A RAPID METHOD FOR INDEXING THE ELECTRON CHANNELLING PATTERN

<正> 在扫描电子显微镜中,利用晶体试样对高能电子的电子通道效应所获得的图样,称为电子通道花样,它在外貌上,颇类似于从透射电子显微镜所获得的菊池花样,也是由一系列规则分布的、具有明显不同衬度的带组成,这些具有不同衬度的带称为某(hkl)晶面的电子通道带(或简称为通道带)。电子通道花样中所显示的衬度和角分辨率同晶体的表面状态和完整性有关;在几何关系上,每一通道带是同晶体试样中一定的(h     

OBSERVATION OF CRYSTALLOGRAPHIC CONTRAST ON POLYCRYSTALLINE SPECIMENS BY MEANS OF CHANNELLING MICROGRAPHY TECHNIQUE

为了从多晶试样的表面显示多晶试样的结晶学衬度,文中对两种电子光学光路进行了探讨。分析结果表明: 1.对标准扫描光路,电子通道显微像的放大倍数是由电子束的扫描角范围控制,而几何衬度和结晶学衬度的比例可通过讯号处理方法来调节; 2.对欠聚焦摇摆光路,电子通道显微像的放大倍数由失焦距离控制,而从变形试样所获得的异常位向衬度效应有可能通过重叠在电子通道显微像上的电子通道花样来注释。 文中用W,Mo和奥氏体不锈钢等试样进行了观察,本方法有可能用来研究多晶材料的位向分布和形变行为。     

电子通道显微术观察多晶位向衬度

为了从多晶试样的表面显示多晶试样的结晶学衬度,文中对两种电子光学光路进行了探讨。分析结果表明: 1.对标准扫描光路,电子通道显微像的放大倍数是由电子束的扫描角范围控制,而几何衬度和结晶学衬度的比例可通过讯号处理方法来调节; 2.对欠聚焦摇摆光路,电子通道显微像的放大倍数由失焦距离控制,而从变形试样所获得的异常位向衬度效应有可能通过重叠在电子通道显微像上的电子通道花样来注释。文中用W,Mo和奥氏体不锈钢等试样进行了观察,本方法有可能用来研究多晶材料的位向分布和形变行为。     

[013]取向Cu单晶体在NaCl水溶液中腐蚀疲劳位错结构的观察

利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM-ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察。结果表明：在0．5mol／L NaCl水溶液中，腐蚀疲劳饱和位错结构主要是迷宫和脉络位错结构，这与空气中的驻留滑移带(PSBs)和脉络位错结构不同。腐蚀疲劳饱和位错结构的观察表明，介质对疲劳位错结构的影响相当于在其它条件都不变的情况下，增大了疲劳的塑性切应变幅。     

晶体电子通道花样的计算机注释

晶体电子通道花样的结晶学注释是电子通道花样分析与应用的基础。1980年廖乾初等提出的棺似原理分析法不仅成功地解决了立方晶系电子通道花样的快速注释问题,而且也为非立方晶系电子通道花样注释指出了方法原则。但当把相似原理分析法运用于非立方晶系时,仍有不便之处。相似原理分析法的基点在于把被测试样电于通道带之间的宽度比K     

IDEAL ECP MAPS FOR DIFFERENT CUBIC CRYSTALS AND THEIR RAPID INDEXING METHOD

采用晶面的极射赤面投影方法,从理论上绘制了一套不同立方晶体的理论电子通道图。为了迅速注释从实验所得的立方晶体的电子通道花样,利用上述理想电子通道图的数据制成图表,可以大大节约注释时间。误差分析表明,本注释方法不但适用于晶带轴平行于扫描电镜光轴的情况,而且适用于晶带轴倾斜于光轴的情况。     

立方晶体的理想电子通道图及其快速注释方法

采用晶面的极射赤面投影方法,从理论上绘制了一套不同立方晶体的理论电子通道图。为了迅速注释从实验所得的立方晶体的电子通道花样,利用上述理想电子通道图的数据制成图表,可以大大节约注释时间。误差分析表明,本注释方法不但适用于晶带轴平行于扫描电镜光轴的情况,而且适用于晶带轴倾斜于光轴的情况。     

晶粒组元沿界旋转的铜双晶在循环变形中的滑移形貌与位错组态

对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术(SEM-ECC)对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ(DBⅡ)对于主滑移有着明显的阻碍作用.晶界无位错区(DFZ)伴随着形变带Ⅱ在晶界的出现而产生.胞状结构的形成是由于次滑移系的开动使形变带Ⅱ中的位错墙结构先破坏而后形成.     

由SEM-EBSP能知道些什么

1　SEM -EBSP是什么所谓SEM -EBSP是指采用在扫描电子显微镜(SEM)镜体中的反射电子菊池线衍射的结晶方位分析。被称为菊池图形的衍射图形可因结晶的稍许倾斜而大大地改变其位置 ,因此 ,通过解析菊池图形就能正确地知道结晶方位。要通过实验求出各结晶晶粒的方位 ,除蚀痕法、X射线背射劳厄衍射法、透射电子显微镜 (TEM)电子射线衍射法外 ,以SEM为基础 ,还有选区电子通道花样 (SACP :Selected -AreaelectronChannelingPattern)、考塞尔X射线、背散射电子衍射花样 (EBSP :ElectronBack -ScatterdiffractionPattern)当中的一个…     

理想晶体标准电子通道图的计算机绘制

本文根据电子通道的性质和极射赤面投影的原理,编写了绘制理想晶体标准电子通道花样的计算机程序。结果表明:应用这种方法,不仅可节省大量试验,而且能迅速、准确、完整地绘制出七大晶系的理想晶体标准电子通道图。     

形貌衬度与成分衬度的特点与用处

<正>一张SEM图中,通常会有些区域或明或暗。这些亮度的不同主要来自于两类衬度:形貌衬度和成分衬度。如果是纯物质单组份样品,其SEM图中倾斜度比较大的侧面会比较亮。以δ表示二次电子的产率,其与倾角成正相关。这种因为倾角不同而造成的明暗差异称为形貌衬度。在SEM中,背散射电子的数量和原子序数有关联。而这一关联引起了所谓的成分衬度。     

晶粒组元沿晶界旋转的铜双晶在循环变形中的滑移形貌与位错组态

对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5X10-3通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术（SEM-ECC）对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ（DB Ⅱ）对于主滑移有着明显的阻碍作用.晶界无位错区（DFZ）伴随着形变带Ⅱ在晶界的出现而产生.胞状结构的形成是由于次滑移系的开动使形变带Ⅱ中的位错墙结构先破坏而后形成.     

抗菌处理对含铜铁素体不锈钢组织和性能的影响

试验钢进行了固溶及时效的抗菌处理,分析和研究了处理后含铜铁素体不锈钢组织和性能.采用不锈钢电解抛光技术与背散射电子的晶体取向衬度成像原理相结合,利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及能谱仪(EDS)对析出相形状、大小、分布及其成分进行了研究,测定和对比了试验钢抗菌处理前后的力学性能、杯突值和硬度值.研究结果表明:抗菌处理后试验钢具有优良的抗菌性能和深冲性,为该种材料用于抗菌制品工业化生产提供了依据.     

SiO2-MgO-Al2O3-ZnO-F-系玻璃陶瓷的等温析晶

应用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等技术研究了不同ZnO含量对SiO2-MgO-Al2O3-ZnO-F-系玻璃等温析晶的影响.结果表明在所研究的玻璃体系中,ZnO的饱和溶解量小于3.0%的质量分数,下同,当玻璃试样中ZnO含量达到3.0%时,在玻璃中首先析出ZnAl2O4相.ZnO的含量对析出晶体的种类影响不大,主晶相都是云母晶体与莫来石(Al6Si2O13)相,但是对析出晶体的形态有较大程度的影响.在含2.0%ZnO的玻璃试样中,在800℃时首先析出莫来石晶体,进一步提高析晶温度,逐渐析出云母晶体.随着玻璃试样中ZnO含量的增大,云母晶体的析出呈现先增加后下降的趋势.     

铜单晶ECAE过程的剪切特征

以铜单晶为模型材料,采用扫描电镜电子通道衬度术（ＳＥＭ－ＥＣＣ）和透射电子显微技术,在不同民度上研究了单次和两次等通道转角挤压过程珠剪切形变特征结果表明：（１）一次ＥＣＡＴ挤压产生的剪切形变取向与理论预测和相接近,但剪切形变表现出局部化特征,出现了微观尺度上的剪切带;（２）两次ＥＣＡＥ产生的两套剪切带间存在着交互作用,导致剪切带出现分叉现象,方向也与理论预测结果与偏差,但仍能保持其各道 剪切特征     

疲劳过程中垂直晶界Cu双晶形变带中位错组态与裂纹形核

采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究、结果表明，形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定；穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构；裂纹优先从形变带产生．     

不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带

采用分离式Hopkinson压杆装置（SHPB）和扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带（ASB）．实验表明,ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大．本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象．根据空间位向,ASB可以分为3类：第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带（DBII）平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBII平面或者比较接近第1类形变带（DBI）平面,其临界应变居中;第3类ASB位向与DBI和DBII平面均不接近,其临界应变最大．     

人造金刚石中的杂质及其对晶体结构和晶体性能的影响

研究了几十个人造金刚石的试样,这些试样有的是从苏联或其他国家工厂的工业产品中抽出的,有的是超硬材料研究所采用不同的金属溶媒在很大的压力和温度范围内专门合成的。 晶格中的杂质 氮:根据文献的叙述,在人造金刚石晶体中氮杂质中心的分布具有偶然性。在电子顺磁共振仪光谱ЭПР(见图1,②③④)中观测到的复合氮原子(主要是成对的)的谱线强度     

疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,对单滑移取向疲劳Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的,位错密集区域(基体脉络和PSBs墙中)比位错贫乏区域(通道中)平均内应力分布相对集中,PSBs夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱,PSBs与基体边界处存在很大的应力差由观察和计算结果对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制．     

珠光体钢丝冷拉拔过程中微观组织及铁素体微区取向与织构演变

采用电子通道衬度(ECC)和电子背散射衍射(EBSD)技术研究了珠光体钢丝冷拉拔过程中微观组织的变化、铁素体微区取向与织构演变,结果表明,珠光体变形组织中存在剪切带(S带),它们的出现与渗碳体片条和拉拔方向之间的夹角有关:夹角越大,S带越多,随着拉拔应变量的增大,纵截面上珠光体片条逐渐转向拉拔方向,S带方向与拉拔方向的夹角逐渐减小,珠光体内的S带会引起铁素体晶粒局部微区取向急剧变化,从而使原有的珠光体团分裂成若干个由铁素体大角度晶界相隔的区域,钢丝拉拔过程中形成平行于拉拔方向的铁素体〈110〉丝织构,随着应变量的增大,平行于拉拔方向的铁素体〈110〉丝织构增强,其它丝织构组分减弱;靠近钢丝中心区域内的〈110〉丝织构增强幅度大于其它区域。