77K多晶硅发射区双极型晶体管

本文介绍了适于77K工作的多晶硅发射区双极型晶体管,给出了在不同工作电流条件下的电流增益的温度模型。结果表明在小电流条件下电流增益随温度下降而下降得更为剧烈,并且讨论了在不同注入情况下,浅能级杂质的陷阱作用对截止频率的影响。     

多晶硅发射区晶体管（PET）温度特性的解析理论分析

本文在已提出的综合解析模型基础上，引入各相关参数特别是多晶－单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果，给出了分析ＰＥＴ电流增益与温度关系的解析理论．以此为基础，详细分析了少子在多晶－单晶之间的界面氧化层两边界面态上的复合和少于以热发射的方式跃过杂质分凝和界面氧化层电荷形成的势垒并隧穿界面氧化层两种机理对ＰＥＴ电流增益随温度变化的影响，首次成功地把ＨＦ器件电流增益在高温区呈现出比普通金属接触晶体管温度系数大的实验结果归因于少子在界面氧化层两边的复合以及俘获截面与温度的关系σｐ．∞Ｔ－２．７，分析预示了界     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍,界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素,以及禁带变窄效应、低温下载流子冻析效应和浅能能补偿杂质隐阱效应,建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型,对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。     

非晶发射区晶体管稳定增益的研究

采用浅砷离子注入形成极薄的发射区(200～300(?)),然后在发射区的上方淀积一层掺磷的非晶硅,本结构可以有效地提高晶体管共发射极增益的稳定性.晶体管的性能良好,其中h_(te)=50～60,交流参数为f_T=1.2GHz,噪声系数N_F=1.5dB(f=600MHz,V_E=6V,I_C=2mA).     

非晶硅发射区双极晶体管的低温特性

本文研究了非晶硅发射区双极晶体管的低温特性，得出了如下结论：低温下电流增益随基区杂质浓度的上升而下降，不同于常规同质结双极晶体管的情况，集电极电流则随基区杂质浓度的上升而上升。这些结果将为低温双极晶体管的设计提供理论依据。     

晶体管发射区归一化面积的温度谱

从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。     

多晶硅发射区中的少数载流子注入理论

本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子注入形式上完全相同的连续性方程,不仅得到了前人关于晶粒间界对少数载流子具有阻碍和复合双重作用的结论,而且成功地区分了不同晶粒间界对降低注入饱和少数载流子电流贡献的大小.其中,第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流.与此同时,本文还得到了能够降低注入饱和少子电流百分之十以上的有效晶粒间界个数与晶粒/晶粒间界界面态密度和晶粒大小之间的关系.     

采用φ75mm硅片1微米技术研制的掺As多晶硅发射区脉冲功率晶体管

<正> 封面照片是由南京电子器件研究所采用φ75mm硅片研制成功的掺As多晶硅脉冲功率晶体管芯片全貌。其主要技术特点是:(1)采用全套φ75mm硅片和1μm微细加工技术、大面积几何及物理参数的均匀性控制技术;(2)采用掺As多晶硅发射区;(3)采用离子注入形成极薄的基区;(4)采用多层难熔金属作为上下电极的金属化系统,以确保高可靠性。该器件的性能已达到:     

透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应(λ=0.5～1.6μm),共发射极电流增益h_(fe)为10(V_(CE)=3V,I_C=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h_(fe)-I_C及暗电流等进行了讨论。     

双极型晶体管发射区物理参量的测定

本文提出了一种测定双极型晶体管重掺杂发射区中禁带宽度和少子复合寿命的方法.利用电流增益的温度特性,可计算出禁带宽度;通过计算发射区中少子反向饱和电流,可计算出少子复合寿命.考虑到发射区中重掺杂效应,本文采用了费米-狄拉克统计分布.此测定方法简便而实用.     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅／单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应，采用有效复合速度方法，建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。     

超高频晶体管多晶硅发射极新工艺

不管集成电路如何发展，分立器件永远不会被集成电路完全取代。而在分立器件中，高一颗小功率管产量占有相当大的比重。但直到现在，高频小功率管的生产基本上仍然是沿用了传统的老工艺。因此，对于这类器件生产工艺的改进就有着带普遍性的非常重要的意义．我们针对现行小功率管制造中存在的问题，以3DG142为代表品种，试验使用LPCVD多晶硅薄膜工艺，以掺杂多晶硅发射极结构取射传统的池发射极TIAI结构，改善了器件性能，提高了成品率和可靠性，取得了良好的结果。一、问题高濒，尤其是超高频小功率晶体管，芯片几何尺寸细微，以致做好…     

超高频多晶硅发射极晶体管的研究

本文描述了一种实现亚１００ｎｍ基区宽度的晶体管结构。加工工艺类似ＢＳＡ（硼硅玻璃自对准）技术，可实现亚１００ｎｍ的基区结深，还可解决自对准器件在横向和纵向按比例缩小时所遇到的困难。与离子注入工艺相比，这种工艺可轻易地解决诸如高剂量离子注入所产生的下列问题：二次沟道效应对基区结深减小的限制及晶格损伤。晶体管采用了多晶硅发射极，ＲＴＡ（快速热退火）用于形成晶体管的单晶发射区，为提高多晶发射区的杂质浓度     

多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型

本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。     

多晶硅发射极晶体管（PEI）Gummel—Poon模型

本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数βＦ和特征频率ｆＴ。ｆＴ的计算和实验结果符合较好。βＦ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度ＳＰ达到１０＾６ｃｍ／ｓ。     

准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．     

多晶硅有晶体管直流特性研究

研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿,电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。