离子注入对软金属材料摩擦特性的影响

本工作将银试件作N离子注入。对铝青铜或锡青铜则先真空蒸镀B、Ag、In或Sb膜后作N~+反冲注入。试件在低负载、低转速、干摩擦或高负载、高转速、油润滑条件下作摩擦试验。试验表明大部分注入试件表面的摩擦系数有明显下降。本文对离子注入降低摩擦系数的机理也进行了初步讨论。     

离子注入对电器触头性能的影响

对两种电器触头注入1×10~(17)/cm~2的氮离子,然后做低压电器通断试验,测量了触头的重量损失、温升、接触电阻、触头材料转移等参数,发现离子注入方法处理对电器触头性能有不同程度的改善。     

100keV金属表面改性离子注入与混合两用机

叙述了１００ｋｅＶ金属表面改性离子注入与混合两用机的总体结构及各主要部件的技术参数。该机经过调试各项主要指标已达到设计要求，工作稳定可靠，已开始金属材料表面改性实验。     

离子注入Cr、Y、Nb对γ-TiAl金属间化合物高温氧化性能的影响

采用MEVVA离子源将Cr、Y、Nb离子分别注入γ -TiAl金属间化合物 ,注入能量 50—6 0keV ,注入剂量为 1× 10 17cm- 2 ,研究γ -TiAl在 10 0 0℃空气中的循环氧化行为。结果表明 ,Cr离子和Y离子注入对γ -TiAl的高温氧化性能均没有明显影响 ;Nb离子注入γ -TiAl,在氧化初期 ,抗氧化性能得到显著提高 ,但随着氧化过程的继续 (超过 10 0h) ,这种改善作用逐渐降低。实验发现 ,通过离子注入和基体合金化向γ -TiAl中加入相同元素 ,由于工艺过程的差异 ,对其高温氧化性能的影响不同。在长时间高温氧化 (10 0 0℃ )条件下 ,离子注入表面改性无法达到提高γ -TiAl抗氧化性能的目的     

N+离子注入对锆-4合金耐腐蚀性能的影响

为了研究N+离子注入对锆-4合金耐腐蚀性能的影响,本文使用直线加速器产生的N+离子注入锆-4合金样品,通过对离子注入后样品电化学曲线的测量,分析不同剂量下N+离子注入对锆-4合金钝化电流密度的影响,同时使用透射电子显微镜分析注入层的微观结构.结果表明,随着注入剂量的提高(0-1×1016cm-2),样品钝化电流密度下降,耐腐蚀性能提高,其原因主要归结于样品表层由多晶结构到非晶结构的转变过程.     

高能离子注入对聚酰亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酰亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＾＋、Ｃ＾＋和Ｃｕ＾＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联     

离子注入对菲胁迫下的苜蓿萌发的影响

为研究离子注入对多环芳烃(Polycyclic aromatic hydrocarbons,PAHs)修复植物的诱变效应,利用离子注入苜蓿草种,探讨了离子注入后苜蓿在不同含菲质量分数环境中的萌发率和芽根长度分布.结果发现,苜蓿萌发率随注入剂量的增大,呈“鞍形”曲线特征;以植物主根长度为诱变筛选条件,发现5×1015 c...     

离子注入改善钢表面性能的研究

离子注入提供一种精确控制和改善钢表面性能的最灵便和最直接的方法。本文研究了离子注入对钢的表面硬度、光反射率和高温氧化性能的影响。     

离子注入碳对铀抗腐蚀性能影响的研究

利用离子注入技术分别用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层，并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）及表面相结构衍射谱（XRD）分析，利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。结果表明：离子注入碳能够提高铀表面抗腐蚀的能力。     

离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功能、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中,得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示,用分步注入和分步退火制备的ＳＯＩ材料大大地改善了材料的电学性能。     

离子注入对超高分子聚乙烯磨损性能的影响

用８０ｋｅＶ不同剂量的Ｃ３Ｈ＾＋８,Ｎ＾＋２对超高分子聚乙烯样品进行离子注入,通过反冲探测分析表明注入层Ｈ含量的变化,对样品表面在离子注入前后的磨损性能进行了测试。实验结果显示,离子注入以后样品表面氢含量减少,磨损性能增强。     

镧离子注入对纯锆耐蚀性的影响

为了研究镧离子注入对纯锆耐蚀性的影响,样品表面分别注入了1×10~(16)-1×10~(17)cm-2的镧离子,使用MEVVA源作为注入源,注入能量为40 kv。X光电子谱(XPS)分析了注入样品表面镧的价态,三电极动电位扫描测定了注入样品在0.5 mol/L H2SO4溶液中的极化曲线,通过与空白样(未注入样品)比较可知,镧离子注入后,纯锆样品的耐蚀性大大提高。最后,讨论了耐蚀性提高的机理。     

聚苯胺的离子注入掺杂研究

研究了聚苯胺的离子注入掺杂对导电性的影响。用红外和紫外谱法探讨了聚苯胺的氧化态，本征态和还原态经离子注入后，其结构可能发生的变化。结果表明，聚苯胺的三种态的离子注入均为还原过程。讨论了离子注入掺杂的导电机制。     

高能离子注入对聚酚亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酚亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＋、Ｃ＋和Ｃｕ＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联网状结构。     

氢气流量对类金刚石薄膜结构与性能的影响

采用直流/射频耦合反应磁控溅射法在Si（100）衬底上成功制备出类金刚石（DLC）薄膜。利用表面轮廓仪、Raman光谱仪、X射线光电子能谱仪表征所制备薄膜在不同氢气流量下的沉积速率和化学结构,讨论了氢气流量对薄膜沉积速率和化学结构的影响;利用纳米压痕技术及曲率弯曲法表征薄膜的力学性能;利用扫描电镜和原子力显微镜表征薄膜的表面形貌与粗糙度。研究表明：随着氢气流量的增加,所制备薄膜的沉积速率逐渐减小,而薄膜中sp³键的含量逐渐增大。当氢气流量为25 mL/min时,薄膜中sp³键的含量为36.3%,薄膜的硬度和体弹性模量分别达到最大值17.5 GPa和137 GPa。同时,所制备薄膜的内应力均低于0.5 GPa,有望成功制备出低内应力的高质量DLC厚膜。随着氢气流量的增加,DLC薄膜的表面变得更致密光滑,且表面均方根粗糙度由5.40 nm降为1.46 nm。