a—Si等离子体刻蚀的研究

将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。     

VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究

用光发射谱(OES)和喇曼散射谱(Raman)研究了VHF-PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明：随功率增加,对应各基团峰的强度增大;结合喇曼的测试结果,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量,Raman测试结果表明相应的晶化率低。     

射频辉光放电硅烷等离子体的光发射谱研究

通过对RF—PECVD技术沉积氢化非晶／微晶硅(a—Si：H/μc—Si：H)薄膜沉积过程中硅烷(SiH4)等离子体的光发射谱(OES)原位测量,系统地研究了不同的等离子体工艺条件下,特征发光峰强度(ISiH、IHα和IHβ)的变化规律。结果表明：随着SiH4浓度增大,ISiH^*单调增大且在不同浓度范围内变化快慢不同,而IHα和IHβ峰表现为先增后减的变化,最大值位于3—5％的SiH4浓度之间;工作气压的增大,各特征发光峰均呈现出先增后减的变化,但最大值对应的工作气压点有所不同;增大等离子体功率,所有的特征发光峰单调增加,但在不同的功率区间内变化快慢存在明显差异;气体流量在40一75sccm范围内变化时对特征发光峰的影响最为显著,更低流量时变化很小,更高流量则趋于饱和;衬底温度不仅影响生长表面的发应,对SiH4分解机制的影响不容忽视。     

高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战.     

铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究

介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H2O)为10mL∶3g∶10mL∶10mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7nm/s和4nm/s,图形刻蚀精度高。最后讨论了该刻蚀液对铋基焦绿石薄膜的刻蚀机理,加入NH4F作为络合剂能避免刻蚀过程中三氟化铋BiF3难溶沉淀物的生成,加入HNO3作为助溶剂可以调节刻蚀速率,从而提高湿法刻蚀的图形精度。     

硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究

采用溶胶－凝胶（Sol-Gel）法制备了PZT薄膜,在600℃的退火温度下即获得了晶化完善的钙然矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺,利用HCl/HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的PZT薄膜微图形。较好的解决了有关PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。     

基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的OES终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论IEP终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP预报式终点检测技术已经运用在新近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上,最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望.     

厚度对a—Si：H薄膜性能的影响

用等离子体增强化学气相沉积法在最佳工艺参数下在硼玻璃基片上沉积了厚度为1μm以下的不同厚度的a-Si:H薄膜。测量了薄膜厚度对它的光电性质的影响。结果表明，当膜厚增加时，a-Si:H薄膜暗电导、光电导和阈值电压增大，光学带隙和Raman谱的TA模与TO模峰值比减小，折射率几乎不变，光吸收系数和通断电流比先增大，达到最大值后又减小。     

α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究

本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。