光生伏打效应与光折变光栅的建立

带输运模型是目前被广泛接受的光折变理论.该模型以扩散机制为主.在某些情况下加上两个修正,即有外场时的漂移机制和光生伏打效应.其中光生伏打效应被考虑为等效于外加电场.而且常常被忽略了.作者认为光生伏打效应应当总被看作与扩散相并列的光折变机制,而且在铁电晶体.如LiNbO_3.中.光生伏打效应常常超过扩散而成为光折变过程的主要机制.文中将已有的光生伏打效应的唯像理论加以扩展,对产生光折变光栅的过程给出了较全面的分析.     

光折变效应和两波混频

近10年来光折变光学取得了显著的进展,它已成为非线性光学领域的重要课题。本文首先扼要地介绍光折变效应及其产生的物理机制和几种基本的光折变现象,然后较详细地叙述两波混频过程。     

BaTiO_3晶体光折变效应振荡器和机理研究

在薄征Ce:BaTiO3晶体和体块Rh:BaTiO3晶体实现了光折变效应振荡器,利用前向二波耦合和相向二波耦合建立了光折变效应准线笥F－P腔模型,并从实验结果上进行了验证和分析,同时分析了光振荡现象对BaTiO3晶体的受激光折变散射自泵浦相位共轭的影响。     

光折变空间光孤子

回顾了光折变孤子的相关研究及最新进展,描述了光折变孤子的形成及特性,分析了光折变孤子形成的理论机理,展示了光折变孤子的相互作用,说明了光折变孤子的应用价值及缺陷.     

BaTiO_3晶体光折变效应振荡器和机理研究

在薄片 Ce:Ba Ti O3晶体和体块 Rh:Ba Ti O3晶体实现了光折变效应振荡器。利用前向二波耦合和相向二波耦合理论建立了光折变效应准线性 F- P腔模型 ,并从实验结果上进行了验证和分析 ,同时分析了光振荡现象对 Ba Ti O3晶体的受激光折变散射自泵浦相位共轭的影响     

光折变晶体Fe：LiNbO3的横向效应

本文首次报道了一种新的锥形光散射现象。当一束会聚激光油－Ｃ轴方向入射到光折变晶体时，园环形的散射光斑会演变成以入射光束为中心的两个对称亮斑。     

双掺杂LiNbO3晶体光折变效应研究

研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变二波耦合效应。实验结果表明，高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄；双掺杂样品比单掺铁样品的抗光折变效应增强，光折变效应降低。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围；还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。     

光折变效应中的光伏效应与扩散机制

光折变效应中的光伏效应与扩散机制张静江，曹惠贤（北京师范大学物理系北京１００８７５）在以扩散机制为主的光折变理论中，得出了光折变效应产生的折射率变化与光强无关而是由光强的变化率决定的结论。有的文章和书籍中甚至将＂与光强无关＂作为光折变非线性效应的一个...     

e—偏振非相干均匀背景光照射下光伏光折变晶体中的开路空间亮孤子

本文推导了在外加e-偏振非相干均匀背景光照下开路光伏光折变晶体中的亮空间孤子的演化方程,给出了方程的数值积分形式的解,并且得到了小振帐条件下亮孤子解析角以及孤子宽度的解析表达式,本文还讨论了外加e－偏振非相干均匀背景光对开路光伏孤子的影响,结果表明,若外加e－偏振非相干均匀背景光的强度远远大于晶体的暗辐照强度,则不利于开路光伏孤子的形成。ee     

加压光折变晶体中屏蔽暗空间孤子的自偏转特性

光折变空间光孤子是非线性光学领域近年来的研究热点。光折变屏蔽空间孤子形成于有外加电压的非光伏光折变晶体中,其成因源于对外加电场的非均匀空间屏蔽。光折变空间亮孤子的理论研究表明,若考虑扩散效应的影响,孤子的中心在传播过程中将沿着一条抛物线轨迹偏转。本文通过考虑扩散效应的影响,利用数值方法,分析了外加电压的光折     

向列相液晶中高阶衍射图像的特性

研究了垂直排列C60掺杂的向列相液晶(5CB)记录光折变光栅衍射像的特性。利用二波耦合实验,以较小入射角的信号光束与参考光束在样品中干涉并形成光折变光栅。在远离样品的观察屏上可观察到高阶衍射像。对衍射像进行分析发现,信号光一侧的二阶衍射像被放大,而在参考光一侧的负一阶衍射虽没放大,但产生了180°旋转,理论分析与实验观察结果非常吻合。     

背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭

本文讨论了在光折变晶体中,通过特殊的背向受激二波混频产生自泵浦相位共轭波的理论,并指出散射波的频偏是由于极化光折变晶体中的光生伏打效应引起相位栅的运动而产生的。     

光折变晶体固有参数对响应时间的影响

修正了有关文献给出的关于光折变晶体响应时间的统一解折表达式。全面地分析了光折变晶体固有参数对响应时间的影响，并通过实验进行了验证，得出了施主和受主浓度是决定响应时间的关键因素的结论，对研究和制备快响应光折变晶体等方面的工作具有较大的指导意义。     

含电阻和e偏振背景光光折变屏蔽光伏孤子

为了得到分压电阻和e偏振非相干均匀背景光对屏蔽光伏孤子影响的结果,建立了有分压电阻和e偏振非相干均匀背景光辐照下光伏光折变晶体中的空间孤子的理论.数值分析了分压电阻和e偏振非相干均匀背景光对孤子半峰全宽的影响.结果表明,亮、暗和灰孤子的半峰全宽随分压系数增大(分压电阻减小)而减小;当e偏振背景光与暗辐射强度的比值不太大时,背景光对孤子的影响可忽略不计;当背景光与暗辐射强度比值过大时,孤子的半峰全宽随背景光的增加而增大;当分压电阻、e偏振背景光、晶体外加电场和晶体的光伏场取不同值时,不同的条件下的单光子光折变空间孤子都可得到.     

Si中场致光整流效应的研究

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律.经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果.     

Photorefractive determination of the sign of photocarriers in InP and GaAs

The sign of the majority photocarriers in semi-insulating iron-doped InP and undoped GaAs containing EL2 centres illuminated at 1.06 ?m is unambiguously determined from the direction of beam coupling in a two-wave photorefractive mixing experiment previously applied to ferroelectric crystals. Majority photocarriers in these InP:Fe and GaAs:EL2 crystals are found to be electrons.