White Oak成为1999年的最佳生产线

在Ｓａｎｄｓｔｏｎ、Ｖａ的ＷｈｉｔｅＯａｋ半导体工厂被国际半导体第 8届顶尖Ｆａｂ年会评为最佳生产线。该公司自 1 996年 5月成立以来 ,进展很快。于 1 996年 8月开始厂房设计 ,同年 1 0月开工建造。 1 997年 9月购买生产设备 ,于 1 998年 1月完成第一批硅产品 ,并在 8月开始采用 0 2 5 μｍ技术生产 6 4ＭｂＳＤＲＡＭ。占地面积 7432 0ｍ2 ,建成了具有检测、组装、测试等完整的综合圆片加工线。缩短封装电子产品的时间 ,提高了封装圆片的成品率 ,使ＷｈｉｔｅＯａｋ公司的产品直接面向顾客。该公司对于设备的更新是相当积极的。他们…     

2004年展会讯息

1.2 0 0 4年 2月 18- 2 0　　　第 12届国际电子元器件设备及光电产品展览会 (深圳 )2 .2 0 0 4年 2月 2 7- 2 9　第 6届中国国际电子元器件及生产设备仪器仪表展览会 (东莞 )3.2 0 0 4年 3月 1- 4　第 6届中国国际工业控制、仪器仪表、计量测试展览会 (西安 )4 .2 0 0 4年 3月 1- 4　中国西部装备制造展览会 (西安 )5 .2 0 0 4年 3月 3- 5　 2 0 0 4年第 8届中国国际电子元器件及电子设备展览会 (深圳 )6 .2 0 0 4年 3月 30 - 4月 2　中国电子产品、电子信息、电机磁性材料展、重庆7.2 0 0 4年 3月 2 4 - 2 6　第 5届湖南国际工控、自动化…     

第二届全国半导体后封装设备、模具技术交流会在无锡召开

“第二届全国半导体、后封装设备、模具技术交流会”于 2 0 0 2年 9月 1 0日～ 1 2日在无锡华晶宾馆举行。本次会议由中国电子专用设备工业协会和中国半导体行业协会集成电路专业协会共同举办。大会主席中国电子专用设备工业协会金存忠秘书长和中国半导体行业协会集成电路专业协会于燮康秘书长在大会开幕式上致辞 ,信息产业部电子信息产品司王勃华处长及有关专家就我国半导体器件和集成电路后封装现状和发展趋势作了报告 ,四十五所等单位介绍并演示了已开发和正在开发的后封装设备和模具。本次会议与会代表近 70人 ,来自国内主要后封装研究…     

片式器件生产应用现状及发展前景

片式器件生产应用现状及发展前景中国半导体行业协会分立器件专业协会刘道河１国外表面贴装技术与片式器件发展应用情况１９９２年世界用ＳＭＴ组装的电子产品占３９％，总产值为２５１亿美元，预计１９９７年全世界ＳＭＴ的应用面将达到６６％，发展非常迅速。目前美国将...     

SEMICON China 2002 Shanghai国际半导体设备及材料展览会圆满落幕

20 0 2年ＳＥＭＩＣＯＮＣｈｉｎａ于 3月 2 6～ 2 7日在上海国际展览中心成功举办 ,这是在我国举办的ＳＥＭＩＣＯＮＣｈｉｎａ有史以来规模最大、展商最多、最具轰动的一次展会 ,许多参加过美、日ＳＥＭＩＣＯＮ展览的人士都深有感触地说 ,这次展会从规模和内容上都与国外的ＳＥＭＩＣＯＮ有些接近了。3月 2 6日 ,2 0 0 2年国际半导体设备及材料展览暨研讨会 (ＳＥＭＩＣＯＮＣｈｉｎａ 2 0 0 2 )在上海国际展览中心隆重开幕 ,ＳＥＭＩ总裁兼首席执行官斯坦迈耶斯先生在致词中指出 :中国半导体工业正在与世界半导体工业一起经历着一场巨变…     

飞兆半导体推出新型MOSFET

飞兆半导体公司 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出七种新型高压平面型ＭＯＳＦＥＴ ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (ＳＭＰＳ)和ＤＣ/ＤＣ转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体ＴＯ 2 2 0封装 5 0 0ＶＦＱＰ18Ｎ 5 0Ｖ2为例 ,其ＦＯＭ较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0ＶＦＱＤ18Ｎ2 0Ｖ2采用Ｄ ＰＡＫ封装 ,其ＦＯＭ (ＲＤＳ(ＯＮ)…     

台湾深亚微米发展势头正旺

台湾省半导体行业的亚微米生产大多已进入 0 35 μｍ以下。但在进行批量生产的同时 ,台湾ＤＲＡＭ产品市场的 80 %由境外进入。 1 998年使台湾自产的ＤＲＡＭ价格几乎下跌 1 0倍。对此 ,台湾半导体行业协会(ＴＳＩＡ)进行了长期观察 ,发现美国厂商涉嫌持续以低价向台湾倾销ＤＲＡＭ。该协会要求台湾对美国厂商的倾销行为展开反倾销调查 ,并给予征收反倾销税。美国进入台湾的ＤＲＡＭ价格低于台湾同类产品正常价格的46 %。在反倾销的同时 ,台湾抓紧时间不断调整亚微米生产能力。联电集团将达到0 35 μｍ、 0 2 5 μｍ和 0 1 8μｍ生产能…     

飞兆半导体推出全新的40V MOSFET

飞兆半导体 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)针对ＤＣ/ＤＣ转换推出了 5种Ｎ沟道 4 0ＶＭＯＳＦＥＴ ,分别为ＦＤＳ4 770、ＦＤＳ4 4 70、ＦＤＳ4 780、ＦＤＳ4 4 80和ＦＤＳ4 672Ａ ,为膝上型电脑、电脑ＶＲＭ、电信、数据通信 /路由器及其他便携 /手持式设备的电源设计 ,提供极佳的价格和效能优势。ＦＤＳ4 770的最大Ｒｄｓ(ｏｎ)为 7.5ｍΩ ,最高结点温度为 175°Ｃ。这些 4 0Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ具有增强的抗雪崩能力 ,能适应恶劣的操作环境 ,在存在高瞬态电压的应用或ＭＯＳＦＥＴ需要承受增强应力的工作模式中 ,可带来更…     

五项通信行业标准发布

日前 ,信息产业部发布了 5项推荐性通信行业标准。标准自发布之日起施行。各标准的名称、编号如下 :一、《通信用开关电源系统监控技术要求和试验方法》 ,编号为ＹＤ/Ｔ110 4- 2 0 0 1;二、《90 0 / 180 0ＭＨｚＴＤＭＡ数据蜂窝移动通信网通用分组无线业务 (ＧＰＲＳ)设备技术规范 ;交换子系统》 ,编号为ＹＤ/Ｔ110 5 - 2 0 0 1;三、《90 0 / 180 0ＭＨｚＴＤＭＡ数字蜂窝移动通信网通用分组无线业务 (ＧＰＲＳ)基站子系统与服务ＧＰＲＳ支持节点 (ＳＧＳＮ)间接口 (Ｇｂ接口 )技术规范》 ,编号为ＹＤ/Ｔ110 6 - 2 0 0 1;四、《90 0 / 180 …     

Cable Modem系统的配置

1　ＣａｂｌｅＭｏｄｅｍ的特点及其系统连接ＣａｂｌｅＭｏｄｅｍ系统包括前端设备ＣＭＴＳ和用户端设备ＣａｂｌｅＭｏｄｅｍ(ＣＭ) ,两设备通过双向ＨＦＣ网络连接。双向ＨＦＣ网络分为上行通道和下行通道 2部分 ,下行通道的频率范围为 88～ 86 0ＭＨｚ,每个通道的带宽为 6ＭＨｚ,采用 6 4ＱＡＭ或 2 5 6ＱＡＭ调制方式 ,对应的数据传输速率为 30 .342Ｍｂ/ｓ或 4 2 .884Ｍｂ/ｓ ;上行通道的频率范围为 5～ 6 5ＭＨｚ,每个通道的带宽可为 2 0 0ｋＨｚ、4 0 0ｋＨｚ、80 0ｋＨｚ、16 0 0ｋＨｚ、32 0 0ｋＨｚ,采用ＱＰＳＫ或 16ＱＡＭ调制…     

VLSI研究机构估算设备市场

最近 ,ＶＬＳＩ研究机构对 2 0 0 0年半导体设备市场进行了分析。在圆片ｆａｂ设备方面 ,最大市场是淀积设备 ,约为 10 4亿美元。该类设备生产厂家中 ,应用材料公司居统治地位 ,占市场份额最大 ,为 5 5 % ;其次是位于ＳａｎＪｏｓｅ的Ｎｏｖｅｌｌｕｓ公司 ,占 10 % ;以及位于东京的东京电子有限公司 (ＴＥＬ) ,占 10 %。第二大市场是曝光设备 ,约为 6 0 6亿美元。该类设备生产厂家中 ,东京的ＮｉｋｏｎＰｒｅｃｉｓｉｏｎ公司占市场份额的 4 0 % ,其次是ＡＳＭＬ公司 (Ｖｅｌｄｈｏｖｅｎ ,荷兰 )占 30 % ,佳能公司 (日本大阪 )占 2 0 %。…     

三星电子批量生产015μm SRAM

三星电子公司采用 0 15 μｍ工艺技术成功地批量生产 8Ｍ小功率ＳＲＡＭ ,以ＣＳＰ和ＭＣＰ形式供给便携电话厂家 ,用于大容量 1μＡ以下和低功耗 ,ＩＭＴ— 2 0 0便携电话。该公司批量生产 0 15 μｍＳＲＡＭ ,2 0 0 0年部门销售达到 15亿美元 ,从 2 0 0 1年开始以 4Ｍ作为换算 ,月产为 2 0 0 0万个 ,销售额可达 18亿美元。另外 ,预料 2 0 0 2年 ,2 0 0 3年分别生产 0 12 μｍ ,0 1μｍ超微细电路线宽技术的半导体存储器三星电子批量生产015μm SRAM@一凡…     

4 GDRAM

三星电子公司开发出了 4ＧＤＲＡＭ。在今年 2月的半导体学会 (ＩＳＳＣＣ)上公开发表。该产品采用 1μｍ微细工艺技术 ,开创了下一代 4Ｇ存储器半导体制品技术的先河。容量为 4 2亿 90 0 0万位 ,在 1芯片上用英文字换算约 5亿字以上。单行本 6 40卷 ,静止图像 16 0 0枚 ,保持 6 4小时的声音数据。另外 ,还开发出了 [高析像度照像显像技术 ]、 [确保单元静电容量技术 ]、 [低电阻布线技术 ]等较高的尖端工艺技术。如果在 0 1μｍ技术的 12 8Ｍ、 2 5 6ＭＤＲＡＭ上采用该技术的话 ,据说成本可削减到 6 0 %以上。另外 ,还向国内外申请与该技…     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

三菱电机投资2000亿日元于φ300mm生产线

日本三菱电机公司在高知工厂内新建30 0ｍｍ晶片 ,适用于 0 15 - 0 .13μｍ规格的半导体制作生产线 ,约投资 2 0 0 0亿日元 ,计划从 2 0 0 3年开始批量生产闪速ＥＥＰＲＯＭ和ＤＲＡＭ和数字家电的系统ＬＳＩ等。生产规模 (30 0ｍｍ晶片 )月产为 2 5 - 3万枚。 2 0 0 1年下半年约投资 10 0亿日元 ,松下电子工业也参加投资。三菱电机投资2000亿日元于φ300mm生产线@一凡     

高线性、高效SiGe MMIC

ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和 75ｍＡ下工作 ,适用于家庭ＲＦ ,无线网和ＩＥＥＥ80 2 11。型号为ＳＧＡ - 6388在 1ｄＢ压缩点 ,输出功率为 2 0ｄＢｍ ,输出ＴＯＩ(ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｃｅｐｔ)点为 36ｄＢｍ ,在 90 0ＭＨｚ下 ,增益为 15 5ｄＢ。ＳＧＡ - 6388的单价为 1 2 1美元高线性、高效SiGe MMIC@一凡…     

松下电器产业公司研制成单片量子Si存储器

日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前 1/ 10 0超节能的单片量子Ｓｉ存储器。采用ＭＯＳＦＥＴ制造工艺和在相同条件下可制作Ｓｉ量子器件的技术 ,以及利用Ｓｉ量子器件负阻特性的低压工作双稳定电路技术。其特征是在同一衬底上实现Ｓｉ量子器件和ＭＯＳＦＥＴ的混合组装存储电路。工作电压范围为 0 2～0 5Ｖ ,为以前的 1/ 15～ 1/ 16,若以耗散功率来换算 ,为以前的 1/ 10 0 ,另外 ,可ＣＭＯＳ工作 ,还开展立体集成化大容量多值存储器件应用的研究 ,计划在 2 0 0 5年实用化松下电器产业公司研制成单片量子Si存储器@一凡…     

世界CMP设备市场

近年来 ,由于半导体制造技术不断向微细化、高速、高密度方向发展 ,适用于平坦化工艺的ＣＭＰ技术得以飞速发展 ,ＣＭＰ设备市场从 1 994年初具规模到目前迅速地增大。其推进情况如下 :1 994年 6 0 0 0亿日元 ;1 995年 1 5 0 0 0亿日元 ;1 996年 40 0 0 0亿日元 ;1 997年 6 5 0 0 0亿日元 ;1 998年 6 2 0 0 0亿日元 ;1 999年 96 0 0 0亿日元。从 1 998年世界ＣＭＰ设备市场的分布情况看 ,美国为 39% ,日本为 30 % ,台湾地区为1 6 % ,欧洲为 8% ,韩国为 4% ,其它亚太地区占 3%。从 1 998年ＣＭＰ设备生产商所占世界市场份额来看 ,日本的荏原…     

2003’中国华南国际电子信息显示产品展览会暨研讨会

时间 :2 0 0 3年 6月 1 2日— 1 4日地点 :广州锦汉展览中心主办单位 :中国电子视像行业协会大屏幕投影显示设备分会协办单位 :中国机电产品进出口商会视听产品分会中国机电产品进出口商会电子元器件分会中国电子视像行业协会专用部件专业分会中国光学光电子行业协会ＬＥＤ分会中国照明电器协会《电子资讯时报》　《中国电子报》承办单位 :广州亿汇展览有限公司北京联四方科贸有限责任公司研讨会内容 :1、国际显示技术发展与市场动态2、我国显示技术发展与市场动态3、数字电视技术发展与市场动态4、背投式彩色投影机技术发展与市场动态5、多…     

21世纪的移动通信系统UMTS

1　优　势ＵＭＴＳ(ＵｎｉｖｅｒｓａｌＭｏｂｉｌｅＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ)是ＩＴＵＩＭＴ 2 0 0 0的重要组成部分。早在 1 991年 ,ＥＴＳＩ就开始了这方面的技术研究 ,1 998年初为ＵＭＴＳ选择了一种无线接口ＵＴＲＡ(ＵＭＴＳＴｅｒｒｅｓｔｒｉａｌＲａｄｉｏＡｃｃｅｓｓ) ,作为全球地面无线接入网络的基础。ＵＭＴＳ除支持现有的一些固定和移动业务外 ,还提供全新的交互式多媒体业务。ＵＭＴＳ使用ＩＴＵ分配的、用于陆地和卫星无线通信的频带。它可通过移动或固定、公用或专用网络接入 ,与ＧＳＭ和ＩＰ兼容…