S—DAT薄膜磁头

DAT(Digital Audio Tape-recoder)即数字式音频磁带录音机是一种新型磁带录音机。根据记录方式,DAT可以有两种制式,一种称为R-DAT,另一种称为S-DAT。R-DAT采用类似磁带录像机那样的旋转磁头工作,故称旋转磁头方式。而S-DAT是采用固定磁头工作,因此被称为固定磁头方式。根据S-DAT的基本规格和特点,为达到规定的线记录密度,在一道的磁带位置上需要有20道磁迹,因此必须要求一个磁头有20道。这样,每道磁迹宽度只有65微米,迹间距离为15微米,该磁头的结构尺寸已超出了缝隙式磁头的加工极限,故必须采用薄膜技术来制作磁头。     

磁头氧化物薄膜的新形成法

磁头氧化物薄膜的新形成法尽管磁头问世的年月并不长，可人们已迅速地将它广泛应用于诸如各种ＶＴＲ（磁带录音机、磁带录象机）、数据记录器、计算机磁盘及磁鼓等磁存储再生领域。如今，随着ＶＴＲ用磁记录媒体的金属磁带化、ＰＣＭ记录方式和计算机记录高速度、高密度化...     

用于磁头芯的软磁薄膜的特性

从适用于磁头芯的角度评述了软磁薄膜的新进展，最近十年研究出多种饱和磁通密度超过１．０Ｔ的合金薄膜和由普通材料Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ制得的薄膜以及钴基非晶态合金薄膜。几科报导的所有具有高饱和磁通密度的材料都是铁基合金、针基微晶合金和针基多层膜合金。     

磁头滑块的湿法与干法刻蚀实验研究

主要研究了计算机硬盘磁头滑块的微加工实验方法.首先以一种典型的磁头滑块结构为例,进行了掩模版的设计与制作;然后利用光刻、湿法刻蚀和干法刻蚀的工艺及设备,分别进行了该磁头滑块结构的湿法和干法刻蚀试验,给出了刻蚀参数及所加工的磁头照片;最后利用三维表面形貌仪.分别对湿法刻蚀和干法刻蚀的磁头结构进行了数据分析.结果表明,所提出的磁头滑块的微加工工艺及其刻蚀参数是合理的,且具有普遍性.     

一种具有消谐波正弦输出的AMR薄膜磁头设计

设计了一种消谐波正弦输出的AMR磁头，这种磁头是由AMR金属薄膜材料经过微加工工艺制成。通过对磁头输出波形的谐波分析和测试，表明该磁头具有优良的正弦输出特性、磁场灵敏度和信噪比，可以广泛应用于高精度磁栅位移检测和磁旋转编码器角度测量系统中。     

EBO—消音／偏磁振荡器磁头—专利产品简介

一、原理概述现在市售的中高档收录机,绝大部分采用交流消音、交流偏磁设计方案,以期获得良好的音质。为此,必须设计专用超音频振荡器,为交流消音头提供消音电流,为录/放磁头提供偏磁电流。其工作原理如图1所示,超音频振荡器与交流消音头E是相互独立的。     

用一种非晶软磁薄膜为芯制成的磁探测器的分辨率研究

以两根非晶软磁薄膜条(0.0251.060mm3)为芯绕成差分复绕初级和次级线圈的探测器具有良好的磁敏感特性和温度特性。试验表明,这种非晶软磁薄膜为芯的磁探测器次级输出的倍频信号电平与外界磁场具有良好的线性关系。其磁分辨率可达10-1010-11T,而且在－40℃120℃的温度范围内,温度系数为0.05﹪/℃。其磁分辨率随芯的长度变长而变高,而与芯的厚度和宽度在一定的范围内基本无关。这种探测器同多晶软磁薄膜为芯的探测器相比较,具有体积小,稳定性好,耐用及温度特性好的优点。     

BiFeO3薄膜中的电学输运性质

报道了铁酸铋薄膜样品在80K~300K温度范围直流电学输运性质的研究结果.利用同一前驱体不同老化时间,用化学溶液沉积法在钛酸锶衬底上制备出两种样品.在低阻样品中,低场下电流随电压变化遵从欧姆定律,电阻不随温度变化;而在中等强度外场下显示出肖特基二极管性质.在高阻样品中,低场下电流密度沿晶界分布,输运中的势垒能级为0.57eV;高场下电流的传输则遵从Frenkel-Poole模型,相关势垒能级0.12eV.低阻和高阻两种样品在85K温度下可测最大剩余极化分别为2.6μC/cm2和28.8μC/cm2.     

表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的工艺研究

本文对表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的关键工艺进行了研究。研究了表面微机械工艺，探索了合适的工艺规范。对如何在表面微机械结构上采用Ｓ枪磁控反应溅射生长出ｃ轴定向的ＺｎＯ薄膜工艺进行了研究。     

金刚石薄膜衬底表面预处理技术

本文介绍国内外低压合成金刚石薄膜中对衬底表面预处理的几种典型的工艺方法；探讨衬底表面预处理对低压下合成金刚石薄膜的影响。     

薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题

近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考夫曼离子源,考夫曼离子源是在空间电推进技术基础上发展起来的,由于要用于空间推进,它必然要具备低气耗、低能耗、高效率、高稳定、长寿命等优点,此外它必须能产生大面积、均匀、强流的离子束。     

负折射率半透明薄膜的热发射特性研究

根据传输矩阵法和基尔霍夫定律研究了负折射率薄膜的热发射特性.较为系统地考察了相关参数对热辐射s偏振波的影响.研究结果表明,负折射率材料的热发射率随角频率的变化呈现复杂的振荡现象.同时也发现,它的发射率峰值有时在远离法线的区域.     

薄膜厚度测量技术

随着各种表面沉积技术(PVD、CVD)日益广泛地应用于微电子、光学及超导薄膜沉积等微细加工领域,膜厚在10—10~2nm范围内的薄膜厚度测量技术也不断得到发展。本文系统地描述了各种测量技术的原理、属性及测量方法,并对其测量精度及适用范围进行了比较。     

一种新的铁电薄膜快速热处理工艺的研究

使用一种新的快速热处理的方法制备出Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,该方法的主要设备为链式热处理炉,它主要分为三部分,即预热带、加热带和冷却带．溶胶的配制采用先通过减压蒸馏的方法得到干凝胶,再将干凝胶溶解在乙二醇甲醚中的方法得到．对干凝胶作了DSC-TG分析;对薄膜作了X-射线衍射分析,结果为纯的钙钛矿结构的晶相;在l0kHz时薄膜的相对介电常数为235,介质损耗小于0.02;C-V特性曲线以及P-E电滞回线显示薄膜具有良好的铁电性能．     

薄膜镱压力传感器的特性与制造

镱压力传感器在０─３ＧＰａ范围内，与锰铜传感器和碳阻传感器相比，更适合于冲击波的动态测量。用微细加工技术制造的薄膜镱传感器，兼有镱材材和薄膜器件的优异特点。本文叙述了镱传感器的特性与制造。     

硅薄膜场发射阴极的制造和性能

本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。