用作低相干光源的掺钐（Sm^3＋）光纤

用Ａｒ离子激光器泵浦的掺Ｓｍ＾３＋光纤可以产生用作白光干涉测量的低相干可见光源。利用两个光谱滤光器还能灵活而有效地产生一个双波长组合光源，该光纤光源能与光传感系统中的其它光纤器件兼容，具有与单模光纤良好的耦合效率和强的空间干涉性，因此在白光干涉测量传感应用中，这种光纤是极有潜力的一种掺杂光纤。     

Sm~(+2)/Sm~(+3)掺杂铝硅基玻璃光纤的光敏特性研究

用2W多线输出功率的氩离子激光器照射Sm－2／Sm－3掺杂铝硅基玻璃光纤能产生5．1×10－3％的永久性折射率变化。通过测定LP11模截止波长的偏移能检测该光纤的光敏特性，同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带。Sm掺杂光纤光敏特性是由多光子增强的Sm+2离子消感应吸收过程所致。     

Sm~(+2)/Sm~(+3)掺杂铝硅基玻璃光纤的光敏特性研究

用2 W多线输出功率的氩离子激光器照射Sm~（+2）/Sm~(+3)掺杂铝硅基玻璃光纤能产生0.005 1％的永久性折射率变化。通过测定LP_(11)模截止波长偏移能检测该光纤的光敏特性,同时在可见光区域能观察到宽消感应吸收带。钐掺杂光纤光敏特性是由多光子增强的Sm~(+2)离子消感应吸收过程所致。     

溶胶—凝胶法制造的稀土的掺杂低损耗单模光纤

采用溶胶－凝胶法（ｓｏｌ－ｇｅｌ）进行稀土离子掺杂，在Ｅｒ＾３＋掺杂的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃单模光纤中已重复性地获得１．１５μｍ波长区小于２ｄＢ／ｋｍ的最低光损耗。以该技术成功地在光纤中进行了宽浓度范围的稀土掺杂。已发现，以Ｓｏｌ－ｇｅｌ浸渍涂复厚膜制取低损耗光纤关键在于能够制成始终无裂纹膜的工艺技术。     

用于1300nm光放大器的掺Pr^3＋氟化物光纤设计模型

本文用Ｐｒ＾３＋离子四能级系统的信号模型研究掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器的信号特性，模型考虑ＬＰ０１模在阶跃型单模光纤中的径向分布以获得激励辐射，信号激光态吸收和泵浦吸收截面积，发现最佳截止波在７５０ｃｍ，并且与光纤的数值孔径和输入泵浦功率无关，而应尽可能选择大的数值孔径。     

（Nd,Er）：YAG晶体中Nd^3＋和Er^3＋离子间相互作用

用激光加热基座法生长了Ｅｒ：ＹＡＧ、（Ｎｄ、Ｅｒ）：ＹＡＧ和Ｎｄ：ＹＡＧ单晶光纤，测试了单晶光纤的透过率谱和Ｅｒ＾３＋离子＾４Ｉ１１／２、＾４Ｉ１３／２态，Ｎｄ＾２＋离子＾４Ｆ３／２态的固有寿命τ０，双掺晶体中这些态的平均寿命τ０。讨论了Ｎｄ＾３＋离子对Ｅｒ＾３＋离子的敏化作用。     

Er^3＋—Yb^3＋双掺杂有源光纤

报道了制造Ｅｒ＾３＋－Ｙｂ＾３＋双掺单模有源光纤的溶液掺杂技术，此光纤经紫外辐照后中收峰处损耗明显增加，而低损耗区损耗几乎不变。对激光器件应用而言，认为几百ｐｐｍ浓度和Ｙｂ＾３＋：Ｅｒ＾３＋＝２０：１掺杂比是合适的。探讨了Ｅｒ＾３＋和Ｙｂ＾３＋能级间相互跃迁机理，通过二者的交叉驰豫提高了泵哺吸收带范围和热稳定性。     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用     

YAG晶体中稀土离子（Nd^3＋,Tm^3＋,Ho^3＋）对Er^3＋离子的敏化作用

测试了敏化离子Ｎｄ＾３＋、Ｔｍ＾３＋、Ｈｏ＾３＋及Ｅｒ＾３＋离子在ＹＥＡＧ晶体中一些能级的荧光衰减曲线。根据Ｔａｙｌｏｒ的平均寿命的定义，计算了平均寿命和Ｎｄ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋能量转移效率。并根据Ｚｖｅｌｅｖ关于声子形成几率的公式，对Ｈｏ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋之间的非共振能量转移效率进行了计算。得出Ｎｄ＾３＋敏化Ｅｒ＾３＋不仅可以增加泵浦效率，而且可以抑制２．９４μｍ激光     

1．3微米掺Pr~（3＋）光纤放大器的增益计算和设计考虑

本文描述１．３微米掺镨光纤放大器（ＰＤＦＡ）增益计算的理论模型。在考虑激发态吸收（ＥＳＡ）和放大的自发辐射（ＡＳＥ）频谱特性的情况下，计算得出数值孔径为０．１９的掺镨光纤，泵浦效率为０．０２５ｄＢ／ｍＷ，有效光纤长度为２０ｍ，并给出了掺杂浓度与信号增益的关系。以及镨离子的最佳掺杂半径。     

BF2^＋注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用ＳＩＭＳ技术，分析了ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅退火前后Ｆ原子在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移特性，结果表明，８０ｋｅＶ，２×１０＾１５和５×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅经过９００℃，ｍｉｎ退火后，部分Ｆ原子已扩散到ＳｉＯ２中，Ｆ在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移行为呈现不规则的特性，这归因于损伤缺陷和键缺陷对Ｆ原子的富集作用。     

在CO掺杂HCl＋Xe晶体中Xe2^＋Cl^—的电子态跃迁

报导了ＣＯ掺杂ＨＣｌ＋Ｘｅ矩阵晶体中，在３０８ｎｍ激光的激发下，首次观测到Ｘｅ２＾＋Ｃｌ＾－的辐射荧光谱，表明发生了合作电荷转移吸收反应。在四体双光子吸收反应。     

用于1300nm波长光放大器的掺P^3＋r氟化物光纤设计模型

本文采用Ｐ＾３＋ｒ离子四能级系统的信号模型研究了Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器的信号特性，模型考虑ＬＰ０１模在阶跃型折射率分布单模光纤中的径向分布，以获得激励辐射，信号激发态吸收和泵浦吸收截面，发现最佳截止波长在７５０ｎｍ并且与光纤的数值孔径和磁浦输入功率无关，而数值孔径应尽可能的大。     

生长气氛对Ti^3＋：Al2O3单晶光纤质量的影响

在不同性质的气氛下，用激光加热基座法，生长Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤，作了显微观察，拍摄了透视照片，同时对其钛离子浓度进行了光谱定量分析。并研究了不同性质的气氛对Ｔｉ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３单晶光纤的内部缺陷（气泡，散射颗粒等）、外部形貌、钛离子浓度的影响。     

高能Ar^＋注入对P^＋薄层特性的影响

研究了高能Ａｒ＾＋注入对Ｐ＾＋薄层特性的影响。结果表明,正面高能Ａｒ＾＋注入能在有源区下隐埋一层缺陷带,可有效地净化表面有源区。用高能Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋注入制备出了反向漏电流仅１．９ｍＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）的二极管。     

光子选通光谱烧孔用于光存储的研究

分别研究了无机和有机两类光子选通光谱烧孔材料，即稀土离子Ｓｍ＾２＋掺杂的氟卤化物无机混晶材料有机的给体－受体电子转移型材料，探讨了材料的设计和制备，并对材料的性能（如存储密度、工作温度、写入速度、信息保存时间等）进行了分析。     

低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。     

As＋注入Si1—xGex的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快，对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样吕，Ａｓdispla     

Pr3+/Yb3+共掺1.3μm锆系氟化物玻璃光纤的研制

本文通过引入Ｙｂ＾３＋离子以提高掺镨光纤的泵浦效率和改善高浓度掺杂下的浓度猝灭效应。阐述了掺Ｐｒ＾３＋氟化物玻璃光纤的工艺并对掺Ｐｒ＾＾３＋／Ｙｂ＾３＋光纤的光谱特性进行了研究。     

硅基SiNxOy：C^＋薄膜的光致发光

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯＹ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＾＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５＊１０＾１６ｃｍ＾－２。