溶胶-凝胶工艺ZrO2涂层工程陶瓷的界面结合机制

采用无机盐先驱体、溶胶－凝胶工艺在SG4工程陶瓷基体上成功制备了Z O2涂层。扫描电子显微镜,X射线衍射,二次离子质谱分析表明：涂层完整,晶粒均匀,主要成份为t-ZrO2;涂层与基体结合紧密,两者之间存在着明显的元素扩散。     

ZrO_2陶瓷－金属接合技术的研究

用ＴｉＨ＿２方法对ＺｒＯ＿２陶瓷和铜的接合技术进行了试验研究，试验结果获得了较好的粘接，对其接合机理也进行了较为系统的分析，初步确定，接合机理为Ｔｉ的化学反应和形成反应层所致。     

激光熔覆陶瓷涂层与金属基体之间的界面特性

本文综述了激光熔覆陶瓷涂层与金属基体之间界面结构及性能方面的研究情况,提出了提高界面结合强度的措施,同时展望了激光熔覆陶瓷技术的应用前景.     

Al_2O_3对CaO-R_2O-SiO_2/ZrO_2基LTCC材料结构性能的影响

采用高温熔融法在1 350℃制备了CaO-R2O-SiO2玻璃粉料,系统研究了Al2O3的添加量对CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料结构与性能的影响规律。研究结果表明,适量添加Al2O3可促进主晶相生长,提高材料结构稳定性,使其具有良好的力学电学性能。当Al2O3添加质量分数达7.5%时,850℃下可制得抗弯强度为183 MPa、相对介电常数为7.19、介电损耗为0.22%、电阻率5×1 013?·cm的CaO-R2O-SiO2/ZrO2基LTCC玻璃/陶瓷材料。     

溶胶-凝胶工艺ZrO2涂层工程陶瓷的界面结合机制

采用无机盐先驱体,溶胶-凝胶工艺在SG4工程陶瓷基体上成功制备了ZrO     

超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2 薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质.扩展电阻法(SRP)和剖面透射电镜(XTEM)都表征出6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构,其中ZrO2 /topSi界面陡直,没有界面产物生成.选区电子衍射显示薄膜在6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态.研究了上述MOSOS结构的高频C V性能,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈2 1,     

SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.     

MoNb/SiO_2界面的AES分析

用电子束蒸发MoNb的方法,制备了MoNb/SiO_2接触界面。用俄歇电子能谱(AES)测定该界面热处理前后各元素组分随深度的分布。从AES分析中发现:随着热处理温度的上升,MoNb/SiO_2界面中Mo,O渐渐出现再分布峰,形成Mo,O的富集区;Nb的富集区始终为平坦分布,并没有出现Nb的再分布峰。界面宽度由低温的1.5nm变到600℃的15nm;同时还发现600℃时界面呈现电阻性。这一异常现象是由于Mo在SiO_2界面中热稳定性差所导致的。     

镍基单晶高温合金相界与界面位错的相互作用

本文通过在透射电子显微镜(TEM)中应用原位加热台,对镍基单晶高温合金进行了变温加热,观察研究了γ/γ′相界面与界面位错的相互作用.发现相界面迁移过程中不改变界面位错网络的位错密度,只会改变位错网络形态.研究发现界面位错的弹性应力场能够阻碍γ′相长大,使界面产生向γ′相凹进的凹槽.     

新型陶瓷刀具材料JX－2－I界面结构的实验研究

利用ＴＥＭ和电子衍射图谱分析，研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ｉ的界面微观结构。ＴＥＭ分析表明，ＪＸ－２－Ｉ刀具材料的界面结合状态较好，Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ界面上形成了具有较高强度的“钢筋混凝土”结构，在Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ和Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ界面上没有剧烈的化学反应发生；通过ＴＥＭ和电子衍射图分析，发现在Ａｌ＿２Ｏ＿３的晶粒边界上有尖晶石（ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４）生成，这有利于控制Ａｌ＿２Ｏ＿３晶粒的长大，提高复合材料的强度。     

AlGaN/GaN界面特性研究进展

GaN是一种宽禁带半导体材料,由于具有优越的热稳定性和化学稳定性,使这种材料和与其相关的器件可以工作在高温和恶劣的环境中,并可用于大功率微波器件。本文主要介绍AlGaN/GaN有关界面特性,该特性反映了纵向纳米尺度下的能带特性;从AlGaN/GaNHEMT设计出发,给出了材料性质和结构参数对AlGaN/GaN异质结二维电子气特性影响的研究结果;讨论了AlGaN/GaN界面2DEG载流子的输运性质;分析了材料缺陷对AlGaN/GaN界面2DEG性质的影响;指出了有待研究的问题和方向。     

ARM/DSP双核系统的通信接口设计

DSP主要是对数字信号进行处理的处理器,主要体现在对数据、语音、视频信号等的高速运算和实时处理,并且能够很好地发挥自身的优势;而ARM所需要的功耗比较低,同时性能又可以达到很高,因此其在通信、人机交互和控制领域有比较明显的优势。     

不同氧化退火工艺下SiO2/SiC界面特性研究

The effect of the different re-oxidation annealing （ROA） processes on the SiO2/SiC interface charac- teristics has been investigated. With different annealing processes, the flat band voltage, effective dielectric charge density and interface trap density are obtained from the capacitance-voltage curves. It is found that the lowest interface trap density is obtained by the wet-oxidation annealing process at 1050 ℃ for 30 min, while a large num- ber of effective dielectric charges are generated. The components at the SiO2/SiC interface are analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） testing. It is found that the effective dielectric charges are generated due to the existence of the C and H atoms in the wet-oxidation annealing process.     

Surface Wettability of Nanostructured Zinc Oxide Films

Zinc oxide (ZnO) nanograin and nanorod films were prepared by magnetron sputter deposition and an aqueous solution growth method. Their surface wettability was studied in relation to their surface morphologies. While the surfaces of both films were hydrophobic, the nanorod films exhibited higher surface hydrophobicity. A superhydrophobic surface was obtained on a ZnO nanorod film with a water contact angle of 151 deg. Results have shown that their surface wettability was influenced by the morphology of ZnO nanostructures, including the grain size, the length, and density of nanorods. Both types of ZnO films showed switchable wettability under ultraviolet irradiation and dark storage.     

数字交换机接口特性检测研究

针对目前数字交换机检测使用的协议测试技术无法检测物理层参数和故障的问题,提出通过对接口特性检测判断交换机物理层故障的思路。通过研究交换机的接口特性检测内容,分析接口特性对交换机的性能与工作状态特别是对通信可靠性的影响,为提高通信设备的可靠性提供一定的参考。给出了使用通用测试仪器对接口阻抗与信号电平和回波损耗进行检测的方法,在实际使用中操作简单,使用方便。     

Electronic structure of Pt/HfO2 interface with oxygen vacancy

Using first-principles calculations, we study the electronic structures of Pt/HfO₂ interface in the presence of oxygen vacancy. The energetics and charge transfer are examined when the oxygen vacancy is at various distances from the interface. It is found that the oxygen vacancy is strongly attracted to the interface and the charge transfer decreases monotonically as the vacancy moves away from the interface, albeit the amount of charge transfer is small. The charge transfer results in the decrease of the effective work function of Pt, consistent with the vacancy mechanism to explain the shift in the flat-band voltage.     

MSP430系统与PC机通信的USB接口设计

针对现行的USB计算机接口十分流行,广泛应用于设备与计算机的串行通信的现实性特点,考虑到USB通信其接口模块的通用性和可移植性问题,为减轻开发USB设备周期的压力,基于PDIUSBD12,设计了一个与MSP430单片机通信的USB固件接口,和与PC机相连接的应用程序的接口方案。实验结果表明,该方案能够在一定要求下稳定可靠地实现设备与主机之间的USB通信,其提供的接口程序可以简便可靠地移植到相关系统。     

微合金化对Sn-9Zn基无铅钎料润湿性能的影响

熔炼制备了纯的以及含微量Al、Mg、Ti、Bi、重稀土Y、混合轻稀土RE和一种富P非金属活性组元NM的Sn-9Zn基合金,通过测量这些合金以及商用Sn-37Pb焊料在铜基板上的铺展面积比较了它们对铜的润湿性能。结果表明Al、Ti和 Mg不利于提高合金在铜上的润湿性或附着力;Y的改善作用不大;而Bi、RE和NM则能明显改善Sn-9Zn合金对铜的润湿性。在此基础上进一步研究了RE和NM含量对Sn-9Zn润湿性能的影响。以铺展面积衡量,本研究所达到的最佳改善效果使Sn-9Zn合金对铜的润湿性由Sn-37Pb焊料润湿性水平的45.4%提高到了70.3%。