共查询到14条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
系统地研究了Ag:Bi2O3纳米复合材料的光学特性、飞秒激光三阶非线性极化率以及超快响应、介电函数随纳米金属颗粒成分与尺寸的变化关系。同时给出了该材料与表面等离子共振相关的线性吸收的红移规律。由于该复合体系在类似材料中具有比较大的三阶非线性极化率与超快开关效应,在超快全光开关材料方面具有潜在应用价值。 相似文献
3.
4.
5.
系统地研究了AgBi2O3纳米复合材料的光学特性、飞秒激光三阶非线性极化率以及超快响应、介电函数随纳米金属颗粒成分与尺寸的变化关系.同时给出了该材料与表面等离子共振相关的线性吸收的红移规律.由于该复合体系在类似材料中具有比较大的三阶非线性极化率与超快开关效应,在超快全光开关材料方面具有潜在应用价值. 相似文献
6.
7.
Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。 相似文献
8.
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕Nd替代Bi的3.2Nd0.8Ti3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10V,测试频率为1MHz下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(E)分别达到27μC/cm^2和70kV/cm。更为重要的是,Au/Bi3.20Nd0.80Ti3O12/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到10^10后仍表现出较好的抗疲劳特性。 相似文献
9.
10.
11.
激光熔覆纳米Al2O3复合陶瓷涂层的组织结构 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了 4 5 #钢表面激光熔覆纳米Al2 O3 复合陶瓷涂层的微观组织结构、显微硬度和磨损特性。结果表明 ,激光熔覆层由α-Al2 O3 和TiO2 以及Al2 O3 纳米颗粒组成 ,在激光的作用下 ,消除了原来等离子喷涂层的片层状组织 ;纳米颗粒仍然保持纳米尺度 ,填充在涂层的大颗粒之间 ,起着桥连的作用 ;同时涂层气孔率的降低使涂层致密化程度得以提高 ,纳米Al2 O3涂层的显微硬度较高 ,且其耐磨性能明显优于等离子Al2 O3 +1 3%TiO2 喷涂层 相似文献
12.
In2O3:Sn和ZnO:Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 总被引:2,自引:0,他引:2
基于对锡掺杂三氧化铟(Sn-doped In2O3,简称ITO)和铝掺杂氧化锌(Al-doped ZnO,简称ZAO)薄膜退火前后XRD数据的分析,研究了薄膜晶格常数畸变的原因,同时讨论了ITO和ZAO薄膜的导电机制.结果表明,低温沉积ITO薄膜的晶格膨胀来源于Sn2+对In3-的替换,导电电子则由氧缺位提供;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于Sn4+对In3+的替换,导电电子则主要由Sn4+取代In3+后提供.低温ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致,即由Al3+对Zn2+的替换和氧缺位两者共同提供 相似文献
13.
研究F掺杂浓度对β-Ga2O3的几何结构、电子结构和光学性质的影响。F掺杂β-Ga2O3在富Ga条件下容易制备,随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的稳定性增强,结构参数变大。F掺杂β-Ga2O3是一种n型半导体材料,导带中的占据态由Ga 4s、Ga 4p和O 2p态组成,占据态随F掺杂浓度的增加而增加。随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的禁带宽度收缩,占据态展宽。F掺杂β-Ga2O3的吸收谱呈现陡峭的带边吸收和宽的吸收带。随F掺杂浓度的提高,F掺杂β-Ga2O3的带边吸收蓝移,宽带吸收的强度增强。宽带吸收是由导带中的占据态向空态带内跃迁产生的。 相似文献