NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

TiO_2薄膜的制备及结构研究

本文探讨了用平面磁控溅射法制备ＴｉＯ２薄膜．研究了ＴｉＯ２薄膜结构随溅射条件（衬底温度、氧分压、工作气压）的变化．用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测薄膜结构,用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测薄膜钛氧成分比．得到了制备金红石相和锐钛矿相ＴｉＯ２薄膜的最佳工艺参数．     

用Ti（OC2H5）4制备Ti（CN）涂层研究

本文叙述了采用金属有机物钛酸四乙酯（Ｔｉ［ＯＣ２Ｈ５］４取代四氯化钛，运用ＰＣＶＤ外加热法沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层，并对涂层进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子（ＸＰＳ）分析，其显微硬度可达到１６００ｋｇ／ｍｍ２，膜层结构仍为柱状晶     

掺CaO和MgO的钼板在氢气气氛下二次再结晶

掺ＣａＯ和ＭｇＯ的钼板在含Ｏ２的Ｈ２气氛下进行再结晶退火，用光学、扫描和透射电镜对再结晶试样分析。此外为了认识化学添加过程，把干燥添加剂（Ｃａ，Ｍｇ）（ＮＯ３）２进行热分解并用ＤＴＡ和ＴＧＡ方法进行分析。用Ｘ射线衍射扫描鉴定热分解产物。在１０００℃预烧３．６×１０＾３秒的过程中，添加剂反应生成ＣａＯ，ＭｇＯ和Ｃａ（ＯＨ）２。预烧毛坯在Ｈｅ（惰性）气氛下２０００℃烧结过程中，由于内氧化而生面ＭｏＯ２     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

用XPS进行镉的表面化学态研究

用ＸＰＳ研究了多晶纯镉置于空气中形成的表面化学态。结果表明，Ｃｄ表面上除有大量吸附碳、氧外，还形成了ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２。Ｏ１ｓ谱的最佳曲线拟合表明有三个Ｏ１ｓ分量存在，其结合能分别为５３２．７ｅＶ，５２９．６ｅＶ，５３１．３ｅＶ。他们分别是吸附氧，ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２中Ｏ１ｓ的特征。本文推断Ｃｄ先与Ｏ２反应生成ＣｄＯ，再在水汽作用下形成Ｃｄ（ＯＨ）２，表面形成的ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２薄层阻挡     

GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究

为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ选择性腐蚀液；为了研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＴｂａｒ型光波导，开发了ＨＣｌ／Ｈ３ＰＯ４／Ｈ２Ｏ２薄层腐蚀液和ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２选择性腐蚀液；为了研制ＧａＰ、ＩｎＧａＰ光波导，开发了ＨＣｌ／ＨＮＯ３／Ｈ２Ｏ薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外，蚀刻成的ＧａＰ光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。     

SnO2薄膜的脉冲激光沉积

采用脉冲激光沉积技术制备了ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射结构分析表明薄膜为非晶态。在６００℃温度下退火后，由非晶薄膜转变为多晶薄膜。研究了多晶ＳｎＯ２薄膜的光电特性。在４００ｎｍ至７００ｎｍ的可见光范围内，其透过率保持在７０％到９０％。电阻率为１．９×１０－１Ωｃｍ。     

先进的SDH系统集成芯片组MXHO155—2和MXLO21E1—3

最新ＳＤＨ系统集成芯片一套两片ＭＸＨＯ１５５－２和ＭＸＬＯ２１Ｅ１－３近日由清华大学电子工程系博士生导师,首届中国青年科学家奖获得者曾列光教授领导的课题组研制成功。这套芯片可以构成完整的ＳＤＨＳＴＭ－１并发选收自愈环系统所需的分插复接器（ＡＤＭ）,也...     

p-CZT的钝化处理和C-V特性研究

采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层.用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1 MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试.对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度(∮)b.未钝化的(∮)b为1.393 V,钝化后(∮)b变为1.512 V.     

砷化镓晶片表面的XPS研究

用X射线光电子能谱分析技术（XPS）研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2O3、As2O5、As2O3及元素As；表面化学计量比明显富镓，而经过适当的化学处理后这些表面特性能得到较大改善。     

Fabrication of low-cost mold and nanoimprint lithography using polystyrene nanosphere

The periodic arrays of nanostructure were successfully patterned on Si wafers by ultraviolet nanoimprint lithography (UV-NIL) using nanosphere lithography (NSL). Two-dimensional (2D) well ordered self-assembled arrays were obtained on Si wafer by using nanosphere and the tilted-drain method. We tried to combine two techniques and hard mold of Si mold for NIL and polymer mold of acrylate-based polymer were fabricated by NSL. The Si master mold and polymer mold were formed by Cr lift-off and ICP-RIE process. The surface has a low surface energy at the interface with 1H, 1H, 2H, 2H-perfluorooctyl-trichlorosilane (FOTS) vapor-coating, which can eliminate the problem of the adherence to the surface of the mold during demolding. Finally, nanopatterns were formed by UV-NIL, where the residual layer was not observed.     

基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术.该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理.原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合.透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合.     

Texturization of mono-crystalline silicon solar cells in TMAH without the addition of surfactant

Etching was performed on(100) silicon wafers using silicon-dissolved tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solutions without the addition of surfactant.Experiments were carried out in different TMAH concentrations at different temperatures for different etching times.The surface phenomena,etching rates,surface morphology and surface reflectance were analyzed.Experimental results show that the resulting surface covered with uniform pyramids can be realized with a small change in etching rates during the et...     

GaAs/InP低温晶片键合的研究

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380 ℃)晶片键合.并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析.     

Surface treatment effect on the poly-Si TFTs fabricated by electric field enhanced crystallization of Ni/a-Si:H films

Self-aligned, p-channel polycrystalline silicon thin-film transistors (TFTs) were fabricated by electric field enhanced crystallization of a-Si:H in contact with the Ni catalyst, where a chemical solution of 97.5% H/sub 2/O:1% HF:1.5% H/sub 2/O/sub 2/ was used for a surface treatment on polycrystalline silicon films. The wet surface treatment was found to remarkably improve the electrical properties of TFTs, especially the leakage current and subthreshold slope. The enhanced performance was confirmed to be from the removal of the Ni impurity remaining as defect states at the surface and also from the ameliorated surface roughness of the polycrystalline silicon films.     

硅片背面铜污染的清洗

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。     

Photovoltaic effect in a-Si:H/n-InSe heterostructures

Heterostructures in an a-Si:H/InSe system were grown by the deposition of a-Si:H films onto the surface (001) of InSe single-crystal wafers and also by deposition of pure indium films with their subsequent selenization, in which case InSe films were synthesized at the a-Si:H surface. The photovoltaic effect was observed and studied for both types of heterostructures. It was concluded that the heterostructures obtained may be used as wide-band photoconverters of radiation.     

GaAs表面旋转超声雾化清洗新技术

研究了一种新型湿法化学清洗半导体GaAs表面的方法。通过简单设计清洗工艺能使GaAs表面产生最低的损伤。GaAs表面清洗必须满足三个条件：(1)清除热力学不稳定因素和表面粘附的杂质,(2) 除去GaAs表面氧化层,(3)提供一个光滑平整的GaAs表面。本文采用旋转超声雾化方式用有机溶剂除去GaAs表面的杂质,再用NH4OH:H2O2:H2O= 1:1:10和HCl:H2O2:H2O=1:1:20顺次腐蚀非常薄的GaAs层,去除表面的金属污染,并在GaAs表面形成一个非常薄的氧化层表面,最后用NH4OH:H2O= 1:5溶液来清除GaAs表面氧化层。测试GaAs表面的特性,分别用X射线光电光谱仪、X射线全反射荧光光谱仪和原子力显微镜测试了GaAs表面氧化的组分、GaAs表面金属污染和GaAs表面形貌,测试结果表明通过旋转超声雾化技术清洗可提供表面无杂质污染、金属污染和表面非常光滑的GaAs衬底,以供外延生长。