数字式混频器

在红外激光测距中，一般是通过测量发射连续激光脉冲和被测目标回波信号的相位差而求得测距离的。为了得到高测距精度，常把两信号分别同基准信号混频得到两个低频信号再进行检相。传统的频率变换方法是利用晶体管的非线性来实现的，我们在研究ＪＭＸ－１型精密激光测距仪中，采用数字集成电路，做成了数字式混频器，并取得高的测量精度。     

脉冲式混频器概述

在红外激光测距中，一般是通过测量发射连续激光脉冲和被测目标回波信号的相位差而求得被测距离的．为了得到高测距精度，常把2个信号分别同基准信号混频得到2个低频信号再进行检相．传统的频率变换方法是利用晶体管的非线性来实现的，我们在研究JMX-1型精密激光测距仪中，采用数字集成电路，做成了脉冲式混频嚣，并取得了高的测量精度．     

微波混频器电路性能的分析与评估

本文在提出判断各种混频器电路性能优劣的指标基础上,对各种混频器电路进行了定量分析,获得了明确的评估与比较.文中还对具有镜频回授的单道性混频器电路提出了简明的分析方法.     

微波混频器频域全非线性分析法

本文首先建立了微波混频器件的频域计算模型,以及相应的频域谱平衡迭代算法,然后对多频信号激励下的微波混频器进行了分析,以此研究了混频器的频率变换特性。     

高电平射频混频器

本文译自ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＷＯＲＬＤ杂志１９９８年７月号刊出的“Ｈｉｇｈ Ｌｅｖｅｌ ｒｆ Ｍｉｘｅｒｓ”一文。作者介绍了混频器的主要技术指标,讨论了几种高电平混频器的不同类型及工作性能,对接收机的设计中选择适当的混频器有一定的参考价值。     

W波段印刷电路宽频带平衡混频器

本文介绍用廉价的Ku波段混频二极管研制W波段印刷电路平衡混频器的计算机辅助设计技术和实验结果。整个电路集成在一块软基片上,基片装在E面剖开的波导盒内,结构简单,生产性好。在80至100CHz频带内,混频器变频损耗小于12分贝。     

双平衡混频器在电视发射机混频电路中的应用

随着我国广播电视事业的发展，电视发射设备已经多次更新换代。电视发射机混频电路不断更新、不断采用新器件。国内外电视发射机生产厂家都投人了相当的力量研制、设计出新的电路，从而使电视发射机电路较为简练。而双平衡混频器在新的一代电视发射机混频电路中的应用，明显地表现出了新一代电视发射产品的技术特点。往往新技术、新器件的应用，都需要一个理解、消化的过程，再加上电视发射机生产厂家，在产品技术说明中对其技术特性也没有更多的说明，就会给用户在维修设备时带来困难。我们结合实际维修中的情况，查阅有关技术资料，介绍给…     

宽中频CMOS下变频器单片

该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器。该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦。为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术。测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5～12 GHz。在频率为30 GHz、幅度为4 dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5～–5.5 dB。当固定IF为0.5 GHz、LO幅度为4 dBm时,变频增益随25～45 GHz的RF信号在–7.9～–5.9 dB范围内变化,波动幅度为2 dB。LO-IF, LO-RF, RF-IF的隔离度测试结果分别优于42, 50, 43 dB。该下变频器芯片采用TSMC 90 nm CMOS工艺设计,芯片面积为0.4 mm²。     

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。     

W 波段单平衡混频器的设计

本文设计并制作了一种微带形式W 波段单平衡混频器。该混频器采用微带环形电桥结构,射频和本振信号分别从环形电桥的隔离端口由标准波导BJ-900 输入,经对脊鳍线微带波导过渡输入到微带电路,中频信号通过跳线方式连接并通过一段高阻抗线引出到输出口。该电路使用两只DMK2790 肖特基二极管制作在介电常数为2.2,厚度为0.127mm 的RT/Duriod5880 基片上,在固定本振94.5GHz,射频90GHz 到98GHz 范围内,变频损耗小于14.5dB。     

12GHz GaAs单片混频器

分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。     

无耗GaAs MESFET单片混频器

报道了一种无耗ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器的优化设计过程，实验与计算结果吻合较好。射频频率为１１～１１．５ＧＨＺ时，变频损耗小于２．５ｄＢ。     

0.12THz谐波混频器的设计与研究

在太赫兹通信、雷达、电子对抗、测量等系统中,所遇到的首要问题便是太赫兹波信号的频率变换,谐波混频器是太赫兹通信系统中最为核心的器件,其性能的好坏将直接决定接收系统和发射系统的性能,本文对0.12THz的二次谐波混频器进行理论分析,在理论分析的基础上对该混频器进行设计仿真,理论仿真结果表明0.12THz的二次谐波混频器的损耗小于8dB,并对于优化后的模型在RT/duroid 5880为电路基片上进行加工测试,测试结果表明本文设计的0.12THz二次谐波混频器衰减为7dB,已经达到了国际先进水平。     

一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器

设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4～252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5～7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5～26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.     

一种基于OFDM UWB接收机的CMOS下变频混频器

设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4～252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5～7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5～26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA.     

一种Ka波段混合集成的单平衡混频器

本文介绍了一种由正交E面折叠魔T与鳍线混合集成的Ka波段单平衡混频器的研制概况,混频器使用国产W121封装的带状引线混频二极管。介质基片采用国产的仿RT-Duroid5880,经测试该混频器的最小单边带噪声为5.7dB(不包括前中噪声),射频与本振的隔离度均优于20dB,整体尺寸为32×19×14(mm)。     

基于LTCC技术的C频段星载接收机混频器

利用低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramic,简称LTCC)技术,设计制作了一种可应用于C频段星载接收机的双平衡混频器。该混频器将射频和本振巴伦等无源器件集成在多层LTCC基板内,实现了电路的小型化、高集成度和高可靠性。测试表明,当射频输入为5.925～6.425GHz、本振频率为2.225GHz、中频输出频率为3.7～4.2GHz时,混频器的变频损耗≤9.3dB,P1dB为5.7dBm,本振到射频和本振到中频的隔离度分别为39.44dB和35.58dB。混频器的尺寸为40×22×1.92mm3。