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为了采用曝光波长为0.365m的光源制作0.35-0.30μm图形。采用了i线步进方法,并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形,同时采用了光的干涉方法进行曝光形成微细图形,最重要的是相移器率和相移,其通过相移器的透过率与玻璃的透过率进行比较而测定,该测定重复性达±0.05%,测定相移量应用微分干涉显微镜原理,为了获得高精度相移量,采用了条纹扫描干涉法,测定重复性达到±1°,相对应的模厚为±0. 相似文献
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先进相移掩模(PSM)工艺技术 总被引:1,自引:0,他引:1
先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。 相似文献
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本文将报导我们编制相移掩模模拟软件有关工作,分析其中几个重要参数的影响,同时在非相干,部分相干,以及干相光照明下对曝光线条边角的圆化建立了数学模型,并与实验结果加以比较。 相似文献
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ULSI相移光刻技术* 总被引:2,自引:0,他引:2
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。 相似文献
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在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。 相似文献
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LIGA技术的掩模制造 总被引:2,自引:0,他引:2
LIGA技术是近几年才发展起来的一门新的技术,包括光刻、电铸和塑铸。由于要进行深度X光曝光,所用的同步辐射X光较硬,这一曝光条件相应就需要X光掩模吸收全有较大厚度和较高的加工精度,这样才能够阻档住X光,同时保证较高的光刻精度。 相似文献
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用金刚石薄膜作为支撑层,金作为吸收体;同时,采用Ni合金过渡层来解决金刚石与金之间结合力小,热匹配性能差等问题。制作的掩模版具有较好的反差效果。同时,还具有工艺简单,成品率高等特点。 相似文献
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阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。 相似文献
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激光直写系统制作掩模和器件的工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
激光直写系统是国际上90年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用,可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺,并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例 相似文献
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正 1.引言 近几年来由于约瑟夫逊隧道结在许多方面得到应用,特别是在新一代超级电子计算机上得到了应用,所以人们对制作小面积隧道结的技术产生了浓厚的兴趣。制作软金属超导隧道结,以IBM为代表已形成一套完整的工艺。但要用他们的办法重复地制作出实用的隧道结,必须有高级的专用设备和丰富的技术积累。一般单位在短期内是难以达到这样的技术水平的。1982年Gundlach(西德马克斯-普朗克学会)发表的文章仍在使用刀片制作的金属掩模。我们也曾经使用过这种掩模,但是用一般形式的金属掩模制作隧道结时,在氧化层势垒形成以后,必须打开镀膜机的钟罩,以便转换掩模制作上电极。这样氧化层势垒就容易受到大气污染。 为了克服这一缺点,我们用刀片拼装成的悬挂金属掩模来制作隧道结。这一技术具 相似文献
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成品率驱动的光刻校正技术 总被引:1,自引:0,他引:1
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导. 相似文献
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本文通过对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析,阐明设计图经计算机辅助设计系统数字化后,生成PG格式数据,再由PG格式数据转换成电子束格式数据的处理;论述了光栅扫描的原理及特点;介绍了图形发生器的作用及电子束在控制系统作用下在基片上描绘图形的过程。 相似文献