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描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软X射线源而进行的接近式软X射线光刻研究。采用正性光刻胶PMMA.得到了一些新的研究结果. 相似文献
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小型激光等离子体软X射线源辐射特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了一种高重复频率小型激光等离子体软X射线源,其发射重复性涨落优于±4.5%。采用光谱学诊断方法系统研究了光源的软X射线辐射特性。 相似文献
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作为将来0.1μm投影光刻技术,探讨了X射线缩小投影曝光方法,该技术是在软X射线领域中,在缩小光学系统的反射镜面上形成的反射的多层膜,可作为大面积曝光实用的光学系统,并进行试制评价,非球面加工精度大致要满足0.1μm才能获得其性能,通过该光学系统的曝光实验确认可在20×0.4mm范围中构成尺寸为0.15μm图形 相似文献
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一、引言: 扩展x射线吸收精细结构(EXAFS)技术作为一种新的物质微观结构分析的有力工具很快在研究液体、气体、无定形或复杂结晶等材料中得到发展和应用。但绝大多数的EXAFS实验是在同步辐射强x射线源上进行的,而激光等离子体X射线源具有更高的亮度、极强的瞬时强度和线度小、稳定性好等同步辐射源所无法比拟的优点,为具有原 相似文献
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用激光等离子体产生的软X射线作光源的接触显微术,在以下几方面都优行电子显微术。首先,软X射线可穿透水,但却会被碳吸收,因此生物样品不必作任何不甘落后 化学凝固,直接在溶体环境中就可得到高分辨率的图像。其次,使用短脉冲激光保证在样品还来不及移动或被激光辐射破坏之前即可对其记录成像,因此可实现时间分辨成像。 相似文献
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1.前言从1970年开始生产1kbit DRAM以来,其集成度以每三年四倍的速度递增.预计到2000年将生产1Gbit的DRAM。图1是每年蚀刻技术状况的变化图.从技术角度来看,目前已从等倍蚀刻过渡到缩小蚀刻.其光源的波长已从G线(436nm)过渡到Ⅰ线(365nm),正在探索KrF(248nm)的短波长化。根据缩短曝光 相似文献
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描述了卢瑟福.阿普耳顿实验室研制的紧凑激光等离子体X射线源,它采用一列皮秒脉冲以获得激光辐射到X射线的高转换效率。激光脉冲在靶上聚焦成10μm焦斑,以达到非常高的辐照度。这种类型的实验室台面X射线源比商品同步辐射源要小得多,便宜得多,具有广泛的应用。同步辐X射线辐射波长可调,但激光等离子体源的X射线波长与靶材有关,在充氦的靶室中可以移动的铜或聚酯薄膜带作靶材。其应用包括生物样品三维成象的全息照相术 相似文献
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友清 《激光与光电子学进展》1997,34(12):29-31
30多年来,汞弧光一直是制造集成电路的主要光刻光源。由于某些原因,这种灯对制造下一代半导体芯片并不是最佳的。下一代半导体芯片要求的特征尺寸小于0.25μm。汞弧光发射的光谱很宽,降低了分辨率和限制了关键特征的效果。由于汞孤灯发射的光只有少部分在深紫外、并只有少量深紫外光输到晶片表面,因此需要较长曝光时间,降低了产量。另外,新折射工具上透镜数值孔径(NA)很大,使焦深受到限制,减小了汞孤灯所极供的允许带宽。目前,半导体制造正在配合下一代器件的生产。以汞孤灯为基础的光刻机已开始认真地转向以准分子激光为基础… 相似文献
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迄今为止,有一种观念认为,高功率激光器等于极限的研究工具,随着激光技术的发展高功率脉冲激光器正在工业中和其他研究领域作为光源利用。尤其是以钛蓝宝石激光器为代表的工作台上的T~3激光器或应用于加工、焊接等领域的半导体激励的固体激光器只要组装在市售的激光装置上,就可实现高聚光强度,简便而稳定地产生等离子体,并可以进行重复操作。另一方面,在激光热合或X射线激光领域,经长期的研究而构筑起来的激光等离子体物理还只被视为一部分研究领域,其软件转换方面的迟缓有时也产生应用领域中的新的开发方面的迟缓。尤其在应用方面最先掘起的X射线的产生是通过原子物理学和含放射传输的流体力学双方交汇在一起来决定其整体特性的,因此有必要正 相似文献
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