金属氧化物气体传感器阵列的制备

利用薄膜技术制作的半导体金属氧化物气体传感器阵列是由一个基底上的四个传感器单元组成的。基本结构是在4英寸的硅片上制作完成的。首先,沉积金属铂电极,加热棒和温度传感器。其次,沉积半导体金属氧化物SnO2。然后进行传感器阵列电极的焊接,封装。最后进行测量,测量结果显示了传感器阵列对不同气体甲烷(CH4),一氧化碳(CO),氢气(H2),二氧化氮(NO2)和氨气(NH3)的响应。     

金属氧化物半导体气体传感器改性研究进展

金属氧化物半导体气体传感器在环境空气质量监测、有毒有害气体检测以及某些疾病初步诊断等方面具有良好的应用价值与潜力.综述了近些年针对提升金属氧化物半导体气体传感器性能的改性研究进展,从对本体材料掺杂、修饰以及复合等多方面探讨改性措施对金属氧化物半导体气体传感器性能的改善提升作用,并展望了金属氧化物半导体气体传感器未来的发...     

金属氧化物半导体电阻 型气敏传感器作用机理

根据实验所得规律,知金属氧化物表面发生的气—固、气—气反应及其相关的电子过程是气敏作用机理的基础.添加剂、表面处理、温度控制等都能够影响这些反应过程,可用来改善传感器的灵敏度和选择性.     

金属氧化物半导体气敏传感器的加热电路

本文简述了金属氧化物半导体—N- SnO2 半导体气敏传感器的加热电路,并根据实际应用对加热电路进行了一些改进。     

金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能     

金属氧化物气敏传感器

6结论与展望 6.1气敏传感器近年来的研究开发成果 以二氧化锡可燃性气体传感器为代表的金属氧化物半导体气敏传感器和以二氧化锆浓差电池氧气传感器为代表的金属氧化物固体电解质气敏传感器实用化以来的短短几十年,金属氧化物气敏传感器事业得到很大的发展,特别是近20年来,它引起了世界主要国     

固体电解质SO2气体传感器的特性研究

采用溶胶-凝胶法合成NASICON固体电解质及ZnSnO3复合金属氧化物材料,并以NASICON为基体材料,ZnSnO3为敏感电极制作管式SO2气体传感器。研究表明,在325-430℃时,SO2浓度在（5～50）×10^-1体积分数范围内,器件的EMF值与SO2浓度的对数呈现较好的线性关系。器件在375℃时对SO2的灵敏度达到255mV／decade,并且器件在此温度下表现出较好的选择性和响应恢复特性。最后对其敏感机理进行了分析。     

固体电能质SO2气体传感器特性研究

采用溶胶-凝胶法合成NASICON固体电解质及ZnSnO3复合金属氧化物材料,并以NASICON为基体材料,ZnSnO3为敏感电极制作管式SO2气体传感器.研究表明.在325～430℃时,SO2浓度在(5～50)×10-6体积分数范围内,器件的EMF值与SO2浓度的对数呈现较好的线性关系.器件在375℃时对SO2的灵敏度达到255mV/decade,并且器件在此温度下表现出较好的选择性和响应恢复特性.最后对其敏感机理进行了分析.     

金属氧化物气敏传感器(V)

大多数实用气敏传感器是金属氧化物半导体或金属氧化物固体电解质材料制作的,所以,把它们分为氧化物半导体气敏传感器和氧化物固体电解质气敏传感器两类.前者利用待测气体与氧化物半导体的相互作用引起器件电导（或电阻）的变化来测定气体，后者 利用氧化物固体电解质制作的电池的电动势与气体浓度的关系来测定气体的．     

半导体气体传感器的选择性研究

本文简述了半导体气体传感器的原理、特点与应用，介绍了改进半导体气体传感器选择性的方法以及取得的研究进展。     

金属氧化物SnO2半导体气敏传感器

金属氧化物SnO2半导体气敏传感器     

SO_2气体传感器的新进展

主要介绍了国内外当前SO2 气体传感器的研究现状及其发展趋势 ,并着重介绍了声表面波 (SAW )SO2 气体传感器的应用前景     

金属氧化物半导体气敏传感器研究进展

金属氧化物半导体气敏传感器由于具有低成本、低功耗、高灵敏度、快速响应、稳定耐用等特点而引起人们广泛关注。本文主要介绍了金属氧化物半导体气敏传感器的基本原理、分类、器件结构、气敏机制,重点介绍了金属氧化物气敏传感器性能提升方法。通过掺杂改性、改变微观尺寸和形貌以及形成各种复合结构等都有利于金属氧化物传感器气敏性能的增强,并对其增强机理进行了一定的解释。     

半导体场效应型气体传感器的研究现状与未来

集成技术在未来传感器制作中起重要作用。综述了与集成工艺兼容的半导体场效应气体传感器的研究现状与未来发展。     

一种新型三维敏感效应电容式SO2气体传感器设计

传统气体传感器只能以简单一维扩散方式对气体响应,扩散机理是建立在表面效应基础上的。提出了一种新型电容式SO2气体传感器。该传感器敏感结构由离散的微型圆柱体单元三维式扩散模型组成,模型上表面和侧面同时接触被测气体,扩大了与被测气体的接触面积。根据气敏薄膜的扩散响应理论,对传感器的响应时间作出分析,并与梳状电容式气体传感器特性相比较,说明新型传感器具有响应时间更短的优点。     

半导体气体传感器的原理和应用

日本知名化学传感器专家江頭诚教授应上海师范大学电化学研究室邀请,于1990年6月间来华访问、讲学,并与中科院上海硅酸盐研究所、上海冶金研究所及上海师大、复旦大学等单位的科技人员进行了座谈、交流。现由上海师大章宗穰同志将江頭诚教授提供的讲演提纲译成中文,并将江頭诚先生近期的有关工作摘要也附在文后,供本刊读者参阅。     

半导体碳氟化合物气体传感器开发

碳氟化合物具有多种用途,如添加剂、冷冻剂、清洁剂等.对碳氟化合物的探测主要是两个方面的需要:探测电冰箱、空调器等中的碳氟化合物泄漏状况;控制碳氟化合物在大气中的含量.     

金属氧化物气体传感器阵列参数的讨论

本文对金属氧化物气体传感器特性进行分析，提出传感器阵列的灵敏度矩阵与被测气体浓度矢量和传感器阵列中各传感器响应矢量间的夹角有关。从而得出气体传感器阵列的灵敏度为各气体浓度矢量与传感器输出矢量夹角余弦的关系。