随着磁泡存储密度达到1兆位而出现的材料、设计及封装问题

由于目前已可得到1/4兆位容量的芯片,以及由于1兆位芯片向小批量生产进发,磁泡存储器看来注定要成为存储器市场的主要商品之一。但是,在兆位芯片大量生产之前还有若干生产及技术问题需要提一下。归根结底,这些困难中的许多难题是取得高密度所需的器件各种比例关系。例如,器件的比例关系会导致高的门电压和窄的导体线,而这两者又会引起电移迁问题。其它还有驱动场、芯片温度和材料要求之间复杂的相互关系。     

武藏野电通研用2μm泡的1Mb存贮器芯片

日本电电公社武藏野电通研用2μm泡的奇、偶结构,试制出2个主环通道/次环的1Mb磁泡芯片,在3月举行的昭和55年度电子通信学会综合全国大会上公布了这个消息。在器件设计上,基本传输电路采用了最小图形宽度为1μm的非对称山形。其奇、偶结构是,把次环分为两组,每组266环,共512环。次环由7.5μm周期、2140位、18μm环间间隔组成。此外,写入门用交换门,读出用复制门。芯片尺寸为:9.8×9.2mm。     

磁泡存贮器市场前景

[据法国电子新闻1981年10月9日报导]由于Texas等放弃磁泡,Intel的磁泡存贮器销售量第二季度比第一季度增长78％,比起1980年同季增加318％,七月份比六月份增长50％。对于Intel来说,1兆位磁泡存贮器的所有问题全部被解决,他们在磁泡器件和外围电路方面与     

表面组装技术的发展与应用（二）

6.片状元器件发展动向 (1)更趋小型化、薄形化小型化动向如图1所示。阻容元件将由目前大量使用的3.2×1.6mm向2×1.25mm、1.6×0.8mm,甚至是1.0×0.8mm方向发展。薄形化最迫切应用领域是存储器芯片、IC芯片等,其厚度将达3 mm甚至可达0.75mm。     

电子新闻

1.磁泡测试系统——并行测试美国《快捷》公司的Xincon介绍了一种5585型通用磁泡存贮器测试系统,供生产和工程使用。该系统可以测试目前实用的磁泡存贮器件及未来的65兆位器件。它能适合不同的存贮器结构,包括串行,主次环,分程序复制及偶-奇结构。现在的磁泡存贮器测试时间,比半导体要长得多。新系统的特点是,具有并行测试能力,可编程序驱动器、ECL(发射极耦合逻辑)工艺结构及包括泡存贮语言的Xincol软件扩展形式。5582系统是测试新一代ECL和H/MOS RAMs和ROMs的;这些结     

DAC7714和中文液晶模块与单片机的接口设计

DAC7714是一种4通道串行D/A转换芯片;FYD12864是一种具有多种接口方式,可以显示8×4行16×16点阵汉字的点阵图形液晶显示模块。本文详细介绍了这两种器件的性能、使用方法以及与MCS-51单片机接口的软硬件设计。     

对一种电磁泵计算的探讨(续第3期)

当气隙δ=0时 ,衔铁与静铁心重合 0 .5 mm,气隙磁导计算如下 :中间磁极λ11=μOS1δ1=4 π× 10 -7×(1.3+0 .1+0 .7+0 .1)× 2× 0 .0 5× 10 -40 .1× 10 -2=2 .75× 10 -8Hλ2 1=μO× 0 .5 2 l2 × 2=4 π× 10 -7× 0 .5 2× (1.4 +0 .8)× 2× 10 -2× 2 =5 .72× 10 -8Hλ31=μO2 lπln(1+mδ)×= 4π× 10 -7× 2 (1.4 +0 .1+0 .8)× 2π ln(1+0 .20 .1)× 2= 3.85× 2× 10 -8=7.7× 10 -8Hλδ1=λ11+λ2 1+λ31=(2 .75 +5 .72 +7.7)× 10 -8=16.7× 10 -8H两边磁极 :λ12 =μOS2δ2=4π× 10 -7× 1.3× 0 .0 5× 10 -40 .15…     

磁泡技术的若干边缘性问题

本文讨论了磁泡存贮器研制方面的两个主要领域,即努力提高位组装密度和提高存贮器的工作速度。文中指出了:按比例缩小现有芯片设计尺寸以提高密度的方法不仅要考虑到光刻和制造问题,而且也必须考虑到磁性材料问题。至少可以用三种不同芯片结构得到高密度芯片:1)采用T-棒图形的普通的坡莫合金棒外存贮器,它是用电子束光刻和单级掩模制成的;2)衔接盘外存贮器,它用比较粗糙的坡莫合金图形,因此对光刻的要求就松一些;3)泡点阵外存贮器,它采用的是具有新颖壁结构编码方案而密集排列的泡。三种方案的相对优点比较如下:坡莫合金外存贮器(PBF)研制时间最长,而且它是唯一使用单级掩模的结构;如果光刻不是限制因素的话,则衔接盘外存贮器(CDF)可以提供最高的密度;而如果小径泡的实现等能成为限制因素的话,则泡点阵外存贮器可提供最高的密度。讨论了决定泡存贮器工作速度的两个因素:泡的传输速度与存贮器的结构,以实现尽可能短的取数与等待时间。在确保泡具有高速度的泡材中的研制方面员在取得重大的进展;这一进展是在对泡运动时出现的壁结构的复杂变化的认识的基础上获得的。对于主次坏、用以降低取数时间和公用互连的电流重合法结构方案、电子线路均予以评述。对磁泡存贮器和半导体、磁盘的容量进行了简要的比较。     

磁泡存贮器平面技术

一、引言因为非平面工艺会使盖复层(金属或介质)形成一定的台阶坡度,容易引起复盖层起伏或断裂。Ni-Fe合金薄膜的台阶坡度致使驱动场磁场强度在台阶处的减小,导致器件性能变差,操作区变窄等。为了提高器件容量和工作性能,现已发展了新的平面技术。所谓平面技术就是将金属图形“镶嵌”于介质中的同一平面上。有关制作磁泡存贮器的几种平面技术,D.C.Bullock等人已经作了详细的综述。现在付诸实际使用的主要有S.Orihara等人和N.Tsuzuki等人应用剥离SiO_2法的平面技术。     

4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究

碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF_6/O_2/Ar、BCl_3/Cl_2/Ar、CF_4/O_2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀,经过一系列的技术优化,最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF_4/O_2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。     

磁泡材料参数测量

本文叙述了用于泡径3～6μm YSmGaIG、YSmLuCaGeIG和YSmLuCaGeGaIG磁泡石榴石膜系特性参数的测试原理和实验装置。测量参数包括外延慎厚度h、退磁条畴周期p_o、特性长度l、磁泡缩灭场H_o、饱和磁化强度4πM;单轴各向异性场H_K、畴壁矫顽力H_c、磁缺陷密度d、居里温度T_c以及p_o、l、H_o、4πM_s和H_K的温度系数α_o。文中给出了各参数的测试误差,并与国外样品数据作了比较,结果是一致的。测量方法和实验装置系本文重点。     

单片微机控制锅炉

本微机根据锅炉的工艺、施控要求,选用功能强、价格低、可靠性高、抗干扰性强的MCS-48系列单片微机作主机。MCS-48系列单片微机是美国INTEL公司研制的。选用其中的8位单片微计算机8035作主机芯片,外接2K×8EPROM芯片2716一片,主芯片内含64×8的RAM和一个8位的定时器/计数器,27条输入/输出1/0线,6兆的晶体振荡器,执行一条单字节指令的时间为2.5μs,单片机的指令系     

确定单轴磁膜的厚度及磁化强度的方法

在测量磁泡畴器件用的外延膜的成分时,快速而准确地确定有关的磁和物理性能是非常有用的。本文描述通过磁滞同线的测量及零场周期间隔值估计出具有带状畴结构的单轴材料薄膜的厚度及磁化强度的方法。假定简单的交替变化极性的带状畴结构(图1)近似于常见的蜿蜒状排列,则畴周期间隔磁化强度及外加场间的关系可以计算为:     

利用色谱分析法诊断变压器内部故障

1.缺陷情况 曲塘变1号主变型号为SFSZB-31 500/110,电压组合为110±3×2.5%/38.5±2×2.5％/10.5,1988年投产。投运期间于1996年10月进行色谱分析时发现C2H4由上年的38μL/L上升到81μL/L,总烃含量也由85μL/L上升到156μL/L,随后跟踪试验,总烃维持在150μL/L左右。     

一起锅炉点火引发人身重伤事故的分析

某发电厂8号锅炉是武汉锅炉厂生产的670t/h中间再热式汽包炉。1999年在A1,B1,C1,D1喷燃器内各安装1支手动WDH-DL-350神雾小油枪(以下简称小油枪)。2003年3月,厂里研究决定采用等离子点火系统,在A1,B1,C1,D2位置加装等离子喷燃器,拆除A1,C1小油枪,保留B1,D1小油枪作为备用。1事故经过2003-03-30完成等离子点火系统静态调试,机组检修后进入动平衡试验阶段。31日等离子点火系统经动态调试,点火成功。但随后即频繁出现断弧、不拉弧、通讯中断等现象。4月1日在用等离子点火系统3次点火不成功后,经厂家允许,决定采用轻油点火。孙××启动1…     

等离子点火系统在600 MW超临界机组的应用

介绍了2×600 MW超临界机组锅炉的等离子点火系统的原理、调试情况,并进行了经济性分析;阐述了大型燃煤机组中应用等离子点火系统的经济性及未来的应用前景。     

一种简单、方便的测量膜厚的方法——可变角干涉法

外延磁性石榴石薄膜的厚度,对于磁泡和静磁波器件设计来讲都是一个重要的参数。特别是,静磁波器件的色散特性对膜厚非常敏感,要求做出大面积、均匀的膜。为此,我们设计了一种用可变角干涉法测量YIG膜厚及膜厚分布的装置,经两年多的使用,性能良好,测量精度为±2％。本文叙述了装置的结构,并给出典型的测量结果及其误差分析。     

基于台阶刻蚀工艺的GaInP/GaAs/Ge太阳电池激光划片研究

通过湿法台阶刻蚀工艺,在GaInP/GaAs/Ge太阳电池晶圆上按设计尺寸做成切割槽,继而采用皮秒或纳秒激光划切晶圆衬底,完成尺寸误差低于10μm的电池切割,该工艺制备的太阳电池性能与金刚石砂轮划片效果等同。和金刚石砂轮划片工艺相比,激光划片具有速度快、切割图形多样、维护周期短等优点。     

基于AMR效应与Si集成的开关芯片制备与设计

采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯通电桥的尺寸,并通过光刻剥离的技术制备了电桥。研究了NiFe薄膜厚度对电桥敏感特性的影响,确定了厚度为50nm时有较高的灵敏度。将磁电阻敏感单元与信号放大处理电路集成,成功地制作出了磁场感应阀值为160A/m(2Oe)的磁电阻开关芯片。     

机力通风冷却塔在某燃机热电厂的应用

华北地区某2×350MW级天然气燃机联合循环发电工程初步设计阶段机组型号发生了调整,冷却水量有较大增加,已完成可研阶段审批程序的加高型2×2500m2逆流式自然通风冷却塔不能满足新机组对冷却水温的要求,经过计算需要采用加高型2×3000m2逆流自然塔。受到扩建场地限制,冷却塔和其它建(构)筑物的距离不满足国家现行规范的规定。通过论证采用10格18×20mΦ9140mm风机的逆流式机力通风冷却塔代替2×3000m2逆流自然塔是可行的、合理的。