五磷酸钪晶体用作电子探针标样的研究

我们提供的五磷酸钪晶体用作电子探针标准样品的研究情况,简单介绍如下: 样品的制备:五磷酸钪晶体(ScP(?)O_(14),由于Sc的性质类似于其它稀土元素,所以采用了蒸发溶液法生长。该法的基本原理是磷酸脱水聚合,ScP_5O_(14)的浓度不断增加,而从多聚磷酸溶液中析出。     

NdP_5O_(14)的光谱和能级

本文报导测定水热法生长的激光晶体NdP_5O_(14)和Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)的光谱特性。从所测结果得知,改变Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)晶体中组分x,对峰值位置没有影响。由吸收光谱计算了主要吸收峰的吸收截面和振子强度。红外光谱测试结果表明,我们生长的NdP_5O_(14)晶体中不含有OH和P-OH键。测定了晶体的荧光光谱,在改进实验装置的情况下,测出了荧光强度较弱的4~F_(3/2)→4~I_(13/2)跃迁。根据所测光谱数据,确定了NdP_5O_(14)晶体中Nd~(3 )离子室温实验能级。所得结果与文献报导相符。     

氙灯泵浦的NdP_5O_(14)晶体微型脉冲激光器已出光

西安五所用山东大学晶体研究室研制的大块NdP_5O_(14)晶体和该所研制的微型脉冲氙灯,设计组装了一台微型脉冲NdP_5O_(14)(Nd_xLa_(1～x)P_5O_(14))激光器,并于1979年1月8日输出激光。 NdP_5O_(14)——Ndpp是一种光学增益高的新型激光晶体。晶体中的Nd不是作为掺杂物进入基质,它本身就是化合物中的一个组分,就是说,它既是激活离子又是基质。Ndpp晶体中Nd~(3+)的浓度(4×10~(21)厘米~(-3))约为掺钕1％的YAG:Nd~(3+)中的Nd~(3+)浓度     

五磷酸钕(NdP_5O_(14))脉冲激光器

本文根据NdP_5O_(14)的吸光光谱同Nd:YAG相似的特点,采用微型长弧脉冲氙灯泵浦,使NdP_5O_(14)晶体首次实现激光运转。为进一步提高NdP_5O_(14)横向泵浦的效率,我们又精心设计了适用于小尺寸激光晶体泵浦的高充气压脉冲长弧闪光灯和与其匹配的L-C放电网络,紧耦合聚光器及平面-平面谐振腔,并采用了可饱和染料片使NdP_5O_(14)调Q激光器实现了微小型化。该激光器采用尺寸为2.5×2.5×22毫米的NdP_5O(14)晶体的激光运转参数是:静态     

NdP_5O_(14)晶体已用于小型测距机

NdP_5O_(14)晶体是一种低阈值、高效率的激光晶体,虽有很多人曾提出过实用化设想,但因晶体生长困难,器件仍处在实验阶段。山东大学现已生长出70毫米长,60克重的光学质量较好的NdP_5O_(14)晶体。     

ErP_5O_(14)晶体的生长与光谱

引言Er~(3 )已用作固体激光的激活剂或敏化剂,它在紫外、可见光谱区有丰富的强吸收带,在光抽运情况下容易实现激光振荡。Er~(3 )在晶体中有几种波长能够产生激光,其中以1.5μm振荡阈值较低,这一波长激光在光纤介质中传输损耗很低,可用作光纤通信的光源。因此,开展ErP_5O_(14)晶体的光谱和激光性能研究很有意义。过去,我们曾在自己组装的荧光分光光度计上测定了NdP_5O_(14),EuP_5O_(14),TbP_5O_(14)     

稀土元素对KNdP_4O_(12)激光晶体的影响

用蒸发溶液法从磷酸溶液中生长出14种KNd_(0.9)Ln_(0.1)P_4O_(12)晶体(其中Ln=La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y)。测定了它们的晶体结构、红外光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命,计算了晶格常数,观察到掺入Ln~(3+)后对KNdP_4O_(12)晶体的影响。     

大块五磷酸钕晶体的激光特性

报道了孪生的五磷酸Y(10％)Nd(90％)(0.9Nd-0.1YP_5O_(14))晶体的激光特性,尺寸为4.5×3毫米菱形截面,厚2毫米。在用重复脉冲的氩激光器激励下,获得功率转换效率≈24％,输出峰值功率近似为240毫瓦。0.75Nd-0.25InP_5O_(14),0.1Nd-0.9YP_5O_(14),0.1Nd-0.9CeP_5O_(14)和0.1Nd-0.9GdP_5O_(14)样品也发出了激光。     

激光优质五磷酸镨的化学合成与晶体生长

本文叙述适于作激光用的五磷酸镨单晶 PrP_5O_(14)的化学合成与晶体生长。用 x射线法测定其空间群及单胞参数。同时给出该晶体的其它一些物理参数。得到的超辐射和激光发射在可见光区,这样就延伸了先前在 NdP_5O_(14)和 Nd_xLa_(1-x)P_5O_(14)单晶中所观察到的红外辐射。     

HoP_5O_(14)晶体的结构与光谱

研究了HoP_5O_(14)晶体生长,测定了它的结构,分析了它的晶面与几何外形。研究了吸收、激发、荧光及红外光谱。首次测出了HoP_5O_(14)晶体中Ho~(3 )的~5I_7—~5I_8跃迁在2.046微米。     

Er~(3+)离子及ErP_5O_(14)晶体的光谱性质

根据ErP_5O_(14)的吸收和荧光光谱,用Judd—Ofelt理论计算了在此晶体中Er~(3+)的强度参数Ω_λ(或τ_λ),由此计算了激光能级辐射跃迁速率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数。提出了在Peap与强度参数的总和之间存在直线关系的经验公式。讨论了ErP_5O_(14)作为激光材料的可能性。     

NdP_5O_(14)晶体中Nd~(3+)的4F_(3/2)受激态上粒子数对荧光寿命的影响

研究了室温下 NdP_5O_(14)晶体中 Nd~(3+)的4F_(3/2)态的荧光寿命。观察到高泵浦强度下影响光学增益的荧光双指数衰减曲线。从能量传递过程进行理论分析。简单描述了脉冲若丹明6G 激光器选择泵浦的τ计。     

Ta2O5单晶的激光法生长

采用激光加热基座生长法(LHPG)生长出Ta_2O_5单晶,测量了所生长晶体的介电系数和介电损耗随晶格方向的关系。Ta_2O_5晶体表现出很强的介电各向异性,并且其介电系数的平均值比 Ta_2O_5陶瓷的大许多。Ta_2O_5单晶的成功生长证明了LHPG技术在生长高熔点晶体方面所具有的独特能力,同时也表明它作为一种特殊的激光材料加工技术在材料科学与工程中将发挥重要作用。     

PSKNN铁电单晶及其激光法生长

采用改进的激光加热基座法 (LHPG)生长出了位于准同形相界附近的含有 Pb元素的钨青铜结构的铁电晶体 (1- x) Pb2 KNb5O15- x Sr2 Na Nb5O15(PSKNN)。通过调节激光功率和陶瓷源棒中 Pb O的含量 ,有效地控制和补偿了晶体生长过程中 Pb O的挥发。通过选择适当的籽晶 ,可以得到沿 [0 0 1],[10 0 ]和 [110 ]方向生长的 PSKNN晶体。研究了所生长晶体的铁电、介电和压电性质 ,并对其准同形相界进行了初步的讨论。     

Ti-O化合物制备TiO2薄膜热处理及透射率研究

采用离子束辅助蒸发,以TiO2,Ti3O5,Ti2O3为膜料,制备了具有良好光学透射性的TiO2薄膜.结果分析表明,所制备出的TiO2薄膜均为非晶态结构,退火后薄膜发生晶化均具有明显的(101)择优取向;晶化的程度和退火温度的高低有关;退火处理之后以TiO2,Ti3O5为膜料制备的薄膜透射率下降,而以Ti2O3为膜料的上升;膜料不同对氧的需求量不同:以TiO2,Ti3O5为膜料制备薄膜所需氧量,远小于以Ti2O3为膜料所需氧量,氧流量过多降低了薄膜的透射性能,且随氧流量的不同,薄膜的透射率曲线均发生偏移,膜料不同偏移度也不同.     

高效率、高峰值功率351nm准连续紫外激光器

报道了一台高效率、高峰值功率351 nm紫外激光器。采用激光二极管（LD）端面抽运Nd:YLF晶体声光调Q获得准连续窄脉宽1 053 nm基波振荡,腔外两块LiB3O5（LBO）晶体紧贴输出镜放置,对基频光进行二倍频和三倍频,获得了高峰值功率351 nm紫外激光输出。在LD抽运功率为14 W、声光调 Q 激光器的调制频率为1 kHz的工作条件下,基波平均输出功率为1.45 W时,得到351 nm紫外激光平均输出功率450 mW,1 053 nm基频光到351 nm紫外光转换效率高达31.04%,脉冲宽度为7.5 ns,峰值功率达60 kW,光束质量良好。     

Ta2O5单晶激光法生长及其介电性质研究

Ta2O5 single crystals have been grown by the laser heated pedestal growth (LHPG) technique up to several centimeters length with diameter of 1.1 mm. The crystal, characterized by X-ray diffraction, dielectric measurement, and thermal expansion analysis, has Htri-Wa2O5 symmetry. Dielectric permittivity, loss tangent along [001] and [110] direction were investigated over the temperature range from -180℃ to 100℃. Large dielectric anisotropy in 2O5 single crystal was observed. At room temperature, the dielectric permittivities (1 MHz) along [001] and [110] are 33.2 and 231.9, respectively. The reason of dielectric enhancement in Ta2O5 crystal grown by LHPG was also discussed.     

KPrP_4O_(12)晶体的研究

本文采用蒸发溶液法首次生长出KPrP_4O_(12)晶体。研究了晶体生长的条件和得到了较好的晶体。化学组成和X射线衍射分析证明,所得晶体是KPrP_4O_(12)。它能够形成两种结构类型。测定了它们的红外光谱、吸收光谱和荧光光谱。该晶体将可能成为一种新的激光晶体。     

Growth and characterization of 2-inch high quality β-Ga2O3 single crystals grown by EFG method

β-Ga2O3 is an ultra-wide band-gap semiconductor with promising applications in UV optical detectors,Schottky barrier diodes,field-effect transistors and substrates for light-emitting diodes.However,the preparation of large β-Ga2O3 crystals is undeveloped and many properties of this material have not been discovered yet.In this work,2-inch β-Ga2O3 single crystals were grown by using an edge-defined film-fed growth method.The high quality of the crystal has been proved by high-resolution X-ray diffraction with 19.06 arcsec of the full width at half maximum.The electrical properties and optical properties of both the unintentionally doped and Si-doped β-Ga2O3 crystals were investigated systematically.