单向复合材料失效的蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟

从单纤维复合材料的破坏 ,七纤维单向复合材料的力学分析 ,多层复合材料的弯曲破坏 ,复合材料的尺寸效应等四个方面 ,介绍并分析了将蒙特卡罗方法应用于复合材料力学模拟中的国内外研究进展 ,并提出了该方法的应用发展趋势     

SU（2）格点规范场系统非对称点阵Monte—Carlo模拟

本文在非对称点阵上模拟了ＳＵ（２）纯规范场系统的热力学行为，并讨论了有限尺寸效应和实现连续物理极限问题。     

用Monte Carlo方法模拟晶粒长大

叙述了MonteCarlo(MC)模拟方法并在二维坐标中用300×300个六边形晶格点元素模拟了晶粒长大的过程,获得了晶粒长大动力学和拓扑学方面的重要信息,并计算出晶粒长大的动力学常数η=0.48.模拟结果揭示了MC方法在模拟微观组织过程中的重要作用.探讨了MC方法的特点它抓住简单性与复杂性这一主要矛盾,从局部规则出发,体现整体演变之效应,文中还概述了MC模拟方法在材料加工过程中的应用情况.     

XY模型中涡旋数密度的Monte Carlo模拟

应用蒙特卡罗方法,系统地研究了铁磁XY模型中涡旋数密度随时间的弛豫过程,仔细分析了序参数和涡旋数密度的临界标度行为。自由涡旋数密度存在幂次律行为,但需要引入修正。测量得到静态临界指数η,与理论得到的结果相符合。     

中子在硅中能量沉积的Monte Carlo模拟

不同的半导体器件对高能中子在半导体材料中的电离能量沉积和非电离能量沉积的响应规律不同,研究半导体器件的辐射损伤需要首先研究其材料的损伤.在现有中子截面数据库和粒子与物质相互作用的理论基础上,利用中子输运的Monte Carlo模拟方法,提出了1MeV中子电离能量损失和非电离能量损失的模拟方法,编程计算了1 MeV中子在硅中电离能量损失和非电离能量损失的大小和分布,以及初始反冲原子的平均能量等.计算结果与文献基本符合,表明该方法是可行的.对进一步研究器件的辐射损伤效应奠定了基础.     

扩散—反应产物形态形成的Monte Carlo计算机模拟

在二维平在平面上扩散－反应过程地Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ计算机模拟。结果表明,扩散－反应产物形态取决于其界面反应速度与相应组元扩散速度的相对大小。当界面反应为过程的控制环节时,产物趋于紧密的球形;当扩散为过程的控制环节时,产物趋于松散的分枝状,重溶作用使产物形态呈破碎状。     

Monte Carlo法模拟CFRP加固梁的抗弯可靠度

根据可靠性理论，编制了基于Marlab软件的Monte Carl。计算程序，直接产生服从各相应概率分布函数的随机变量数组，从而使编程过程大为简化，解决了Monte Carl。直接抽样困难的难题。通过对16根CFRP加固混凝土实验粱受弯实验，得到了随机变量的统计参量。采用基于Marlab的Monte Carlo法完成了对CFRP加固混凝土梁抗弯可靠度的数值模拟。结果表明，计算可靠指标与基于实验的AEOSM法计算可靠指标一致，且计算简便快捷。     

土壤中激光传输的Monte Carlo方法验证研究

介绍了土壤中激光的Monte Carlo仿真方法和漫射近似方程,假设了6组土壤的吸收系数和散射系数,通过Monte Carlo仿真程序得出了土壤的漫反射率,并利用漫射近似方程计算出了土壤的漫反射率.将两种方法算出的漫反射率进行了比较分析,其最大相对误差为10.44%,最大绝对误差为0.049 7mm-2,说明在一定条件下,可以认为Monte Carlo仿真结果是足够精确的,以及用漫射近似方程反向拟合出土壤的吸收系数和散射系数是可行的.     

薄膜生长的Monte Carlo模拟

用MonteCalro方法通过matlab对薄膜外延生长进行了计算机模拟.模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发3个过程.研究了粒子间相互作用范围和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响.结果表明:在不同的值下,随粒子行走步数的增加,薄膜的生长都经历了从分散、分形、混合到团聚的过程;在同一最大步数下,值越大,薄膜越易趋向于分散生长.     

薄膜生长的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维和三维生长,引入Morse作用势描述了粒子间的相互作用,并根据势中的作用范围α详细考虑了近邻粒子的影响.研究发现,在:二维生长中各粒子团生长过程曲线存在多重线性分布,且在某一阶段各分布直线满足二分角关系.三维模拟结果表明,随着沉积粒子数的增加,成团粒子数所占百分比下降,这与二维结果相符.     

CO催化氧化的Monte Carlo模拟

本文采用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｈｉｎｓｈｌｅｗｏｏｄ单晶表面催化机理,建立了一个ＣＯ在Ｐｔ（１１０）单晶表面催化氧化生成ＣＯ２的反应模型,并采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对ＣＯ的催化氧化反动力学的基元过程进行模拟。根据模拟结果,讨论了气相混合物中各反应物种分压随时间变化规律和单晶表面各吸附物种覆盖度随时间变化规律。此外给出了不同初始反应物配比在达到反应平衡时,催化剂表面上吸附物种的平衡分布。     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

扭振的Monte─Carlo模拟

依据电测实验结果，分析了初轧机万向接轴扭振的平稳性，提出了扭振放大系数Ｋ_ｄ的概率分布分析模型，建立了扭振的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟模型，最后给出了应用实例。结果表明，Ｋ_ｄ模拟数据同实测数据一致。     

扭振的Monte—Carlo模拟

依据电测实验结果，分析了初轧机万向接轴扭振的平稳性，提出了扭振放大数Ｄｄ的概率分布分析模型建立了扭振的ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟模型，最后给出了应用实例，结果表明，Ｋｄ模拟数据同实侧数据一致。     

Monte Carlo方法模拟Landlot振荡反应

本文应用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对Ｌａｎｄｌｏｔ化学振荡反应进行了数值模拟，模拟结果与实验结果相当吻合。在此基础上，对Ｌａｎｄｏｌｔ化学振荡反应的机理以及化学平衡与化学振荡的关系进行了讨论     

NO催化还原反应的Monte Carlo模拟

采用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｈｉｎｓｈｌｅｗｏｏｄ单晶表面催化模型,建立了ＮＯ在Ｒｈ（１１１）单晶表面催化还原生成Ｎ２的反应动力学方程,并采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法对ＮＯ的催化还原反应动力学基元过程进行模拟。根据模拟结果,讨论了气相混合物中各化学物种分压和单晶表面上各吸附物覆盖度随时间变化的规律。     

Monte Carlo方法计算薄膜厚度测定背散射常数C（E0）

应用蒙特卡罗方法模拟5keV以下低能电子在Al,Cu,Ag,Au薄膜中的散射,模型应用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和计算能电子在固体中弹性和非弹性散,计算了薄膜背散射系数η随薄膜厚度D的变化,获得不同能量下的η－D关系并给出相应线性区Dmax分布,分析了η－D曲线初始线性区在低能时及随原子序数的变化,统计并应用最小二乘法计算得E0为3,4,5keV下的背散射常数C（E0）以测定超薄膜,给出一个E0从几keV到几十keV能量范围计算背散射常数的经验公式,由此计算Al,Cu,Au超薄膜、薄膜不同厚度的η并与Fitting,Cosslett的实验比较,获得了吻合的结果。     

混凝动力学方程的蒙特卡罗模拟

建立了蒙特卡罗方法求解Smoluchowski方程,该方法通过产生随机数序列,从概率密度函数出发进行随机抽样,模拟颗粒的凝聚过程,同时记录特征量的模拟结果以得到问题的解.蒙特卡罗计算方法则是利用计算机模拟离子碰撞情形,克服了有限差分法在体积分数较小时的上述弊端,并节省了大量运算过程和繁冗的中间假设.研究结果表明在凝聚过程中,无论是布朗运动还是剪切力作用,颗粒的形态对其尺寸分布均有较大的影响,分形维数越低,絮体尺寸分布越集中,小颗粒尺寸数目较多.剪切力场下凝聚过程中的颗粒分布受其影响尤为显著.研究结果同时表明,布朗运动下颗粒尺寸分布受时间影响甚微,颗粒尺寸分布变化不显著,而剪切力场下颗粒的粒径分布受时间影响甚大,随絮凝时间的延长,大颗粒尺寸所占的比例逐渐增加.