly-Si/poly-Si triple cell with the best matched thickness of 0.23/0.95/3 μm and with optical confinement structure, which has the highest simulated efficiency of 22.74%. 相似文献
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400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
以全部国产化装备和工业用原材料,以简单铝背电极制备出初始效率为8.28%,经室外阳光照射一年后稳定效率为7.35%,面积为20cm×20cm,有效面积为360cm2a-Si/a-Si叠层太阳电池。主要制备技术措施:(1)TCO/p界面接触特性的改善;(2)μc-SiC∶H/a-SiC∶H复合窗口层技术;(3)p/i界面H处理;(4)高质量本征a-Si∶H材料;(5)优良的n1/p2隧道结;(6)最佳电池结构设计等。 相似文献
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将Si3N4与Si粒混合,在单晶炉或快速热退火炉中分别集装熔化法或平铺熔化法,制备太阳电池用硅珠,试验了不同工艺条件对硅珠品质的影响,并制作了硅珠太阳电池(组件)。 相似文献
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通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-Si/poly-Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟,详细分析光照射前后a-Si/pli—S1叠层太阳电池中电场强度分布,指出在光照射下,光生空穴俘获造成的a-Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si:H薄膜中的电场强度,没有给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si:H薄膜带来准中性区(低场“死层”),不会发生a-Si/poly-Si叠层太阳电他的光诱导性能衰退,因而a-Si/poly-Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。 相似文献
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高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了高效a-Si/a-Si/a-Si-SiGe三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素,在内电极的p/n界面外附加载流子复合是由少数载流子浓度、界面态和p/n界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和i层厚度匹配来实现a-Si/a-Si/a-SiGe三结太阳电池结构的最佳化,同时采用改善n/i界面特性的缓冲层技术,获得了Voc=2.48V,Jsc=6. 相似文献