悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶

区熔硅单晶纯度高,补偿度小,其高电阻率单晶在整流器件领域显示出优越性,但重掺杂工艺制备中,低电阻率FZ单晶较为困难,本文介绍一种简便掺杂方法,能较稳定生产10～10~(-2)Ω·cm区熔硅单晶。     

反渗透-电脱盐超纯水系统的改进

某厂2002年安装了一套反渗透-电脱盐超纯水生产系统,投产后,出水电阻率只为2～5 MΩ·cm,达不到≥12 MΩ·cm的设计指标.该厂对其进行了改造,将自动软化器和加盐系统前移.改造后,系统正常运转,经济效益显著.     

Nb2O5、La2O3掺杂对SrTiO3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响

主要研究了Nb2O5和La2O3双施主掺杂对SrTiO3陶瓷半导化及显微结构的影响.采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的SrTiO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下, Nb2O5La2O3比对SrTiO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响.研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响.Nb2O5La2O3为21时样品室温电阻率为0.89Ω·cm,显微结构较为理想.在此基础上,获得压敏与介电性能较佳的双功能SrTiO3陶瓷元件.     

高阻探测器级硅单晶

高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。     

由钛的特性看其未来

作为金属单质的基础物性，主要有相变点、熔点、沸点、密度、杨氏模量、电阻率、熔化热、气化热、摩尔热容、热导率、线膨胀系数以及德拜温度等。钛与人们日常应用的金属如钢铁、铝、铅、锡、锌、锰等相比，在物性方面可以说是与众不同的。 在金属元素中，电阻率ρ值最高的是锰，为1600nΩ·m~1850 nΩ·m，铋超过 1160 nΩ·m，钛比稀土金属类稍低，约为 420nΩ·m~550 nΩ·m，比铁高4倍，在常用金属中相当高。根据魏得曼·弗朗茨（W-F）定律，一定温度下电导率σ与导热率κ的关系为κ/σT=π2K2B/3e2，定义σ=1/ρ时， Kρ/T则近似为…     

掺杂钕对导电云母粉电阻率的影响

以超细云母为核体,采用化学共沉淀法在云母表面包覆二氧化锡掺杂锑形成导电层,并用硝酸钕进行修饰来制备掺杂稀土导电云母粉.通过实验发现,掺杂钕后导电云母粉的电阻率显著降低,最低可达到1Ω·cm以下,而未掺杂钕时的最低电阻率为3Ω·cm左右.进一步用XRD、SEM对导电云母粉进行了表征,并探讨二氧化锡掺杂锑导电云母粉的导电机理和掺杂钕导电性显著增强的原因.     

新型区熔硅单晶

新型区熔硅单晶北京有色金属研究院成功地研制出φ１００ｍｍＮ＜１１１＞ＮＴＤ区熔硅单晶，它是用于制做高电压、大电流功率器件的一种新型材料。晶体直径φ１００ｍｍ；电阻率范围５０～３００Ω·Ｃｍ；径向电阻率不均匀性≤６％；晶体少数载流子寿命≥１００μｓ；晶...     

Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的制备与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂的PbTiO3陶瓷,并对其制备条件和电性能进行了研究。结果表明:Sm2O3掺杂能够缩短凝胶形成时间,降低PbTiO3陶瓷烧结温度,改善烧结性能;Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的电阻率均低于纯PbTiO3陶瓷,当掺杂量为0.003(n(Sm2O3)∶n(PbTiO3))时,电阻率最低,为5.8×108Ω·m;通过XPS分析,得到了Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷中各元素的结合能位置,表明Sm3+、Ti4+等都存在着不同程度的变价,导致了PbTiO3陶瓷导电性的提高。     

添加Y_2O_3对LaCaCrO_3电性能的影响

铬酸镧(LaCrO_3)是属于一种稀土氧化物半导体材料。其中部分La~(+3)离子被碱土金属Ca~(2+)离子置换生成LaCaCrO_3,呈现出良好的电传导性(室温下电阻率不大于10Ω·cm)、     

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。     

ATB掺杂新工艺的研究

木文对铵钨青铜(ATB)掺杂过程的掺杂效应及掺杂均匀性的有关工艺条件及参数进行了较系统的研究。以保持ATB原有物化特性为前提,确定了未见过资料报道的调酸用酸的类别、掺杂料的烘干温度等工艺参数;给出了低铝掺杂剂中K/Si的范围,并着重研究和对比了湿法、干法、浸润掺杂和掺杂效应、掺杂均匀性的关系。结果表明湿法掺杂的偏差最大,约为±63％。本文推荐的浸润掺杂新工艺的掺杂分布偏差仅为±5.6％,在83年到85年先后进行了三个批量共450kgATB的工业规模试验。钨粉中含钾可稳定在80±20ppm,掺杂元素的分布偏差分别为±12％、±10.8％。这是一种掺杂效应高、偏差小、技术先进、新颖、节能的掺杂新工艺。设备简单,可广泛应用于制丝行业     

稀土磁性陶瓷

磁性陶瓷分为含铁的铁氧体陶瓷和不含铁的磁性陶瓷。多属于半导体材料,电阻率约为10～10~6Ω·m,因此成为现代电子技术中必不可少的一种材料。用它们代替低电阻率(10~(-8)～10~(-6)Ω·m)的金属和合金磁性材料,可大大降低涡流损耗,适用于高频场合。磁性陶瓷的高频磁导率也较高,这是其它金属磁     

GaAs中杂质-空位络合物在生长无位错单晶中的作用

本文从 GaAs 体晶体的补偿比计算得的 D·V_(Ga)(杂质-镓空位)浓度,来估计 n 型掺杂晶体的“掺杂效应”(通过掺杂降低晶体位错密度)。综合分析已发表的及本所的掺 Si、S、Se、Te 和Sn 晶体的实验数据,结果表明,掺杂效应的有效性与 D·V_(Ga)浓度有关。各种杂质形成的 D·V_(Ga)对位错密度的影响大致相同,位错密度随 D·V_(Ga)的增加而下降,当浓度约达1.5×10~(18)厘米~(-3)(对 Si 为折合后可比的浓度)左右时,可以长成无位错单晶。晶体位错密度与 D·V_(Ga)之间具有如下一般的关系:EPD=A-m〔D·V_(Ga)〕~(1/4) (A、m 为常数)。D·V_(Ga)降低位错的作用可能是它与位错相互作用增强晶体屈服应力所致。此外,从杂质与缺陷相互作用的观点,简单地讨论了 Al,N 和 Zn 的掺杂效应。     

我国仪表用精密电阻合金

一、引言精密电阻合金是精密电阻器中所用的关键材料。所谓精密电阻器,通常是指高精密高稳定的元器件,额定功率一般在2瓦以下,标称阻值由0.01Ω～20MΩ之间,允许偏差范围为±2％～±0.001％。有合金型与薄膜型两种。谈到精密电阻合金的发展,最早要追溯到上世纪中叶麦铁逊在英国研究了百余种     

间歇精馏法生产硅外延用的高纯SiCl_4

按本文所述的方法可以生产供硅外延使用的高纯SiCl_4,其化学纯度可达8个“9”以上;生产不掺杂n/n~+硅外延层(厚度为40～50微米)的电阻率在100欧姆-厘米以上。最高可达300欧姆-厘米;生产不掺杂n/n~-硅外延层(厚度500～1500微米)的电阻率在300欧姆-厘米以上,最高可达700欧姆-厘米,其平均霍耳迁移率为1735厘米~2/伏·秒,接近本征硅的霍耳迁移率(～1900厘米~2/伏·秒)     

掺铕聚合物光纤的光辐射特性

制备了掺铕螯合物的阶跃型聚合物光纤。根据Judd-O fe lt(J-O)理论,从铕螯合物Eu(DBM)3掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMM A)的发射光谱获得了光学跃迁的J-O参数Ω2、Ω4(Ω2=15.71×1-0 20cm2,Ω4=0.24×10-20cm2)。用J-O参数计算了铕离子激发态(5D0)的辐射跃迁几率(513.97-s 1)和辐射寿命(1945.6μs),同时计算了5D0→7FJ跃迁的受激发射截面ijσ和荧光分支比,β分析表明,Eu(DBM)3掺杂的PMM A可望用于聚合物光纤放大器和激光器。     

铝金属基板的制备及性能

利用阳极氧化方法研制了应用于高密度封装中的铝金属基板。对其性能进行了测量。结果表明 ,在草酸电解液中获得的阳极氧化铝基板的膜层具有良好的电阻率 ,可达到 1× 10 1 4～ 1× 10 1 5Ω·cm数量级。其介电常数低于 10 ,随氧化膜层厚度增加而减小。对膜层进行的后续封孔处理提高了膜层的绝缘性能及耐蚀性。提高成膜温度有利于改善阳极氧化铝基板的耐热震性能     

中子辐照对硅晶体电学性能的影响

采用弱场霍尔技术研究了中子辐照对硅单晶电性能(导电类型、电阻率、霍尔系数、载流子浓度及霍尔迁移率)的影响。实验发现:对电阻率范围10~(-2)-8Ω-cm的硅单晶,经中子辐照后,载流子浓度降低、电阻率增加,霍尔迁移半变小。此变化规律对低掺杂试样明显。作者认为辐照在硅单晶中产生的电活性缺陷能级是连成电参数变化的主要原因。     

Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的制备与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂的PbTiO3陶瓷,并对其制备条件和电性能进行了研究.结果表明Sm2O3掺杂能够缩短凝胶形成时间,降低PbTiO3陶瓷烧结温度,改善烧结性能;Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的电阻率均低于纯PbTiO3陶瓷,当掺杂量为0.003(n(Sm2O3)∶n(PbTiO3))时,电阻率最低,为5.8×108Ω*m;通过XPS分析,得到了Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷中各元素的结合能位置,表明Sm3+、Ti4+等都存在着不同程度的变价,导致了PbTiO3陶瓷导电性的提高.     

水中痕量铍的光度法测定

在pH5.9±0.2(CH_2)_6N_4缓冲介质中,铍(Ⅱ)与CAS和Zeph—Triton X—100形成蓝色配合物,ε_(10)为1.4×10~5L/(mol·cm),0～1.2μg Be/25mL符合比尔定律。可用于地面水和工业废水中痕量铍的测定。