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本文报导测定水热法生长的激光晶体NdP_5O_(14)和Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)的光谱特性。从所测结果得知,改变Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)晶体中组分x,对峰值位置没有影响。由吸收光谱计算了主要吸收峰的吸收截面和振子强度。红外光谱测试结果表明,我们生长的NdP_5O_(14)晶体中不含有OH和P-OH键。测定了晶体的荧光光谱,在改进实验装置的情况下,测出了荧光强度较弱的4~F_(3/2)→4~I_(13/2)跃迁。根据所测光谱数据,确定了NdP_5O_(14)晶体中Nd~(3 )离子室温实验能级。所得结果与文献报导相符。 相似文献
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西安五所用山东大学晶体研究室研制的大块NdP_5O_(14)晶体和该所研制的微型脉冲氙灯,设计组装了一台微型脉冲NdP_5O_(14)(Nd_xLa_(1~x)P_5O_(14))激光器,并于1979年1月8日输出激光。 NdP_5O_(14)——Ndpp是一种光学增益高的新型激光晶体。晶体中的Nd不是作为掺杂物进入基质,它本身就是化合物中的一个组分,就是说,它既是激活离子又是基质。Ndpp晶体中Nd~(3+)的浓度(4×10~(21)厘米~(-3))约为掺钕1%的YAG:Nd~(3+)中的Nd~(3+)浓度 相似文献
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NdP_5O_(14)晶体是一种低阈值、高效率的激光晶体,虽有很多人曾提出过实用化设想,但因晶体生长困难,器件仍处在实验阶段。山东大学现已生长出70毫米长,60克重的光学质量较好的NdP_5O_(14)晶体。 相似文献
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用蒸发溶液法从磷酸溶液中生长出14种KNd_(0.9)Ln_(0.1)P_4O_(12)晶体(其中Ln=La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y)。测定了它们的晶体结构、红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命,计算了晶格常数,观察到掺入Ln~(3+)后对KNdP_4O_(12)晶体的影响。 相似文献
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报道了孪生的五磷酸Y(10%)Nd(90%)(0.9Nd-0.1YP_5O_(14))晶体的激光特性,尺寸为4.5×3毫米菱形截面,厚2毫米。在用重复脉冲的氩激光器激励下,获得功率转换效率≈24%,输出峰值功率近似为240毫瓦。0.75Nd-0.25InP_5O_(14),0.1Nd-0.9YP_5O_(14),0.1Nd-0.9CeP_5O_(14)和0.1Nd-0.9GdP_5O_(14)样品也发出了激光。 相似文献
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本文叙述适于作激光用的五磷酸镨单晶 PrP_5O_(14)的化学合成与晶体生长。用 x射线法测定其空间群及单胞参数。同时给出该晶体的其它一些物理参数。得到的超辐射和激光发射在可见光区,这样就延伸了先前在 NdP_5O_(14)和 Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)单晶中所观察到的红外辐射。 相似文献
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研究了室温下 NdP_5O_(14)晶体中 Nd~(3+)的4F_(3/2)态的荧光寿命。观察到高泵浦强度下影响光学增益的荧光双指数衰减曲线。从能量传递过程进行理论分析。简单描述了脉冲若丹明6G 激光器选择泵浦的τ计。 相似文献
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采用改进的激光加热基座法 (LHPG)生长出了位于准同形相界附近的含有 Pb元素的钨青铜结构的铁电晶体 (1- x) Pb2 KNb5O15- x Sr2 Na Nb5O15(PSKNN)。通过调节激光功率和陶瓷源棒中 Pb O的含量 ,有效地控制和补偿了晶体生长过程中 Pb O的挥发。通过选择适当的籽晶 ,可以得到沿 [0 0 1],[10 0 ]和 [110 ]方向生长的 PSKNN晶体。研究了所生长晶体的铁电、介电和压电性质 ,并对其准同形相界进行了初步的讨论。 相似文献
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采用离子束辅助蒸发,以TiO2,Ti3O5,Ti2O3为膜料,制备了具有良好光学透射性的TiO2薄膜.结果分析表明,所制备出的TiO2薄膜均为非晶态结构,退火后薄膜发生晶化均具有明显的(101)择优取向;晶化的程度和退火温度的高低有关;退火处理之后以TiO2,Ti3O5为膜料制备的薄膜透射率下降,而以Ti2O3为膜料的上升;膜料不同对氧的需求量不同:以TiO2,Ti3O5为膜料制备薄膜所需氧量,远小于以Ti2O3为膜料所需氧量,氧流量过多降低了薄膜的透射性能,且随氧流量的不同,薄膜的透射率曲线均发生偏移,膜料不同偏移度也不同. 相似文献
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报道了一台高效率、高峰值功率351 nm紫外激光器。采用激光二极管(LD)端面抽运Nd:YLF晶体声光调Q获得准连续窄脉宽1 053 nm基波振荡,腔外两块LiB3O5(LBO)晶体紧贴输出镜放置,对基频光进行二倍频和三倍频,获得了高峰值功率351 nm紫外激光输出。在LD抽运功率为14 W、声光调 Q 激光器的调制频率为1 kHz的工作条件下,基波平均输出功率为1.45 W时,得到351 nm紫外激光平均输出功率450 mW,1 053 nm基频光到351 nm紫外光转换效率高达31.04%,脉冲宽度为7.5 ns,峰值功率达60 kW,光束质量良好。 相似文献
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Ta2O5 single crystals have been grown by the laser heated pedestal growth (LHPG) technique up to several centimeters length with diameter of 1.1 mm. The crystal, characterized by X-ray diffraction, dielectric measurement, and thermal expansion analysis, has Htri-Wa2O5 symmetry. Dielectric permittivity, loss tangent along [001] and [110] direction were investigated over the temperature range from -180℃ to 100℃. Large dielectric anisotropy in 2O5 single crystal was observed. At room temperature, the dielectric permittivities (1 MHz) along [001] and [110] are 33.2 and 231.9, respectively. The reason of dielectric enhancement in Ta2O5 crystal grown by LHPG was also discussed. 相似文献
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Shengnan Zhang Xiaozheng Lian Yanchao Ma Weidan Liu Yingwu Zhang Yongkuan Xu Hongjuan Cheng 《半导体学报》2018,39(8):27-31
β-Ga2O3 is an ultra-wide band-gap semiconductor with promising applications in UV optical detectors,Schottky barrier diodes,field-effect transistors and substrates for light-emitting diodes.However,the preparation of large β-Ga2O3 crystals is undeveloped and many properties of this material have not been discovered yet.In this work,2-inch β-Ga2O3 single crystals were grown by using an edge-defined film-fed growth method.The high quality of the crystal has been proved by high-resolution X-ray diffraction with 19.06 arcsec of the full width at half maximum.The electrical properties and optical properties of both the unintentionally doped and Si-doped β-Ga2O3 crystals were investigated systematically. 相似文献