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反应溅射制备TiN薄膜的靶中毒模型研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据.建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响,从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾,为设计新型无中毒反应室提供了理论依据。 相似文献
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从微观粒子的相互作用和输运出发,探讨靶溅射过程中的基元化学物理步骤,计算了溅射速率和离子能量分布,为深入研究溅射薄膜的生长速率和靶中毒奠定基础。 相似文献
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反应溅射TiO_2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
报道了反应溅射沉积TiO2薄膜,得到TiO2薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气的流量,得到具有良好导电性能和一定吸收的特殊性能的TiO2薄膜。 相似文献
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本文利用XRD,RBS,AES,SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiWyNx薄膜的组份,结构和扩散势垒特性,实验结构表明,膜的组份,结构和特性受溅射时N2流量影响和溅射功率的影响,这种TiWyNx膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了A1-TiWyNx/CoSi2/Si浅结接触的热稳定性。 相似文献
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用射频溅射方法,在不同工作气体(纯Ar和Ar+10%O_2)和不同基片偏压(-30V到-180V,间隔-30V)下,由烧结Al_2O_3靶材制备Al_2O_3薄膜。测试了样品的介电强度和沉积速率,对部分样品的结构和成份分别用XPS和X射线进行了分析。结果表明:薄膜均呈非晶态;在两种工作气体中,随着基片负偏压的升高,沉积速率和介电强度均下降,但在-60V偏压时,介电强度具有最大值。含氧的工作气体导致沉积速率下降,但提高了介电强度。在含氧和-60V偏压下,Al_2O_3薄膜的平均介电强度为3.46MV/cm。纯氩气氛中制备的Al_2O_3薄膜是缺氧的,而含氧的工作气体可使薄膜中的氧含量提高。 相似文献
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通过对真空电弧淀积(VAD)的TiN薄膜中单个宏观颗粒(直径大于5μm)进行SEM观察,分析了颗粒自身形貌及其与连续薄膜之间的相互作用。并基于界面能量理论,分析了颗粒在薄膜生长过程中自身发展倾向、与外来粒子的相互碰撞以及与基片、连续膜之间的界面作用,从而揭示出薄膜中颗粒的生长规律。 相似文献
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真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对真空电弧沉积的TiN薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明,薄膜中Ti、N两种元素原子比接近1:1,其它杂质元素含量极少,薄膜为TiN单相结构,(111)晶面择优取向;薄膜表面形貌光滑致密,颗粒含量少;薄膜厚度分布较均匀。 相似文献
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用射频(RF)溅射法在镀LaNiO3(LNO)底电极的Si片上沉积PbZr0.52 Ti0.48 O3(PZT)铁电薄膜,沉积过程中基底温度为370℃,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜样品进行快速热退火处理(650℃,5min).用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测量其组分,X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的结晶结构和取向,扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜的表面形貌和微结果,RT66A标准铁电综合测试系统分析Pt/PZT/LNO电容器的铁电与介电特性,结果表明,PZT薄膜的组分、结构和性能都与溅射沉积功率有关. 相似文献
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低压气相生长金刚石薄膜成核机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了低压气相生长金刚石薄膜中活性原子团CH_3和原子态氢在金刚石成核运动中的作用以及衬底材料性能对成核的影响,认为活性基CH_3是生长金刚石的主要活性物质,它们在衬底表面的吸附、碰撞、聚集等构成了成核运动,原子氢在成核运动中的主要作用是参与CH_3的脱氢反应和石墨相碳原子团的刻蚀反应,并且还有稳定CH_3中SP ̄3杂化轨道的作用。衬底材料性能对成核的影响在于晶格失配而导致的错配位错和晶格畸变所引起的界面势垒和晶核弹性能的增加。最后讨论了金刚石薄膜与衬底之间是否存在过渡层问题,认为过渡层不是金刚石唯一的成核区,它的存在与生长条件密切相关,并且解释了关于过渡层实验研究中遇到的相互矛盾的结论。 相似文献
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